【課題】窒化ガリウム層を備える黒鉛材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛材１は、膨張黒鉛シート２と、膨張黒鉛シート２の上に配された、結晶性窒化ガリウム層３とを備える。黒鉛材１の製造方法は、膨張黒鉛シート２を準備する工程と、膨張黒鉛シート２の上に、結晶性窒化ガリウム層３を形成する工程と、を備える。結晶性窒化ガリウム層３は、有機金属気相成長法により、膨張黒鉛シート２の上に窒化ガリウムの結晶をエピタキシャル成長させてなる。 （もっと読む）

【課題】軽量で可撓性を有する光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１は、蓄電部１０と、受光部２０と、半導体層４０と、膨張黒鉛シート３とを備える。蓄電部１０は、正極２、負極４、及び電解質６を有する。電解質６は、正極２と負極４との間に配されている。受光部２０は、正極２の上に配されている。受光部２０は、第１の半導体からなる。半導体層４０は、負極４の上に配されている。半導体層４０は、第２の半導体からなる。膨張黒鉛シート３は、蓄電部１０の正極２と電解質６との間に配されている。 （もっと読む）

【課題】引張強度の向上した膨張黒鉛シートを提供する。また、引張強度の向上した膨張黒鉛シートを炭素質ルツボの中敷として使用することにより、作業時間が格段に低減し、しかも、シートを破損することなくルツボの内面に隙間なく覆うことが可能であると共に、ルツボの大型化にも適した炭素質ルツボの保護方法並びに単結晶引き上げ装置を提供する。
【解決手段】膨張黒鉛シート１０は、膨張黒鉛材料からなる基材１１の少なくとも片面に、炭素繊維からなる補強材１２が積層状に形成されていることを特徴とする。上記膨張黒鉛シート１０を、石英ルツボと該石英ルツボが載置される炭素質ルツボとの間に介在させて炭素質ルツボの内面を覆う中敷に使用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスの頻度が低減されるとともに動作不良の発生が防止された電解装置を提供する。
【解決手段】電解装置１０は電解槽１１を備える。ＨＦを含む電解浴１２が電解槽１１に収容される。電解槽１１内で電解浴１２の上部に形成される空間ＳＰにＨＦ供給管１８ａの供給口１８ｄから気体状のＨＦが供給される。ＨＦ供給管１８ａからのＨＦの供給時には、電解槽１１内の空間ＳＰの圧力が制御部２３によりＨＦの蒸気圧よりも高く制御される。 （もっと読む）

【課題】発熱体と放熱体との間で締め付けを行わない場合や、当該締め付けの圧力が小さい場合であっても、放熱性を飛躍的に向上させることができる放熱構造体を提供することを目的とする。
【解決手段】ＣＰＵ１と、ヒートシンク４と、これらＣＰＵ１とヒートシンク４との間に配設された膨張黒鉛シート２とを備える放熱構造体であって、上記ＣＰＵ１と上記膨張黒鉛シート２との間には、黒鉛化された炭素を含む接着層３が存在することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安全性を確保しつつ粉体を均一に処理することが可能な粉体攪拌装置を提供する。
【解決手段】粉体攪拌装置２０は、反応容器１００および回転駆動装置２００を含む。反応容器１００は、円筒形状の外周壁１１０および一対の端面壁１１１を有する。外周壁１１０の一端および他端にそれぞれ端面壁１１１が設けられる。反応容器１００は、外周壁１１０の軸心が水平方向に平行になるように断熱カバー４００内に配置される。外周壁１１０は、その軸心に関して回転対称な内周面を有する。粉体処理時には、反応容器１００内に粉体が収容され、反応容器１００が回転駆動装置２００により外周壁１１０の軸心を通る回転軸Ｒ１の周りで回転される。この状態で、反応容器１００内に処理ガスが供給される。また、反応容器１００内の処理ガスが排出される。 （もっと読む）

【課題】安全性を確保しつつ粉体の処理効率を十分に高めることが可能な粉体処理装置および粉体処理方法を提供する。
【解決手段】反応容器２内には、処理用空間ＳＰが設けられる。反応容器２の下端部に、気体導入口２ａが設けられる。気体導入口２ａには、分散板４が取り付けられる。反応容器２の下部側面には、気体導入口２ｂが設けられる。反応容器２内の分散板４上に粉体１０が収容された状態で、気体導入口２ａから分散板４を通して処理用空間ＳＰに窒素ガスが導入されるとともに、気体導入口２ｂから分散板４を通さずに処理用空間ＳＰに処理用ガスが導入される。 （もっと読む）

【課題】粉体を処理ガスで均一に処理することが可能な粉体処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器１０内において上昇搬送路６０が上下方向に螺旋状に延びる。上昇搬送路６０は、粉体が移動するための帯状搬送部６１を有する。粉体が粉体供給部３により上昇搬送路６０に供給される。上昇搬送路６０が振動モータ４０により振動されることにより、上昇搬送路６０に供給された粉体が上昇搬送路６０に沿って移動される。上昇搬送路６０内で移動する粉体の高さが高さ規制部材６４により規制されるとともに粉体が撹拌される。処理容器１０では、上昇搬送路６０に供給された粉体が移動中に処理ガスにて処理される。処理された粉体は粉体回収部４で回収される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に単結晶ＳｉＣのエピタキシャル層を形成する構成の半導体ウエハの製造方法であって、製造コストの低減及び半導体ウエハの大口径化を実現する方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの製造方法は、カーボン層形成工程と、貫通孔形成工程と、フィード層形成工程と、エピタキシャル層形成工程と、を含む。カーボン層形成工程では、多結晶ＳｉＣで構成される基板７０の表面にカーボン層７１を形成する。貫通孔形成工程では、基板７０に形成されたカーボン層７１に貫通孔を形成する。フィード層形成工程では、カーボン層７１の表面にＳｉ層７２ａ及び３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層７３を形成する。エピタキシャル層形成工程では、基板７０を加熱することで、貫通孔を通じて露出した基板７０の表面に４Ｈ−ＳｉＣ単結晶で構成される種結晶７４を形成し、前記種結晶７４を近接液相エピタキシャル成長させて４Ｈ−ＳｉＣ単結晶層７４ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】簡潔な処理によってＢ型酸化チタン（TiO₂(B)）粉末の充放電特性ならびにレート特性を向上させ、好適にリチウムイオン電池の負極材料として用いることのできるＢ型酸化チタン粉末を提供すること。
【解決手段】Ｂ型酸化チタン粉末を０℃〜２００℃にて、１分〜１０日、フッ素含有ガス雰囲気下にて反応させ、表面がフッ素化されたＢ型酸化チタン粉末を得る。フッ素化処理は、０．０１ａｔｍ〜２ａｔｍで行われることが好ましい。フッ素含有ガスとしてはフッ素（Ｆ_２）、三フッ化窒素（ＮＦ_３）、三フッ化メトキシ窒素（Ｎ（ＣＦ_３）_３）、三フッ化塩素（ＣｌＦ₃）ガス等から選択されるフッ素化合物を含有するガスを用いることが好ましい。 （もっと読む）