【課題】縦型接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）およびショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）を備えるスイッチング素子を提供すること。
【解決手段】自己整合縦型接合型電界効果トランジスタを、エッチング注入ゲートおよび集積逆並列ショットキーバリアダイオードと組み合わせたスイッチング素子が、記載されている。ダイオードのアノードは、漂遊インダクタンスによる損失を低減するために、デバイスレベルでトランジスタのソースに接続される。ＳＢＤアノード領域におけるＳｉＣ表面は、ＳＢＤのターンオン電圧と関連するパワー損失が低減されるよう低いショットキーバリア高さを達成するために、乾式エッチングによって調整される。 （もっと読む）

【課題】常時オフＶＪＦＥＴ集積電源スイッチを含むワイドバンドギャップ半導体デバイスの提供。
【解決手段】電源スイッチは、モノリシックまたはハイブリッドに実装され得、シングルまたはマルチチップのワイドバンドギャップ電源半導体モジュールにビルトインされた制御回路と一体化され得る。該デバイスは、高電力で温度に対する許容性があり、耐放熱性のエレクトロニクスコンポーネントにおいて用いられ得る。該デバイスを作成する方法もまた、記述される。 （もっと読む）

半導体デバイスおよびそのデバイスを製造する方法が提供される。デバイスは、接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、または接合型バリアショットキー（ＪＢＳ）ダイオードまたはＰｉＮダイオードのようなダイオードであり得る。デバイスは、打込みマスクを用いる選択的イオン注入を使用して製造される。デバイスは、打込みマスクからの通常の入射イオンの散乱によって形成された打込み側壁を有する。長いチャネル長の縦型接合型電界効果トランジスタが記載される。デバイスは、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）のようなワイドバンドギャップ半導体材料から製造されることができ、高温および高出力の用途において使用することができる。 （もっと読む）

半導体装置および装置を製造する方法が記載される。前記装置は、接合障壁ショットキー（JBS）ダイオードまたはPiNダイオードなどの、接合電界効果トランジスター（JFET）またはダイオードであり得る。前記装置は、エピタキシャル成長によって形成された、傾斜したp型半導体層及び／又はp型半導体領域を有する。前記方法は、イオン注入を必要としない。前記装置は、炭化ケイ素(SiC)などの広バンドギャップの半導体材料から製造され得、高温度および高電力の用途で使用され得る。 （もっと読む）

縦型接合形電界効果トランジスタ（ＶＪＦＥＴ）またはバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）のような半導体デバイスを製造する方法が記載される。その方法はイオン注入を必要としない。ＶＪＦＥＴデバイスは、エピタキシャル成長した埋め込みゲート層のみでなく、エピタキシャル再成長したｎ型チャネル層及びエピタキシャル再成長したｐ型ゲート層も有する。その方法で製造されたデバイスも記載される。 （もっと読む）

接合形電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）を駆動するための、ＤＣ接続２段ゲートドライバが提供される。ＪＦＥＴは、ＳｉＣ ＪＦＥＴのようなワイドバンドギャップ接合形電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）であり得る。ドライバは、第１ターンオン回路、第２ターンオン回路及びプルダウン回路を含む。ドライバは、入力パルス幅変調（ＰＷM）制御信号を受け入れて、ＪＦＥＴのゲートを駆動させるための出力ドライバ信号を発生させるように配置される。 （もっと読む）

高い周囲温度環境において作動することが可能なワイドバンドギャップ（例えば、＞２ｅＶ）半導体接合形電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）のためのゲートドライバについて記載される。ワイドバンドギャップ（ＷＢＧ）半導体デバイスは、炭化ケイ素（ＳｉＣ）及び窒化ガリウム（ＧａＮ）を含む。ドライバは、入力、出力、第１供給電圧を受け取るための第１基準線、第２供給電圧を受け取るための第２基準線、グランド端子、６つの接合形電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）を有する非反転ゲートドライバであり得、第１ＪＦＥＴおよび第２ＪＦＥＴは、第１反転バッファを形成し、第３ＪＦＥＴおよび第４ＪＦＥＴは、第２反転バッファを形成し、及び第５ＪＦＥＴ及び第６ＪＦＥＴは、高温パワーＳｉＣ ＪＦＥＴを駆動させるために使用され得るトーテムポールを形成する。反転ゲートドライバも記載される。 （もっと読む）