【課題】半導体薄膜等の成膜装置において、成膜室を機械的強度に優れかつ高純度な部材で作製する。
【解決手段】石英板材と金属部材を一体化したハイブリッド部材を使用して成膜室が作製される。ハイブリッド部材は、石英板材を金属部材に真空吸着することによって作製され、ハイブリッド部材の石英板材側が成膜室の内面となるように成膜室が組み立てられる。原料ガスに接する成膜室の内面が石英面になっていて、石英板材でカバーされた金属面は成膜室の内部から隔離されるので、金属部材からの放出ガスの影響を抑制できる。成膜室の外殻が金属部材で構成されるので機械的強度に優れている。石英板材を金属部材と一体化した状態で成膜室の組み立て等を行えるので、石英板材の破損の危険性を低減できる。 （もっと読む）

【課題】列車の網棚に収納出来る程小さく折り畳め、なおかつ、走行性能が高性能自転車に負けない折り畳み自転車を供すること。
【解決手段】自転車の前、後輪にリンク式衝撃緩衝機構を設け、その回転部を利用して自転車を折り畳むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来、半導体製造過程で使用される、結晶成長面を下に向けた結晶成長装置でウエハーに材料ガスを供給する時に、各材料ガスの温度を別々に制御出来るものが無かった。そのため成膜効率、成膜品質を向上させる最適な成膜条件の設定が困難であった。
【解決手段】 結晶成長室内にガス冷却機構とガス加熱機構を設置して、各材料ガスを最適な温度に制御してウエハーに供給する。 （もっと読む）

【課題】 従来、半導体製造過程で使用される、成膜面を下に向けた成膜装置でウエハーにプロセスガスを押し付ける力を制御出来るものが無かった。そのため成膜効率、成膜品質を向上させる最適な成膜条件の設定が困難であった。
【解決手段】 上記従来の成膜装置のプロセスガスを上昇気流にし、その上昇力を制御する事により、ウエハーにプロセスガスを押し付ける力を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程に於いてウェーハに化学的気相成長（ＣＶＤ）、不純物拡散、アニール、エピタキシャル成長、その他の処理を成膜する場合、製造歩留まりを向上させるエッジがテーパー状のウェーハを提供する。
【解決手段】エッジがテーパー状のウェーハ（１）と保持プレートＡ（２）を組み合わせ成膜させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来、光通信用の半導体レーザーは発振波長が微小（０．１ｎｍ〜０．２ｎｍ）に異なる物が求められているが、現在、制御機器の分解能不足、加熱機構の再現性の悪さ等により、半導体レーザー製造装置で製造条件を調整して発振波長に微小な差を付ける事が解決困難であった。そこで課題は、光通信用の半導体レーザーで発振波長が微小（０．１ｎｍ〜０．２ｎｍ）に異なる物を作り分ける方法及び装置を供する事にある。
【解決手段】 従来の半導体レーザー製造装置での製造条件にサセプターを傾けると言う条件を加えて上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 ハロゲンランプを熱源としたウエハー加熱装置で、ウエハーの温度を放射温度計で測定する時、ハロゲンランプ光に外乱影響される事無く、ウエハー温度測定が出来る事を特長とする温度測定方法及び装置を供すること。
【解決手段】 ハロゲンランプから放射される光の波長をフィルターで一部カットし、そのカットされた波長域を利用して、その波長域を測定波長とする放射温度計を用いて温度測定することを特長とする。 （もっと読む）

【課題】 従来、半導体製造過程で使用されるウエハーを急加熱、急冷却する熱処理装置はウエハーの急加熱は可能であるが急冷却は困難であるという問題があった。なおかつ均一にウエハーを冷却する事と冷却速度を制御する事も解決困難であった。
【解決手段】 冷却が可能で熱源からの光エネルギーを透過するウエハーケースと減圧から加圧まで調整可能な処理室を用意し、ウエハーを収納したウエハーケースを冷却後熱処理装置の処理室にセットし、ウエハーケースの温度がウエハーに伝わらないよう処理室の圧力を下げ真空状態にして加熱する。また加熱終了後ヒーターを停止して処理室の圧力を上昇させると、ウエハーケースの保持している低い温度がウエハーに伝わり、ウエハーを急冷却させる事が出来る。 （もっと読む）