【課題】ディスク装置をエミュレートするソリッドステートメモリを提供すること。
【解決手段】ディスク装置をエミュレートするソリッドステートメモリであって、論理セクタアドレスをメインメモリアドレスに変換する変換手段と、ブロック単位で消去可能な不揮発性メモリセルから構成されるメインメモリとを備え、メインメモリ内の書き込まれていない位置を指すために第一のポインタが使用され、前記書き込まれていない位置を含む消去可能ブロックの次の消去されていない消去可能ブロックを指すために第二のポインタが使用され、第一のポインタと第二のポインタの間に少なくとも一つの消去状態の消去可能ブロックが常にあることを保証すべく制御手段が設けられていることを特徴とするソリッドステートメモリ。 （もっと読む）

【課題】 読み出しおよび書き込み操作を行う際にかかる時間を短縮するために、非揮発性メモリをセクタフォーマットで組織化されたデジタル情報の記憶用に採用し、それによりシステムの全体的な性能を上げ、同時にこのデジタルシステムの製造経費を削減する、デジタルシステムを提供する
【解決手段】コントローラはセクタ単位に構成された情報を転送し、各セクタはホストと不揮発性メモリバンクとの間にユーザデータ部分およびオーバーヘッド部分を含み、２つの不揮発性メモリデバイス内の同じセクタに関連する２バイトのセクタの記憶および読み出しを同時に行う。各不揮発性メモリデバイスは、メモリロケーションの行によって規定され、ここで、少なくとも２つの半導体デバイスの対応する行が、その内部に２セクタの情報を、不揮発性メモリデバイスのメモリ行の１つに維持された２つのセクタに関連するオーバーヘッド情報と共に維持する。 （もっと読む）

【課題】 読み出しおよび書き込み操作を行う際にかかる時間を短縮するために、非揮発性メモリをセクタフォーマットで組織化されたデジタル情報の記憶用に採用し、それによりシステムの全体的な性能を上げ、同時にこのデジタルシステムの製造経費を削減する、デジタルシステムを提供する
【解決手段】コントローラはセクタ単位に構成された情報を転送し、各セクタはホストと不揮発性メモリバンクとの間にユーザデータ部分およびオーバーヘッド部分を含み、２つの不揮発性メモリデバイス内の同じセクタに関連する２バイトのセクタの記憶および読み出しを同時に行う。各不揮発性メモリデバイスは、メモリロケーションの行によって規定され、ここで、少なくとも２つの半導体デバイスの対応する行が、その内部に２セクタの情報を、不揮発性メモリデバイスのメモリ行の１つに維持された２つのセクタに関連するオーバーヘッド情報と共に維持する。 （もっと読む）