【課題】配線金属膜の酸化を防止し、さらに、酸化防止を行うことで新たに発生した電解腐食も防止する。
【解決手段】基材としてのフィルム２上に、ＩＴＯ膜３が形成され、その上に金属膜４が形成される。金属膜は、ＮｉＣｕ合金膜からなる第２保護膜４１、Ａｌよりも抵抗値が低く配線パターンとなる金属配線膜（Ａｌ−Ｎｄ合金）４２、および、ＮｉＣｕ合金膜からなる第１保護膜４３の順に積層されて構成される。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜を保護し、さらに透明導電膜の保護だけでなく、透明導電膜を保護することで新たに発生した不具合も防止する。
【解決手段】電子部品素子１では、基板２と、この基板２上に形成されたＩＴＯ膜３と、このＩＴＯ膜３上に形成され前記ＩＴＯ膜３の表面を保護する保護膜４とが設けられている。保護膜４は、少なくとも、ＳｉＯｘ膜４１と、Ｎを含むＳｉ化合物からなるＳｉＮ膜１２とからなり、ＩＴＯ膜３上にＳｉＮ膜４２、ＳｉＯｘ膜４１の順に積層形成されて構成される。 （もっと読む）

【課題】膜形成の条件が限定されない成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、シート３に膜を形成するroll to roll方式の成膜装置であり、成膜室２内にシート３を搬送する搬送路２７が設定され、この搬送路２７の側の上方に位置した成膜室２の上部２４に、４０個のフランジ孔２６が形成されている。フランジ孔２６には、搬送路２７を搬送されるシート３に膜を形成するターゲット部５が装脱可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】金属膜の酸化を防止し、さらに金属膜の酸化を防止するだけでなく、酸化防止を行うことで新たに発生した不具合（腐食）も防止する。
【解決手段】
電子部品素子１では、基板２上に少なくとも３層からなる金属膜群５が形成されている。この金属膜群５は、少なくとも、金属膜５１と、金属膜５１を保護する保護膜５２と、金属膜５１と保護膜５２との電位差を無くす調整膜５３とから構成されている。この電子部品素子１では、基板２上に、金属膜５１、調整膜５３、および保護膜５２の順に積層されている。 （もっと読む）

【課題】透過率が９０％以上であり、さらに抵抗値の変動を抑える。
【解決手段】 基板８１の表面８３に透明導電膜８２が積層形成されている。基板８１の表面８３に形成された透明導電膜８２は、ＩＴＯＣ（Indium Tin Oxide Carbon）膜からなる。このＩＴＯＣ膜の基板８１への形成には、プラズマ発生装置を用いた成膜装置１であるＭＰＤ（Multi Plasma deposition）装置が用いられている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ膜を形成した基板よりも耐摩耗性を含む外的耐性を向上させる。
【解決手段】 基板８１上に透明導電膜からなる電極配線８２が積層形成され、電極配線８２上に保護膜８３が積層形成されている。基板８１上に形成される保護膜は、ＳｉＯＣ膜からなる。なお、少なくとも基板８１への保護膜８３の形成は、下記する成膜装置１であるＭＰＤ装置により行う。 （もっと読む）

【課題】遊技球の帯電による、弾球遊技機の電子制御部品の破壊や、制御基板の誤動作などを防止するため、帯電している遊技球から静電気を放電させる。
【解決手段】パチンコ機１には、その内部１１の遊技球９が送られる球移動可能領域１２であってその表面１２１に、帯電防止膜８が面形成されている。帯電防止膜８は透明導電膜であり、遊技盤４の表面に透明導電膜が面形成されている。また、球移動可能領域１２は、遊技盤４と、遊技盤４の遊技領域４３に遊技球９を送るためのガイドレール４２が含まれる。 （もっと読む）

【課題】低電圧で大量の熱電子を放出するプラズマ発生装置および成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置１１では、カソード２に熱電子を放出する筒状体に成形された熱電子放出部４２が複数設けられている。このプラズマ発生装置１１は、カソード２からアノード３に向けてイオン化させた不活性ガスを放出して放電させることにより、カソード２とアノード３との間にプラズマを発生させ、熱電子放出部４２では、その筒内周面４３および筒外周面４４から熱電子を放出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、中間層を有する不溶性電極において、製造コストを低減しつつも、耐久性に優れるものを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、導電性金属よりなる電極基材と、該電極基材上に形成される中間層と、該中間層上に形成され電極触媒活性物質よりなる触媒層と、からなる電解用電極において、前記中間層は、全部又は一部が窒化されたニオブからなる電解用電極に関する。本発明に係る電解用電極は、電極基材の不働態化を抑制し、電極の耐久性を確保でき、かつ、低コストで製造できる。 （もっと読む）

【課題】高温プロセスを行なわず、かつ、モノマーを生成せずに成膜材料を安定な状態で対象物にポリマーの薄膜を形成する。
【解決手段】成膜装置１は、成膜材料５を２００℃以下の温度で加熱して昇華させる加熱部７と、昇華させた成膜材料５をプラズマによって重合反応させる反応部８と、が設けられている。そして、反応部８で重合反応させた成膜材料５を基板３に射出して基板３の成膜面３１に薄膜を形成する。 （もっと読む）