電磁波遮蔽積層体およびこれを用いたディスプレイ装置
透明な基材（２）上に電磁波遮蔽膜（１００）が設けられた電磁波遮蔽積層体（１）であって、前記電磁波遮蔽膜（２）が、前記基材（２）側から順に、屈折率が２．０以上である物質からなる第１の高屈折率層（３１）、酸化亜鉛を主成分とする第１の酸化物層（３２）、銀を主成分とする導電層（３３）および屈折率が２．０以上である物質からなる第２の高屈折率層（３５）を有することを特徴とする電磁波遮蔽積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材上に複数の層を積層させた電磁波遮蔽積層体および該電磁波遮蔽積層体を備えたディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の発光面からは電磁波が放射される。この電磁波は近くにある電子機器へ影響を及ぼし、誤作動を起こすことがある。このため、従来から、電磁波を遮蔽する目的でガラス等の基材上に透明導電膜を被覆したものを発光面の前面に設置することが知られている。
【０００３】
例えば、基材側から、１種以上の金属を含有する酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とする酸化物層と銀（Ａｇ）を主成分とする金属層とが交互に、計（２ｎ＋１、ｎは正の整数）層積層された多層の導電膜が被覆されたＰＤＰ用保護板や、チタン酸化物と金属層とが交互に積層された積層体等が提案されている（特許文献１および２参照。）。
【０００４】
このような電磁波遮蔽膜には、一般に高い可視光透過率と低い抵抗値が要求される。酸化物層と金属層とを交互に積層した電磁波遮蔽膜では、抵抗値を下げるためには、金属層の積層数を増やすか、または、金属層を厚くすることが一般に知られている。
【特許文献１】国際公開第９８／１３８５０号パンフレット
【特許文献２】特開２０００−２４６８３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１に係わる従来技術では、銀の耐湿性を改良するために銀層にパラジウムを添加している。そのため抵抗値が大きくなるという問題があった。また、抵抗値を下げるために金属層の積層数を増していくと可視光透過率が下がってしまうという問題があった。
【０００６】
また、特許文献２に係る従来技術では、酸化物層として屈折率の高い材料である酸化チタンを使用している。酸化チタンのように屈折率の高い材料を使用すると、積層数が増えても透過率の低下が少ないという利点を有する。しかし、酸化チタンと銀とが交互に積層された積層体は、耐湿性が悪い問題があった。銀にパラジウムを添加することにより、耐湿性を向上させられるが、パラジウムを添加することにより抵抗値が大きくなる問題があった。
【０００７】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み、高い可視光透過率と共に、低い抵抗値、高い耐湿性を有する低コストの電磁波遮蔽積層体およびこれを用いたディスプレイ装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、透明な基材上に電磁波遮蔽膜が設けられた電磁波遮蔽積層体であって、前記電磁波遮蔽膜が、前記基材側から順に、屈折率が２．０以上である物質からなる第１の高屈折率層、酸化亜鉛を主成分とする第１の酸化物層、銀を主成分とする導電層および屈折率が２．０以上である物質からなる第２の高屈折率層を有することを特徴とする電磁波遮蔽積層体を提供する。
【０００９】
本発明は、透明な基材上に電磁波遮蔽膜が２以上積層された電磁波遮蔽積層体であって、前記電磁波遮蔽膜が、前記基材側から順に、屈折率が２．０以上である物質からなる第１の高屈折率層、酸化亜鉛を主成分とする第１の酸化物層、銀を主成分とする導電層および屈折率が２．０以上である物質からなる第２の高屈折率層を有し、前記電磁波遮蔽膜間で直接接する前記第１の高屈折率層と前記第２の高屈折率層が一括して成膜された１つの層からなることを特徴とする電磁波遮蔽積層体を提供する。
【００１０】
また、本発明は、画像を表示するためのディスプレイ画面と、該ディスプレイ画面の視認側に設けられた本発明の電磁波遮蔽積層体とを備えることを特徴とするディスプレイ装置を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の電磁波遮蔽積層体およびディスプレイ装置は、高い可視光透過率と共に、低い抵抗値、高い耐湿性を有する低コストの電磁波遮蔽積層体およびこれを用いたディスプレイ装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の電磁波遮蔽積層体の一実施形態に係る概略断面図である。
【符号の説明】
【００１３】
１ 電磁波遮蔽積層体
２ 基材
３１ 第１の高屈折率層
３２ 第１の酸化物層
３３ 導電層
３４ 第２の酸化物層
３５ 第２の高屈折率層
１００ 電磁波遮蔽膜
２００ 一括して成膜した高屈折率層
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
＜電磁波遮蔽積層体＞
以下、本発明の実施の形態に係る電磁波遮蔽積層体の例を図面に示し、詳細に説明する。
【００１５】
［第１の実施形態］
図１に、本発明の第１の実施形態に係る電磁波遮蔽積層体１を示す。なお、図１における各寸法比は、説明の便宜上実際と異なるものとなっている。この電磁波遮蔽積層体１は、透明な基材２上に電磁波遮蔽膜１００、・、・、・が設けられている。
本実施形態では、電磁波遮蔽膜１００が４積層された構成となっている。
【００１６】
（基材）
基材２の材質としては、平滑透明で、可視光線を透過し得るものであればよい。例えば、プラスチックガラス等が挙げられる。
プラスチックとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、トリアセチルセルロース、ポリエーテルスルホン、ポリメチルメタクリレート等を挙げることができる。
基材２の厚さは用途に応じて適宜選定される。例えば、フィルムでもよいし、板状でもよい。また、基材２は、単一の層で構成してもよいし、複数層の積層体としてもよい。
基材２は、別のガラス板、プラスチック板等に粘着剤等で貼り付けて使用してもよい。例えば、薄いフィルム状のプラスチックの基材２を別のプラスチック板、ガラス板等に貼り付けてもよいし、ガラス板の基材２を別のガラス板、プラスチック板等に貼り付けてもよい。
【００１７】
（電磁波遮蔽膜）
基材２の上に設けられる電磁波遮蔽膜１００、・、・、・は、各々第１の高屈折率層３１と、第１の高屈折率層３１上に設けた第１の酸化物層３２と、第１の酸化物層３２上に設けた導電層３３と、導電層３３上に設けた第２の高屈折率層３５とから基本的に構成されている。本実施形態では、さらに導電層３３と第２の高屈折率層３５との間に、第２の酸化物層３４が設けられ、各々第１の高屈折率層３１と、第１の酸化物層３２と、導電層３３と、第２の酸化物層３４と、第２の高屈折率層３５とから電磁波遮蔽膜１００、・、・、・が構成されている。
【００１８】
（高屈折率層）
第１の高屈折率層３１、・、・、・と第２の高屈折率層３５、・、・、・は、屈折率が２．０以上である物質によって構成されている。該屈折率は、２．０以上、２．７以下であることが好ましい。第１の高屈折率層３１、・、・、・または第２の高屈折率層３５、・、・、・の屈折率を２．０以上とすることにより、電磁波遮蔽膜１００、・、・、・の積層数を増やしても可視光透過率を高く維持することができる。
なお、本明細書における屈折率（ｎ）とは、波長５５０ｎｍにおける屈折率をいう。
【００１９】
第１の高屈折率層３１、・、・、・または第２の高屈折率層３５、・、・、・の材料としては、例えば、酸化ニオブ（ｎ：２．３５）、酸化チタン（ｎ：２．４５）、酸化タンタル（ｎ：２．１〜２．２）等が挙げられるが、そのなかでも酸化ニオブ、酸化チタンが好ましく、酸化ニオブがより好ましい。第１の高屈折率層３１、・、・、・または第２の高屈折率層３５、・、・、・を酸化ニオブを主成分とする層とすることにより、水の浸透量が減り、電磁波遮蔽膜１００、・、・、・の耐湿性を向上させることができる。特に、第１の高屈折率層３１、・、・、・または第２の高屈折率層３５、・、・、・が、酸化ニオブを主成分とする層であることが、上記効果が大きいことからも好ましい。
【００２０】
また、第１の高屈折率層３１、・、・、・または第２の高屈折率層３５、・、・、・は、結晶質であっても構わないし、アモルファス状態であっても構わない。そのなかでも、アモルファス状態が好ましい。第１の高屈折率層３１、・、・、・または第２の高屈折率層３５、・、・、・をアモルファス状態とすることにより、結晶粒界を介しての水の浸透が減少し、電磁波遮蔽膜１００、・、・、・の耐湿性をさらに向上させることができる。
【００２１】
第１の高屈折率層３１、・、・、・の幾何学的膜厚は、２０〜５０ｎｍが好ましく、３０〜４０ｎｍがより好ましい。また、第２の高屈折率層３５、・、・、・の幾何学的膜厚は、２０〜５０ｎｍが好ましく、３０〜４０ｎｍがより好ましい。
【００２２】
なお、本実施形態では、透明な基材２上に電磁波遮蔽膜１００が４積層された構成となっているため、１積層目の電磁波遮蔽膜１００における第２の高屈折率層３５の上に、２積層目の電磁波遮蔽膜１００における第１の高屈折率層３１が直接積層されている。この場合、第２の高屈折率層３５と第１の高屈折率層３１とは、互いに同じ組成を有するものである。図１では、各々第２の高屈折率層３５と第１の高屈折率層３１とを合わせて、一括して成膜した高屈折率層２００、・、・、・として示している。また、必要に応じて、第１の高屈折率層３１と第２の高屈折率層３５を２回以上の操作で成膜してもよい。
【００２３】
可視光反射率を低減し、また低反射率が得られる波長帯域を拡げる観点から、１積層目の第１の高屈折率層３１と最終積層目の第２の高屈折率層３５の各膜厚は、高屈折率層２００、・、・、・の膜厚より薄い（１／２程度の厚さ）ことが好ましい。また、それぞれの層の膜厚は、基材を含めた全体の光学特性を調整するために、適宜調整される。
【００２４】
第１の高屈折率層３１、・、・、・または第２の高屈折率層３５、・、・、・の形成方法としては、例えば、金属酸化物の還元性のターゲットを用いてスパッタリング法により形成する方法、イオンプレーティング法、蒸着法、ＣＶＤ法等が挙げられる。これらの中でも、酸化ニオブの還元性のターゲットを用いて、スパッタリング法により形成する方法は、酸化ニオブ層を導電層３３、・、・、・上に形成する際の導電層３３、・、・、・の酸化を防止でき、高速かつ大面積に均一に形成できる点で有利である。
【００２５】
なお、ここで使った酸化ニオブの還元性ターゲットとは、酸化ニオブの化学量論的組成に対して酸素が欠乏しているターゲットである。具体的には、Ｎｂ２ＯＸ（０＜Ｘ＜５）の式で表される組成を有するもので、導電性を有しており直流スパッタリング法により放電、成膜できるものがより好ましい。また、金属ニオブをターゲットとして、酸素雰囲気下でスパッタリングする方法を採用することもできる。
【００２６】
還元性のターゲットを用いる場合には、スパッタガスとして、５〜２０体積％の酸化性ガスを含む不活性ガスを用いるのが好ましい。酸化性ガスとしては、酸素ガスが一般的に用いることができるが、一酸化窒素、二酸化窒素、一酸化炭素、二酸化炭素、オゾン等を用いることもできる。
【００２７】
（酸化物層）
＜第１の酸化物層＞
第１の酸化物層３２、・、・、・は、酸化亜鉛を主成分とする物質によって構成されている。酸化亜鉛を主成分とする物質は、その結晶構造が、導電層３３、・、・、・を構成する銀の結晶構造と近い。従って、酸化亜鉛を主成分とする材料からなる酸化物層の上に銀を積層すると結晶性の良い銀が得られる。結晶性の良い銀はマイグレーションの発生が低減できると考えられる。以上から、第１の酸化物層３２、・、・、・を酸化亜鉛を主成分とする材料にすることにより、銀のマイグレーションが抑制され、第１の酸化物層３２、・、・、・と導電層３３、・、・、・との密着性を維持することができる。密着性を維持できることにより、界面への水分の侵入を抑えることができ、銀の耐湿性が良好になる。本発明における電磁波遮蔽膜１００、・、・、・が（酸化亜鉛を主成分とする材料からなる）第２の酸化物層を含む場合、結晶性の良い銀からなる導電層３３、・、・、・と（酸化亜鉛を主成分とする材料からなる）第２の酸化物層３４、・、・、・との界面でも、同様に密着性を維持することができ、耐湿性がさらに良好になる。
【００２８】
ここで、銀のマイグレーションとは、銀が拡散し凝集することを意味する。銀が凝集すると耐湿性が不良になると同時に、凝集した部分が白化し外観が不良となる。
【００２９】
酸化亜鉛を主成分とする物質とは、酸化亜鉛が８０原子％以上、好ましくは９０原子％以上含まれることを意味する。具体的には、実質的に酸化亜鉛（ＺｎＯ）のみからなるものであってもよいし、酸化亜鉛を主成分とし、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を含有する酸化物（以下、ＡＺＯという。）、酸化亜鉛を主成分とし、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）を含有する酸化物（以下、ＧＺＯという。）等が挙げられる。そのなかでもＡＺＯ、ＧＺＯが酸化物層の耐久性の点で好ましく、ＡＺＯが銀の結晶構造とより近いことから、最も好ましい。
【００３０】
成膜したＡＺＯに含まれるアルミニウムは、酸化アルミニウムと酸化亜鉛との総量に対して１〜１０原子％であることが好ましく、２〜６原子％であることがより好ましい。一般に、酸化亜鉛単体から形成される膜は内部応力が大きい。内部応力が大きいと、第１の酸化物層３２、・、・、・に割れが生じ易く、この部分を介して水分が浸入しやすくなる。
【００３１】
酸化アルミニウム含有量を１原子％以上にすることにより、第１の酸化物層３２、・、・、・の内部応力を低減することができ、割れが生じる可能性を小さくすることができる。酸化アルミニウム含有量を１０原子％以下にすることにより、酸化亜鉛の結晶構造を保つことができる。
【００３２】
第１の酸化物層３２、・、・、・の幾何学的膜厚は、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましく、３ｎｍ以上６ｎｍ以下であることがより好ましい。第１の酸化物層３２、・、・、・の幾何学膜厚を１０ｎｍ以下とすることで、隣接する第１の高屈折率層３１、・、・、・の効果を損なうことがないので好ましい。
【００３３】
導電層３３、・、・、・において、結晶性の良い銀を得るためには下地の影響が大きいため、第１の酸化物層３２、・、・、・の幾何学的膜厚は、大きいことが好ましい。本発明の電磁波遮蔽積層体が、第２の酸化物層を有する場合、第１の酸化物層３２、・、・、・の幾何学的膜厚は、第２の酸化物層３４、・、・、・の幾何学的膜厚より大きいことが好ましい。
【００３４】
第１の酸化物層３２、・、・、・の形成方法としては、真空蒸着法、反応性蒸着法、イオンビームアシスト蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理気相折出法、プラズマＣＶＤ法等の化学気相折出法等が挙げられる。そのなかでも、ＤＣスパッタリング法は、膜厚の制御が比較的容易であること、低温基材上に形成しても実用的な膜強度が得られること、大面積化が容易なこと、いわゆるインライン型の設備を用いれば積層膜の形成が容易なこと等の点から好ましい。
【００３５】
＜第２の酸化物層＞
第２の酸化物層３４、・、・、・は、金属酸化物を主成分とする物質によって構成されている。金属酸化物としては、酸化亜鉛を主成分とする物質、酸化チタンを主成分とする物質、酸化インジウムを主成分とする物質等が好ましく挙げられる。酸化亜鉛を主成分とする物質を第２の酸化物層３４、・、・、・に用いた場合、第１の酸化物層と銀からなる導電層３３、・、・、・との界面の場合と同様に、結晶性の良い銀からなる導電層３３、・、・、・と酸化亜鉛を主成分とする材料からなる第２の酸化物層３４、・、・、・との界面では、密着性を維持することができ、耐湿性がさらに良好になるので好ましい。
【００３６】
第２の酸化物層３４、・、・、・としては、酸化チタン、ＡＺＯ、ＧＺＯ、酸化インジウムを主成分とし酸化スズ（ＳｎＯ２）を含有する酸化物がより好ましく挙げられる。そのなかでも、ＡＺＯ、ＧＺＯが酸化物層の耐久性の点で好ましく、ＡＺＯが銀の結晶構造とより近いことから、最も好ましい。
【００３７】
成膜したＡＺＯに含まれるアルミニウムは、酸化アルミニウムと酸化亜鉛との総量に対して１〜１０原子％であることが好ましく、２〜６原子％であることがより好ましい。一般に、酸化亜鉛単体から形成される膜は内部応力が大きい。内部応力が大きいと、第２の酸化物層３４、・、・、・に割れが生じ易く、この部分を介して水分が浸入しやすくなる。
【００３８】
酸化アルミニウム含有量を１原子％以上にすることにより、第２の酸化物層３４、・、・、・の内部応力を低減することができ、割れが生じる可能性を小さくすることができる。酸化アルミニウム含有量を１０原子％以下にすることにより、酸化亜鉛の結晶構造を保つことができる。
【００３９】
第２の酸化物層３４、・、・、・の幾何学的膜厚は、１ｎｍ以上６ｎｍ以下であることが好ましく、２ｎｍ以上４ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００４０】
第２の酸化物層３４、・、・、・の形成方法としては、真空蒸着法、反応性蒸着法、イオンビームアシスト蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理気相折出法、プラズマＣＶＤ法等の化学気相折出法等が挙げられる。そのなかでも、ＤＣスパッタリング法は、膜厚の制御が比較的容易であること、低温基材上に形成しても実用的な膜強度が得られること、大面積化が容易なこと、いわゆるインライン型の設備を用いれば積層膜の形成が容易なこと等の点から好ましい。
【００４１】
（導電層）
導電層３３、・、・、・は、銀を主成分とする物質によって構成されている。ここで、銀を主成分とする物質とは、該物質に含まれる全金属に対して、銀の含有量が９９．８原子％以上であることを意味する。銀を主成分とする物質としては、銀単体、銀にパラジウム、白金、金、イリジウム、ロジウム、銅およびビスマスから選ばれる少なくとも一種の金属が混入されている合金が挙げられる。銀の含有量が９９．８原子％以上であることにより、導電層３３、・、・、・の膜厚を薄くしても電磁波遮蔽積層体１の抵抗値を低くすることができる。さらに、電磁波遮蔽膜１００、・、・、・の積層数が少なくても抵抗値を低くできるため、抵抗値が低く、かつ、可視光透過率が高い電磁波遮蔽積層体１を得ることができる。
【００４２】
導電層３３、・、・、・における銀の含有量は９９．８原子％以上であることが好ましく、さらに９９．９原子％以上の銀単体であることがコスト面からも最も好ましい。
導電層３３、・、・、・の幾何学的膜厚は５〜２０ｎｍが好ましい。各導電層３３の幾何学的膜厚は同じであっても異なっていてもよい。
導電層３３、・、・、・の形成は、スパッタリング法、蒸着法等の各種の方法にしたがって行うことができる。特に、成膜速度が速く、かつ大面積に均一な厚さで均一な質の層を形成することができる点から、直流スパッタリング法によって形成するのが好ましい。
【００４３】
基材２上に積層される電磁波遮蔽膜１００の積層数は、充分な電磁波遮蔽能を有するために２以上とすることが好ましい。２以上とすることにより充分な電磁波遮蔽性能を得ることができる。さらに、３以上積層されていることが好ましい。また、高い可視光透明性を維持することができることから、電磁波遮蔽膜１００の積層数は８以下であることが好ましい。上記の観点から、特に積層数が３以上６以下であることが最も好ましい。
【００４４】
＜ディスプレイ装置＞
以下、本発明の実施の形態に係るディスプレイ装置について、詳細に説明する。
【００４５】
［第２の実施形態］
本発明の第２の実施形態に係るディスプレイ装置は、画像を表示するためのディスプレイ画面と、ディスプレイ画面の視認側に設けられた電磁波遮蔽積層体とを備えている。
ディスプレイ装置としては、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）、陰極管表示装置（ＣＲＴ）等が挙げられる。
【００４６】
画像を表示するためのディスプレイ画面の視認側は、一般に、ガラス基板、プラスチック基板等の透明基板で構成されている。電磁波遮蔽積層体としては、本発明の電磁波遮蔽積層体であれば特に制限はないが、例えば、第１の実施形態の電磁波遮蔽積層体１を用いることができる。
【００４７】
電磁波遮蔽積層体は、ディスプレイ画面の視認側表面に粘着剤等を用いて直接貼着してもよいし、ディスプレイ画面との間に隙間を置いて設置してもよい。
【００４８】
また、ディスプレイ画面の視認側に、新たにガラス、プラスチック等からなる前面板を設置し、前面板の視認側またはディスプレイ側に電磁波遮蔽積層体を直接貼着してもよい。また、前面板の視認側またはディスプレイ側に、前面板との間に隙間を置いて電磁波遮蔽積層体を設置してもよい。
【００４９】
［第３の実施形態］
本発明の第３の実施形態に係るディスプレイ装置は、画像を表示するためのディスプレイ画面と、ディスプレイ画面の視認側の面上に設けられた電磁波遮蔽膜とから構成されている。
【００５０】
このようなディスプレイ装置としては、例えば、
（１）電磁波遮蔽膜が、ディスプレイ画面の視認側の面上から順に、屈折率が２．０以上である物質からなる第１の高屈折率層、酸化亜鉛を主成分とする第１の酸化物層、銀を主成分とする導電層および屈折率が２．０以上である物質からなる第２の高屈折率層を有するディスプレイ装置や、
（２）該電磁波遮蔽膜が、導電層と第２の高屈折率層との間に、第２の酸化物層を有するディスプレイ装置や、
（３）該電磁波遮蔽膜の第１または第２の高屈折率層が酸化ニオブを主成分とする層であるディスプレイ装置や、
（４）該電磁波遮蔽膜の導電層における銀の含有量が９９．８原子％以上であるディスプレイ装置や、
（５）該電磁波遮蔽膜が、基材側から３以上積層されたディスプレイ装置などが挙げられる。
この場合、ディスプレイ画面の視認側は、一般に、ガラス基板、プラスチック基板等の透明基板で構成されている。
【００５１】
また、電磁波遮蔽膜としては、例えば、第１の実施形態の電磁波遮蔽膜１００、・、・、・を用いることができる。この場合、ディスプレイ画面の視認側の面上に、第１の高屈折率層３１、第１の酸化物層３２、導電層３３、第２の酸化物層３４、第２の高屈折率層３５の順番で積層する。
電磁波遮蔽膜は、蒸着法、スパッタリング法などにより、直接ディスプレイ画面の視認側表面上に形成することができる。
【実施例】
【００５２】
以下、実施例により、本発明をさらに詳しく説明する。
【００５３】
［実施例１］
透明基材として、高透過の光学用途向けフィルムであるポリエチレンテレフタレートフィルム（以下、ＰＥＴという。厚さ１００μｍ）を使用した。
スパッタ成膜には、Ｗｅｂ ｃｏａｔｅｒ成膜装置（平野光音（株）社）を用いた。ターゲットのサイズは５０ｍｍ×１９５ｍｍで、基材の搬送は長巻のフィルム基材を送り出し、ガイドロールを介し、キャンロール位置でスパッタして、ガイドロールを介し再び巻き取るロール・ツー・ロール方式で行った。スパッタ電源は、ＤＣ放電（ＡＥ社ＭＤＸ−１０Ｋ、ＥＮＩ社ＲＰＧ−１００）で成膜を行った。
【００５４】
フィルム基材上に基材側から、高屈折率層（１）／酸化物層（１）／導電層／酸化物層（２）／高屈折率層（２）／酸化物層（１）／導電層／酸化物層（２）／高屈折率層（２）／酸化物層（１）／導電層／酸化物層（２）／高屈折率層（２）／酸化物層（１）／導電層／酸化物層（２）／高屈折率層（１）の順に、電磁波遮蔽膜を４積層成膜させた。詳しい成膜条件は表１に示す。
【００５５】
【表１】
【００５６】
高屈折率層（１）および高屈折率層（２）は、酸化ニオブ（旭硝子セラミックス社製ＮＳ−ＮＢＯ）をターゲットとしてＤＣ放電で成膜した。酸化物層（１）および酸化物層（２）は、酸化亜鉛に酸化アルミニウムを３質量％添加したもの（旭硝子セラミックス社製）をターゲットとしてＤＣ放電で成膜した。また、導電層は、純度９９．９原子％の銀をターゲットに用いてＤＣ放電で成膜した。
【００５７】
なお、得られた電磁波遮蔽積層体の酸化物層中の亜鉛とアルミニウムの含有率は、ターゲット中に含まれる亜鉛とアルミニウムの含有率とほぼ同じとなる。
【００５８】
成膜速度の調整は、基材の搬送速度で行い、成膜速度の遅い材料の場合は数回の往復成膜を繰り返して、所望の膜厚にした。膜厚は、触針式膜厚計（Ｄｅｋｔａｋ３ｓｔＵＬＶＡＣ社代理店）を用いて測定した。得られた膜厚の結果を表１に示す。
【００５９】
＜評価＞
（１）可視光透過率
得られた電磁波遮蔽積層体の可視光透過率は、朝日分光社製のＭｏｄｅｌ３０４型透過率計を用いて測定した。可視光透過率の測定結果を下記表２に示す。
（２）抵抗値
得られた電磁波遮蔽積層体の抵抗値は、ＤＥＬＣＯＭ社製７１７ｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅ ｍｏｎｉｔｏｒを用いて測定した。抵抗値の測定結果を下記表２に示す。
（３）耐湿性
耐湿性評価にはＮａＣｌ試験を用いた。まず、２質量％ＮａＣｌ水溶液１μリットルを電磁波遮蔽積層体の電磁波遮蔽膜上に滴下した後、乾燥させた。その後、電磁波遮蔽膜上に粘着材（ポラテクノ社製ＡＤＣ２または有沢製作所社製ＰＴＲ２５００、厚さ２５μｍ）付きＰＥＴフィルム（厚さ１００μｍ）を張り合わせ、温度６０℃相対湿度９５％の恒温恒湿槽に１００時間保存した後、取り出してＰＥＴフィルムを剥した。劣化して剥離した部分の面積をノギスで測定した。劣化面積の測定結果を下記表２に示す。
【００６０】
［比較例１］
高屈折率層（１）の上に酸化物層（１）を形成させることなく、高屈折率層（１）の上に直接導電層を実施例１と同様の成膜条件で形成させた。それ以外は、実施例１と同様にして電磁波遮蔽積層体を作製した。
得られた電磁波遮蔽積層体について、実施例１と同様の方法で、可視光透過率、抵抗値、耐湿性の評価を行った。可視光透過率、抵抗値、耐湿性の測定結果を下記表２に示す。
【００６１】
［比較例２］
酸化物層（１）および酸化物層（２）を形成させることなく、高屈折率層（１）と高屈折率層（２）との間に直接導電層を実施例１と同様の成膜条件で形成させた。それ以外は、実施例１と同様にして電磁波遮蔽積層体を作製した。
得られた電磁波遮蔽積層体について、実施例１と同様の方法で、可視光透過率、抵抗値、耐湿性の評価を行った。可視光透過率、抵抗値、耐湿性の測定結果を下記表２に示す。
【００６２】
【表２】
【００６３】
実施例１と比較例１の結果を比較すると、実施例１は、可視光透過率、抵抗値が比較例１とほぼ同等であり、良好な電磁波遮蔽積層体であることが確認された。また、ＮａＣｌ試験による劣化面積について、実施例１の劣化面積は比較例１の劣化面積の１／６であり、実施例１は耐湿性に優れていることが確認された。また、この結果から、高屈折率層（１）と導電層との間に酸化物層（１）を形成させることで、電磁波遮蔽膜の耐湿性が向上することが確認された。
【００６４】
次に、実施例１と比較例２の結果を比較すると、実施例１は、可視光透過率、抵抗値が比較例２とほぼ同等であったが、ＮａＣｌ試験による劣化面積については、実施例１の劣化面積は比較例２の劣化面積の１／３８であり、実施例１は耐湿性に優れていることが確認された。この結果から、酸化物層（１）および酸化物層（２）の存在が、電磁波遮蔽膜の耐湿性の向上に大きく寄与することが確認された。
【００６５】
以上の結果から、実施例１で得られた電磁波遮蔽積層体は、可視光透過率が高く、抵抗値も低く、また、耐湿性にも優れた電磁波遮蔽積層体であることが確認された。
【００６６】
［実施例２］
成膜条件を表３に示す条件とする以外は、実施例１と同様にして電磁波遮蔽積層体を作製した。
得られた電磁波遮蔽積層体について、実施例１と同様の方法で、耐湿性の評価を行った。耐湿性の測定結果を表６に示す。
【００６７】
【表３】
【００６８】
［実施例３］
成膜条件を表４に示す条件とする以外は、実施例１と同様にして電磁波遮蔽積層体を作製した。
高屈折率層（１）および（２）は、還元型酸化チタン（ＴＸＯ）ターゲット（旭硝子セラミックス社製）を用いＤＣ放電で成膜した。
得られた電磁波遮蔽積層体について、実施例１と同様の方法で、耐湿性の評価を行った。耐湿性の測定結果を表６に示す。
【００６９】
【表４】
【００７０】
［比較例３］
成膜条件を表５に示す条件とし、高屈折率層（１）および（２）に代えてＡＺＯ層（屈折率：１．９３）（１）および（２）とする以外は、実施例１と同様にして電磁波遮蔽積層体を作成した。
ＡＺＯ層（１）および（２）は、酸化亜鉛に酸化アルミニウムを３質量％添加したもの（旭硝子セラミックス社製）をターゲットとしてＤＣ放電で成膜した。
なお、得られた電磁波遮蔽積層体の酸化物層中の亜鉛とアルミニウムの含有率は、ターゲット中に含まれる亜鉛とアルミニウムの含有率とほぼ同じとなる。
得られた電磁波遮蔽積層体について、実施例１と同様の方法で、耐湿性の評価を行った。耐湿性の測定結果を表６に示す。
【００７１】
【表５】
【００７２】
【表６】
【００７３】
高屈折率層の材料として酸化ニオブを用いた実施例２と高屈折率層の材料として酸化チタンを用いた実施例３では、ＮａＣｌを滴下した周辺のみが劣化していて、劣化面積が小さかった。酸化二オブと、酸化チタンとを比較すると、劣化面積は酸化ニオブの方が小さく、耐久性がより優れていた。高屈折率層に代えてＡＺＯ層とした比較例３では、ＮａＣｌを滴下した周辺が劣化するだけでなく、滴下部分から成膜面の広い領域にわたってクラックが発生し、劣化面積が大きくなった。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明の電磁波遮蔽積層体は、ディスプレイ装置用等のフィルタとして有用である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材上に複数の層を積層させた電磁波遮蔽積層体および該電磁波遮蔽積層体を備えたディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の発光面からは電磁波が放射される。この電磁波は近くにある電子機器へ影響を及ぼし、誤作動を起こすことがある。このため、従来から、電磁波を遮蔽する目的でガラス等の基材上に透明導電膜を被覆したものを発光面の前面に設置することが知られている。
【０００３】
例えば、基材側から、１種以上の金属を含有する酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とする酸化物層と銀（Ａｇ）を主成分とする金属層とが交互に、計（２ｎ＋１、ｎは正の整数）層積層された多層の導電膜が被覆されたＰＤＰ用保護板や、チタン酸化物と金属層とが交互に積層された積層体等が提案されている（特許文献１および２参照。）。
【０００４】
このような電磁波遮蔽膜には、一般に高い可視光透過率と低い抵抗値が要求される。酸化物層と金属層とを交互に積層した電磁波遮蔽膜では、抵抗値を下げるためには、金属層の積層数を増やすか、または、金属層を厚くすることが一般に知られている。
【特許文献１】国際公開第９８／１３８５０号パンフレット
【特許文献２】特開２０００−２４６８３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１に係わる従来技術では、銀の耐湿性を改良するために銀層にパラジウムを添加している。そのため抵抗値が大きくなるという問題があった。また、抵抗値を下げるために金属層の積層数を増していくと可視光透過率が下がってしまうという問題があった。
【０００６】
また、特許文献２に係る従来技術では、酸化物層として屈折率の高い材料である酸化チタンを使用している。酸化チタンのように屈折率の高い材料を使用すると、積層数が増えても透過率の低下が少ないという利点を有する。しかし、酸化チタンと銀とが交互に積層された積層体は、耐湿性が悪い問題があった。銀にパラジウムを添加することにより、耐湿性を向上させられるが、パラジウムを添加することにより抵抗値が大きくなる問題があった。
【０００７】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み、高い可視光透過率と共に、低い抵抗値、高い耐湿性を有する低コストの電磁波遮蔽積層体およびこれを用いたディスプレイ装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、透明な基材上に電磁波遮蔽膜が設けられた電磁波遮蔽積層体であって、前記電磁波遮蔽膜が、前記基材側から順に、屈折率が２．０以上である物質からなる第１の高屈折率層、酸化亜鉛を主成分とする第１の酸化物層、銀を主成分とする導電層および屈折率が２．０以上である物質からなる第２の高屈折率層を有することを特徴とする電磁波遮蔽積層体を提供する。
【０００９】
本発明は、透明な基材上に電磁波遮蔽膜が２以上積層された電磁波遮蔽積層体であって、前記電磁波遮蔽膜が、前記基材側から順に、屈折率が２．０以上である物質からなる第１の高屈折率層、酸化亜鉛を主成分とする第１の酸化物層、銀を主成分とする導電層および屈折率が２．０以上である物質からなる第２の高屈折率層を有し、前記電磁波遮蔽膜間で直接接する前記第１の高屈折率層と前記第２の高屈折率層が一括して成膜された１つの層からなることを特徴とする電磁波遮蔽積層体を提供する。
【００１０】
また、本発明は、画像を表示するためのディスプレイ画面と、該ディスプレイ画面の視認側に設けられた本発明の電磁波遮蔽積層体とを備えることを特徴とするディスプレイ装置を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の電磁波遮蔽積層体およびディスプレイ装置は、高い可視光透過率と共に、低い抵抗値、高い耐湿性を有する低コストの電磁波遮蔽積層体およびこれを用いたディスプレイ装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の電磁波遮蔽積層体の一実施形態に係る概略断面図である。
【符号の説明】
【００１３】
１ 電磁波遮蔽積層体
２ 基材
３１ 第１の高屈折率層
３２ 第１の酸化物層
３３ 導電層
３４ 第２の酸化物層
３５ 第２の高屈折率層
１００ 電磁波遮蔽膜
２００ 一括して成膜した高屈折率層
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
＜電磁波遮蔽積層体＞
以下、本発明の実施の形態に係る電磁波遮蔽積層体の例を図面に示し、詳細に説明する。
【００１５】
［第１の実施形態］
図１に、本発明の第１の実施形態に係る電磁波遮蔽積層体１を示す。なお、図１における各寸法比は、説明の便宜上実際と異なるものとなっている。この電磁波遮蔽積層体１は、透明な基材２上に電磁波遮蔽膜１００、・、・、・が設けられている。
本実施形態では、電磁波遮蔽膜１００が４積層された構成となっている。
【００１６】
（基材）
基材２の材質としては、平滑透明で、可視光線を透過し得るものであればよい。例えば、プラスチックガラス等が挙げられる。
プラスチックとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、トリアセチルセルロース、ポリエーテルスルホン、ポリメチルメタクリレート等を挙げることができる。
基材２の厚さは用途に応じて適宜選定される。例えば、フィルムでもよいし、板状でもよい。また、基材２は、単一の層で構成してもよいし、複数層の積層体としてもよい。
基材２は、別のガラス板、プラスチック板等に粘着剤等で貼り付けて使用してもよい。例えば、薄いフィルム状のプラスチックの基材２を別のプラスチック板、ガラス板等に貼り付けてもよいし、ガラス板の基材２を別のガラス板、プラスチック板等に貼り付けてもよい。
【００１７】
（電磁波遮蔽膜）
基材２の上に設けられる電磁波遮蔽膜１００、・、・、・は、各々第１の高屈折率層３１と、第１の高屈折率層３１上に設けた第１の酸化物層３２と、第１の酸化物層３２上に設けた導電層３３と、導電層３３上に設けた第２の高屈折率層３５とから基本的に構成されている。本実施形態では、さらに導電層３３と第２の高屈折率層３５との間に、第２の酸化物層３４が設けられ、各々第１の高屈折率層３１と、第１の酸化物層３２と、導電層３３と、第２の酸化物層３４と、第２の高屈折率層３５とから電磁波遮蔽膜１００、・、・、・が構成されている。
【００１８】
（高屈折率層）
第１の高屈折率層３１、・、・、・と第２の高屈折率層３５、・、・、・は、屈折率が２．０以上である物質によって構成されている。該屈折率は、２．０以上、２．７以下であることが好ましい。第１の高屈折率層３１、・、・、・または第２の高屈折率層３５、・、・、・の屈折率を２．０以上とすることにより、電磁波遮蔽膜１００、・、・、・の積層数を増やしても可視光透過率を高く維持することができる。
なお、本明細書における屈折率（ｎ）とは、波長５５０ｎｍにおける屈折率をいう。
【００１９】
第１の高屈折率層３１、・、・、・または第２の高屈折率層３５、・、・、・の材料としては、例えば、酸化ニオブ（ｎ：２．３５）、酸化チタン（ｎ：２．４５）、酸化タンタル（ｎ：２．１〜２．２）等が挙げられるが、そのなかでも酸化ニオブ、酸化チタンが好ましく、酸化ニオブがより好ましい。第１の高屈折率層３１、・、・、・または第２の高屈折率層３５、・、・、・を酸化ニオブを主成分とする層とすることにより、水の浸透量が減り、電磁波遮蔽膜１００、・、・、・の耐湿性を向上させることができる。特に、第１の高屈折率層３１、・、・、・または第２の高屈折率層３５、・、・、・が、酸化ニオブを主成分とする層であることが、上記効果が大きいことからも好ましい。
【００２０】
また、第１の高屈折率層３１、・、・、・または第２の高屈折率層３５、・、・、・は、結晶質であっても構わないし、アモルファス状態であっても構わない。そのなかでも、アモルファス状態が好ましい。第１の高屈折率層３１、・、・、・または第２の高屈折率層３５、・、・、・をアモルファス状態とすることにより、結晶粒界を介しての水の浸透が減少し、電磁波遮蔽膜１００、・、・、・の耐湿性をさらに向上させることができる。
【００２１】
第１の高屈折率層３１、・、・、・の幾何学的膜厚は、２０〜５０ｎｍが好ましく、３０〜４０ｎｍがより好ましい。また、第２の高屈折率層３５、・、・、・の幾何学的膜厚は、２０〜５０ｎｍが好ましく、３０〜４０ｎｍがより好ましい。
【００２２】
なお、本実施形態では、透明な基材２上に電磁波遮蔽膜１００が４積層された構成となっているため、１積層目の電磁波遮蔽膜１００における第２の高屈折率層３５の上に、２積層目の電磁波遮蔽膜１００における第１の高屈折率層３１が直接積層されている。この場合、第２の高屈折率層３５と第１の高屈折率層３１とは、互いに同じ組成を有するものである。図１では、各々第２の高屈折率層３５と第１の高屈折率層３１とを合わせて、一括して成膜した高屈折率層２００、・、・、・として示している。また、必要に応じて、第１の高屈折率層３１と第２の高屈折率層３５を２回以上の操作で成膜してもよい。
【００２３】
可視光反射率を低減し、また低反射率が得られる波長帯域を拡げる観点から、１積層目の第１の高屈折率層３１と最終積層目の第２の高屈折率層３５の各膜厚は、高屈折率層２００、・、・、・の膜厚より薄い（１／２程度の厚さ）ことが好ましい。また、それぞれの層の膜厚は、基材を含めた全体の光学特性を調整するために、適宜調整される。
【００２４】
第１の高屈折率層３１、・、・、・または第２の高屈折率層３５、・、・、・の形成方法としては、例えば、金属酸化物の還元性のターゲットを用いてスパッタリング法により形成する方法、イオンプレーティング法、蒸着法、ＣＶＤ法等が挙げられる。これらの中でも、酸化ニオブの還元性のターゲットを用いて、スパッタリング法により形成する方法は、酸化ニオブ層を導電層３３、・、・、・上に形成する際の導電層３３、・、・、・の酸化を防止でき、高速かつ大面積に均一に形成できる点で有利である。
【００２５】
なお、ここで使った酸化ニオブの還元性ターゲットとは、酸化ニオブの化学量論的組成に対して酸素が欠乏しているターゲットである。具体的には、Ｎｂ２ＯＸ（０＜Ｘ＜５）の式で表される組成を有するもので、導電性を有しており直流スパッタリング法により放電、成膜できるものがより好ましい。また、金属ニオブをターゲットとして、酸素雰囲気下でスパッタリングする方法を採用することもできる。
【００２６】
還元性のターゲットを用いる場合には、スパッタガスとして、５〜２０体積％の酸化性ガスを含む不活性ガスを用いるのが好ましい。酸化性ガスとしては、酸素ガスが一般的に用いることができるが、一酸化窒素、二酸化窒素、一酸化炭素、二酸化炭素、オゾン等を用いることもできる。
【００２７】
（酸化物層）
＜第１の酸化物層＞
第１の酸化物層３２、・、・、・は、酸化亜鉛を主成分とする物質によって構成されている。酸化亜鉛を主成分とする物質は、その結晶構造が、導電層３３、・、・、・を構成する銀の結晶構造と近い。従って、酸化亜鉛を主成分とする材料からなる酸化物層の上に銀を積層すると結晶性の良い銀が得られる。結晶性の良い銀はマイグレーションの発生が低減できると考えられる。以上から、第１の酸化物層３２、・、・、・を酸化亜鉛を主成分とする材料にすることにより、銀のマイグレーションが抑制され、第１の酸化物層３２、・、・、・と導電層３３、・、・、・との密着性を維持することができる。密着性を維持できることにより、界面への水分の侵入を抑えることができ、銀の耐湿性が良好になる。本発明における電磁波遮蔽膜１００、・、・、・が（酸化亜鉛を主成分とする材料からなる）第２の酸化物層を含む場合、結晶性の良い銀からなる導電層３３、・、・、・と（酸化亜鉛を主成分とする材料からなる）第２の酸化物層３４、・、・、・との界面でも、同様に密着性を維持することができ、耐湿性がさらに良好になる。
【００２８】
ここで、銀のマイグレーションとは、銀が拡散し凝集することを意味する。銀が凝集すると耐湿性が不良になると同時に、凝集した部分が白化し外観が不良となる。
【００２９】
酸化亜鉛を主成分とする物質とは、酸化亜鉛が８０原子％以上、好ましくは９０原子％以上含まれることを意味する。具体的には、実質的に酸化亜鉛（ＺｎＯ）のみからなるものであってもよいし、酸化亜鉛を主成分とし、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を含有する酸化物（以下、ＡＺＯという。）、酸化亜鉛を主成分とし、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）を含有する酸化物（以下、ＧＺＯという。）等が挙げられる。そのなかでもＡＺＯ、ＧＺＯが酸化物層の耐久性の点で好ましく、ＡＺＯが銀の結晶構造とより近いことから、最も好ましい。
【００３０】
成膜したＡＺＯに含まれるアルミニウムは、酸化アルミニウムと酸化亜鉛との総量に対して１〜１０原子％であることが好ましく、２〜６原子％であることがより好ましい。一般に、酸化亜鉛単体から形成される膜は内部応力が大きい。内部応力が大きいと、第１の酸化物層３２、・、・、・に割れが生じ易く、この部分を介して水分が浸入しやすくなる。
【００３１】
酸化アルミニウム含有量を１原子％以上にすることにより、第１の酸化物層３２、・、・、・の内部応力を低減することができ、割れが生じる可能性を小さくすることができる。酸化アルミニウム含有量を１０原子％以下にすることにより、酸化亜鉛の結晶構造を保つことができる。
【００３２】
第１の酸化物層３２、・、・、・の幾何学的膜厚は、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましく、３ｎｍ以上６ｎｍ以下であることがより好ましい。第１の酸化物層３２、・、・、・の幾何学膜厚を１０ｎｍ以下とすることで、隣接する第１の高屈折率層３１、・、・、・の効果を損なうことがないので好ましい。
【００３３】
導電層３３、・、・、・において、結晶性の良い銀を得るためには下地の影響が大きいため、第１の酸化物層３２、・、・、・の幾何学的膜厚は、大きいことが好ましい。本発明の電磁波遮蔽積層体が、第２の酸化物層を有する場合、第１の酸化物層３２、・、・、・の幾何学的膜厚は、第２の酸化物層３４、・、・、・の幾何学的膜厚より大きいことが好ましい。
【００３４】
第１の酸化物層３２、・、・、・の形成方法としては、真空蒸着法、反応性蒸着法、イオンビームアシスト蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理気相折出法、プラズマＣＶＤ法等の化学気相折出法等が挙げられる。そのなかでも、ＤＣスパッタリング法は、膜厚の制御が比較的容易であること、低温基材上に形成しても実用的な膜強度が得られること、大面積化が容易なこと、いわゆるインライン型の設備を用いれば積層膜の形成が容易なこと等の点から好ましい。
【００３５】
＜第２の酸化物層＞
第２の酸化物層３４、・、・、・は、金属酸化物を主成分とする物質によって構成されている。金属酸化物としては、酸化亜鉛を主成分とする物質、酸化チタンを主成分とする物質、酸化インジウムを主成分とする物質等が好ましく挙げられる。酸化亜鉛を主成分とする物質を第２の酸化物層３４、・、・、・に用いた場合、第１の酸化物層と銀からなる導電層３３、・、・、・との界面の場合と同様に、結晶性の良い銀からなる導電層３３、・、・、・と酸化亜鉛を主成分とする材料からなる第２の酸化物層３４、・、・、・との界面では、密着性を維持することができ、耐湿性がさらに良好になるので好ましい。
【００３６】
第２の酸化物層３４、・、・、・としては、酸化チタン、ＡＺＯ、ＧＺＯ、酸化インジウムを主成分とし酸化スズ（ＳｎＯ２）を含有する酸化物がより好ましく挙げられる。そのなかでも、ＡＺＯ、ＧＺＯが酸化物層の耐久性の点で好ましく、ＡＺＯが銀の結晶構造とより近いことから、最も好ましい。
【００３７】
成膜したＡＺＯに含まれるアルミニウムは、酸化アルミニウムと酸化亜鉛との総量に対して１〜１０原子％であることが好ましく、２〜６原子％であることがより好ましい。一般に、酸化亜鉛単体から形成される膜は内部応力が大きい。内部応力が大きいと、第２の酸化物層３４、・、・、・に割れが生じ易く、この部分を介して水分が浸入しやすくなる。
【００３８】
酸化アルミニウム含有量を１原子％以上にすることにより、第２の酸化物層３４、・、・、・の内部応力を低減することができ、割れが生じる可能性を小さくすることができる。酸化アルミニウム含有量を１０原子％以下にすることにより、酸化亜鉛の結晶構造を保つことができる。
【００３９】
第２の酸化物層３４、・、・、・の幾何学的膜厚は、１ｎｍ以上６ｎｍ以下であることが好ましく、２ｎｍ以上４ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００４０】
第２の酸化物層３４、・、・、・の形成方法としては、真空蒸着法、反応性蒸着法、イオンビームアシスト蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理気相折出法、プラズマＣＶＤ法等の化学気相折出法等が挙げられる。そのなかでも、ＤＣスパッタリング法は、膜厚の制御が比較的容易であること、低温基材上に形成しても実用的な膜強度が得られること、大面積化が容易なこと、いわゆるインライン型の設備を用いれば積層膜の形成が容易なこと等の点から好ましい。
【００４１】
（導電層）
導電層３３、・、・、・は、銀を主成分とする物質によって構成されている。ここで、銀を主成分とする物質とは、該物質に含まれる全金属に対して、銀の含有量が９９．８原子％以上であることを意味する。銀を主成分とする物質としては、銀単体、銀にパラジウム、白金、金、イリジウム、ロジウム、銅およびビスマスから選ばれる少なくとも一種の金属が混入されている合金が挙げられる。銀の含有量が９９．８原子％以上であることにより、導電層３３、・、・、・の膜厚を薄くしても電磁波遮蔽積層体１の抵抗値を低くすることができる。さらに、電磁波遮蔽膜１００、・、・、・の積層数が少なくても抵抗値を低くできるため、抵抗値が低く、かつ、可視光透過率が高い電磁波遮蔽積層体１を得ることができる。
【００４２】
導電層３３、・、・、・における銀の含有量は９９．８原子％以上であることが好ましく、さらに９９．９原子％以上の銀単体であることがコスト面からも最も好ましい。
導電層３３、・、・、・の幾何学的膜厚は５〜２０ｎｍが好ましい。各導電層３３の幾何学的膜厚は同じであっても異なっていてもよい。
導電層３３、・、・、・の形成は、スパッタリング法、蒸着法等の各種の方法にしたがって行うことができる。特に、成膜速度が速く、かつ大面積に均一な厚さで均一な質の層を形成することができる点から、直流スパッタリング法によって形成するのが好ましい。
【００４３】
基材２上に積層される電磁波遮蔽膜１００の積層数は、充分な電磁波遮蔽能を有するために２以上とすることが好ましい。２以上とすることにより充分な電磁波遮蔽性能を得ることができる。さらに、３以上積層されていることが好ましい。また、高い可視光透明性を維持することができることから、電磁波遮蔽膜１００の積層数は８以下であることが好ましい。上記の観点から、特に積層数が３以上６以下であることが最も好ましい。
【００４４】
＜ディスプレイ装置＞
以下、本発明の実施の形態に係るディスプレイ装置について、詳細に説明する。
【００４５】
［第２の実施形態］
本発明の第２の実施形態に係るディスプレイ装置は、画像を表示するためのディスプレイ画面と、ディスプレイ画面の視認側に設けられた電磁波遮蔽積層体とを備えている。
ディスプレイ装置としては、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）、陰極管表示装置（ＣＲＴ）等が挙げられる。
【００４６】
画像を表示するためのディスプレイ画面の視認側は、一般に、ガラス基板、プラスチック基板等の透明基板で構成されている。電磁波遮蔽積層体としては、本発明の電磁波遮蔽積層体であれば特に制限はないが、例えば、第１の実施形態の電磁波遮蔽積層体１を用いることができる。
【００４７】
電磁波遮蔽積層体は、ディスプレイ画面の視認側表面に粘着剤等を用いて直接貼着してもよいし、ディスプレイ画面との間に隙間を置いて設置してもよい。
【００４８】
また、ディスプレイ画面の視認側に、新たにガラス、プラスチック等からなる前面板を設置し、前面板の視認側またはディスプレイ側に電磁波遮蔽積層体を直接貼着してもよい。また、前面板の視認側またはディスプレイ側に、前面板との間に隙間を置いて電磁波遮蔽積層体を設置してもよい。
【００４９】
［第３の実施形態］
本発明の第３の実施形態に係るディスプレイ装置は、画像を表示するためのディスプレイ画面と、ディスプレイ画面の視認側の面上に設けられた電磁波遮蔽膜とから構成されている。
【００５０】
このようなディスプレイ装置としては、例えば、
（１）電磁波遮蔽膜が、ディスプレイ画面の視認側の面上から順に、屈折率が２．０以上である物質からなる第１の高屈折率層、酸化亜鉛を主成分とする第１の酸化物層、銀を主成分とする導電層および屈折率が２．０以上である物質からなる第２の高屈折率層を有するディスプレイ装置や、
（２）該電磁波遮蔽膜が、導電層と第２の高屈折率層との間に、第２の酸化物層を有するディスプレイ装置や、
（３）該電磁波遮蔽膜の第１または第２の高屈折率層が酸化ニオブを主成分とする層であるディスプレイ装置や、
（４）該電磁波遮蔽膜の導電層における銀の含有量が９９．８原子％以上であるディスプレイ装置や、
（５）該電磁波遮蔽膜が、基材側から３以上積層されたディスプレイ装置などが挙げられる。
この場合、ディスプレイ画面の視認側は、一般に、ガラス基板、プラスチック基板等の透明基板で構成されている。
【００５１】
また、電磁波遮蔽膜としては、例えば、第１の実施形態の電磁波遮蔽膜１００、・、・、・を用いることができる。この場合、ディスプレイ画面の視認側の面上に、第１の高屈折率層３１、第１の酸化物層３２、導電層３３、第２の酸化物層３４、第２の高屈折率層３５の順番で積層する。
電磁波遮蔽膜は、蒸着法、スパッタリング法などにより、直接ディスプレイ画面の視認側表面上に形成することができる。
【実施例】
【００５２】
以下、実施例により、本発明をさらに詳しく説明する。
【００５３】
［実施例１］
透明基材として、高透過の光学用途向けフィルムであるポリエチレンテレフタレートフィルム（以下、ＰＥＴという。厚さ１００μｍ）を使用した。
スパッタ成膜には、Ｗｅｂ ｃｏａｔｅｒ成膜装置（平野光音（株）社）を用いた。ターゲットのサイズは５０ｍｍ×１９５ｍｍで、基材の搬送は長巻のフィルム基材を送り出し、ガイドロールを介し、キャンロール位置でスパッタして、ガイドロールを介し再び巻き取るロール・ツー・ロール方式で行った。スパッタ電源は、ＤＣ放電（ＡＥ社ＭＤＸ−１０Ｋ、ＥＮＩ社ＲＰＧ−１００）で成膜を行った。
【００５４】
フィルム基材上に基材側から、高屈折率層（１）／酸化物層（１）／導電層／酸化物層（２）／高屈折率層（２）／酸化物層（１）／導電層／酸化物層（２）／高屈折率層（２）／酸化物層（１）／導電層／酸化物層（２）／高屈折率層（２）／酸化物層（１）／導電層／酸化物層（２）／高屈折率層（１）の順に、電磁波遮蔽膜を４積層成膜させた。詳しい成膜条件は表１に示す。
【００５５】
【表１】
【００５６】
高屈折率層（１）および高屈折率層（２）は、酸化ニオブ（旭硝子セラミックス社製ＮＳ−ＮＢＯ）をターゲットとしてＤＣ放電で成膜した。酸化物層（１）および酸化物層（２）は、酸化亜鉛に酸化アルミニウムを３質量％添加したもの（旭硝子セラミックス社製）をターゲットとしてＤＣ放電で成膜した。また、導電層は、純度９９．９原子％の銀をターゲットに用いてＤＣ放電で成膜した。
【００５７】
なお、得られた電磁波遮蔽積層体の酸化物層中の亜鉛とアルミニウムの含有率は、ターゲット中に含まれる亜鉛とアルミニウムの含有率とほぼ同じとなる。
【００５８】
成膜速度の調整は、基材の搬送速度で行い、成膜速度の遅い材料の場合は数回の往復成膜を繰り返して、所望の膜厚にした。膜厚は、触針式膜厚計（Ｄｅｋｔａｋ３ｓｔＵＬＶＡＣ社代理店）を用いて測定した。得られた膜厚の結果を表１に示す。
【００５９】
＜評価＞
（１）可視光透過率
得られた電磁波遮蔽積層体の可視光透過率は、朝日分光社製のＭｏｄｅｌ３０４型透過率計を用いて測定した。可視光透過率の測定結果を下記表２に示す。
（２）抵抗値
得られた電磁波遮蔽積層体の抵抗値は、ＤＥＬＣＯＭ社製７１７ｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅ ｍｏｎｉｔｏｒを用いて測定した。抵抗値の測定結果を下記表２に示す。
（３）耐湿性
耐湿性評価にはＮａＣｌ試験を用いた。まず、２質量％ＮａＣｌ水溶液１μリットルを電磁波遮蔽積層体の電磁波遮蔽膜上に滴下した後、乾燥させた。その後、電磁波遮蔽膜上に粘着材（ポラテクノ社製ＡＤＣ２または有沢製作所社製ＰＴＲ２５００、厚さ２５μｍ）付きＰＥＴフィルム（厚さ１００μｍ）を張り合わせ、温度６０℃相対湿度９５％の恒温恒湿槽に１００時間保存した後、取り出してＰＥＴフィルムを剥した。劣化して剥離した部分の面積をノギスで測定した。劣化面積の測定結果を下記表２に示す。
【００６０】
［比較例１］
高屈折率層（１）の上に酸化物層（１）を形成させることなく、高屈折率層（１）の上に直接導電層を実施例１と同様の成膜条件で形成させた。それ以外は、実施例１と同様にして電磁波遮蔽積層体を作製した。
得られた電磁波遮蔽積層体について、実施例１と同様の方法で、可視光透過率、抵抗値、耐湿性の評価を行った。可視光透過率、抵抗値、耐湿性の測定結果を下記表２に示す。
【００６１】
［比較例２］
酸化物層（１）および酸化物層（２）を形成させることなく、高屈折率層（１）と高屈折率層（２）との間に直接導電層を実施例１と同様の成膜条件で形成させた。それ以外は、実施例１と同様にして電磁波遮蔽積層体を作製した。
得られた電磁波遮蔽積層体について、実施例１と同様の方法で、可視光透過率、抵抗値、耐湿性の評価を行った。可視光透過率、抵抗値、耐湿性の測定結果を下記表２に示す。
【００６２】
【表２】
【００６３】
実施例１と比較例１の結果を比較すると、実施例１は、可視光透過率、抵抗値が比較例１とほぼ同等であり、良好な電磁波遮蔽積層体であることが確認された。また、ＮａＣｌ試験による劣化面積について、実施例１の劣化面積は比較例１の劣化面積の１／６であり、実施例１は耐湿性に優れていることが確認された。また、この結果から、高屈折率層（１）と導電層との間に酸化物層（１）を形成させることで、電磁波遮蔽膜の耐湿性が向上することが確認された。
【００６４】
次に、実施例１と比較例２の結果を比較すると、実施例１は、可視光透過率、抵抗値が比較例２とほぼ同等であったが、ＮａＣｌ試験による劣化面積については、実施例１の劣化面積は比較例２の劣化面積の１／３８であり、実施例１は耐湿性に優れていることが確認された。この結果から、酸化物層（１）および酸化物層（２）の存在が、電磁波遮蔽膜の耐湿性の向上に大きく寄与することが確認された。
【００６５】
以上の結果から、実施例１で得られた電磁波遮蔽積層体は、可視光透過率が高く、抵抗値も低く、また、耐湿性にも優れた電磁波遮蔽積層体であることが確認された。
【００６６】
［実施例２］
成膜条件を表３に示す条件とする以外は、実施例１と同様にして電磁波遮蔽積層体を作製した。
得られた電磁波遮蔽積層体について、実施例１と同様の方法で、耐湿性の評価を行った。耐湿性の測定結果を表６に示す。
【００６７】
【表３】
【００６８】
［実施例３］
成膜条件を表４に示す条件とする以外は、実施例１と同様にして電磁波遮蔽積層体を作製した。
高屈折率層（１）および（２）は、還元型酸化チタン（ＴＸＯ）ターゲット（旭硝子セラミックス社製）を用いＤＣ放電で成膜した。
得られた電磁波遮蔽積層体について、実施例１と同様の方法で、耐湿性の評価を行った。耐湿性の測定結果を表６に示す。
【００６９】
【表４】
【００７０】
［比較例３］
成膜条件を表５に示す条件とし、高屈折率層（１）および（２）に代えてＡＺＯ層（屈折率：１．９３）（１）および（２）とする以外は、実施例１と同様にして電磁波遮蔽積層体を作成した。
ＡＺＯ層（１）および（２）は、酸化亜鉛に酸化アルミニウムを３質量％添加したもの（旭硝子セラミックス社製）をターゲットとしてＤＣ放電で成膜した。
なお、得られた電磁波遮蔽積層体の酸化物層中の亜鉛とアルミニウムの含有率は、ターゲット中に含まれる亜鉛とアルミニウムの含有率とほぼ同じとなる。
得られた電磁波遮蔽積層体について、実施例１と同様の方法で、耐湿性の評価を行った。耐湿性の測定結果を表６に示す。
【００７１】
【表５】
【００７２】
【表６】
【００７３】
高屈折率層の材料として酸化ニオブを用いた実施例２と高屈折率層の材料として酸化チタンを用いた実施例３では、ＮａＣｌを滴下した周辺のみが劣化していて、劣化面積が小さかった。酸化二オブと、酸化チタンとを比較すると、劣化面積は酸化ニオブの方が小さく、耐久性がより優れていた。高屈折率層に代えてＡＺＯ層とした比較例３では、ＮａＣｌを滴下した周辺が劣化するだけでなく、滴下部分から成膜面の広い領域にわたってクラックが発生し、劣化面積が大きくなった。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明の電磁波遮蔽積層体は、ディスプレイ装置用等のフィルタとして有用である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な基材上に電磁波遮蔽膜が設けられた電磁波遮蔽積層体であって、
前記電磁波遮蔽膜が、前記基材側から順に、屈折率が２．０以上である物質からなる第１の高屈折率層、
酸化亜鉛を主成分とする第１の酸化物層、
銀を主成分とする導電層
および屈折率が２．０以上である物質からなる第２の高屈折率層を有することを特徴とする電磁波遮蔽積層体。
【請求項２】
前記電磁波遮蔽膜が、前記導電層と前記第２の高屈折率層との間に、
第２の酸化物層を有する請求項１に記載の電磁波遮蔽積層体。
【請求項３】
前記第１または第２の高屈折率層が酸化ニオブを主成分とする層である請求項１または２に記載の電磁波遮蔽積層体。
【請求項４】
前記導電層における銀の含有量が９９．８原子％以上である請求項１、２または３に記載の電磁波遮蔽積層体。
【請求項５】
前記第２の酸化物層が酸化亜鉛を主成分とする酸化物層である請求項２〜４いずれか一項に記載の電磁波遮蔽積層体。
【請求項６】
前記電磁波遮蔽膜が、前記基材側から３以上積層された請求項１〜５のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽積層体。
【請求項７】
透明な基材上に電磁波遮蔽膜が２以上積層された電磁波遮蔽積層体であって、
前記電磁波遮蔽膜が、前記基材側から順に、屈折率が２．０以上である物質からなる第１の高屈折率層、
酸化亜鉛を主成分とする第１の酸化物層、
銀を主成分とする導電層
および屈折率が２．０以上である物質からなる第２の高屈折率層
を有し、前記電磁波遮蔽膜間で直接接する前記第１の高屈折率層と前記第２の高屈折率層が一括して成膜された１つの層からなることを特徴とする電磁波遮蔽積層体。
【請求項８】
前記各電磁波遮蔽膜が、前記導電層と前記第２の高屈折率層との間に、
第２の酸化物層を有する請求項７に記載の電磁波遮蔽積層体。
【請求項９】
前記第１または第２の高屈折率層が酸化ニオブを主成分とする層である請求項７または８に記載の電磁波遮蔽積層体。
【請求項１０】
画像を表示するためのディスプレイ画面と、
該ディスプレイ画面の視認側に設けられた請求項１〜９のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽積層体とを備えることを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項１】
透明な基材上に電磁波遮蔽膜が設けられた電磁波遮蔽積層体であって、
前記電磁波遮蔽膜が、前記基材側から順に、屈折率が２．０以上である物質からなる第１の高屈折率層、
酸化亜鉛を主成分とする第１の酸化物層、
銀を主成分とする導電層
および屈折率が２．０以上である物質からなる第２の高屈折率層を有することを特徴とする電磁波遮蔽積層体。
【請求項２】
前記電磁波遮蔽膜が、前記導電層と前記第２の高屈折率層との間に、
第２の酸化物層を有する請求項１に記載の電磁波遮蔽積層体。
【請求項３】
前記第１または第２の高屈折率層が酸化ニオブを主成分とする層である請求項１または２に記載の電磁波遮蔽積層体。
【請求項４】
前記導電層における銀の含有量が９９．８原子％以上である請求項１、２または３に記載の電磁波遮蔽積層体。
【請求項５】
前記第２の酸化物層が酸化亜鉛を主成分とする酸化物層である請求項２〜４いずれか一項に記載の電磁波遮蔽積層体。
【請求項６】
前記電磁波遮蔽膜が、前記基材側から３以上積層された請求項１〜５のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽積層体。
【請求項７】
透明な基材上に電磁波遮蔽膜が２以上積層された電磁波遮蔽積層体であって、
前記電磁波遮蔽膜が、前記基材側から順に、屈折率が２．０以上である物質からなる第１の高屈折率層、
酸化亜鉛を主成分とする第１の酸化物層、
銀を主成分とする導電層
および屈折率が２．０以上である物質からなる第２の高屈折率層
を有し、前記電磁波遮蔽膜間で直接接する前記第１の高屈折率層と前記第２の高屈折率層が一括して成膜された１つの層からなることを特徴とする電磁波遮蔽積層体。
【請求項８】
前記各電磁波遮蔽膜が、前記導電層と前記第２の高屈折率層との間に、
第２の酸化物層を有する請求項７に記載の電磁波遮蔽積層体。
【請求項９】
前記第１または第２の高屈折率層が酸化ニオブを主成分とする層である請求項７または８に記載の電磁波遮蔽積層体。
【請求項１０】
画像を表示するためのディスプレイ画面と、
該ディスプレイ画面の視認側に設けられた請求項１〜９のいずれか一項に記載の電磁波遮蔽積層体とを備えることを特徴とするディスプレイ装置。
【図１】
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０２０６５５
【国際公開日】平成１７年３月３日（２００５．３．３）
【発行日】平成１９年１１月１日（２００７．１１．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−５１３３１０（Ｐ２００５−５１３３１０）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００４／０１２０１４
【国際出願日】平成１６年８月２０日（２００４．８．２０）
【出願人】（０００００００４４）旭硝子株式会社 (2,665)
【Ｆターム（参考）】
【国際公開日】平成１７年３月３日（２００５．３．３）
【発行日】平成１９年１１月１日（２００７．１１．１）
【国際特許分類】
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００４／０１２０１４
【国際出願日】平成１６年８月２０日（２００４．８．２０）
【出願人】（０００００００４４）旭硝子株式会社 (2,665)
【Ｆターム（参考）】
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