【課題】エッチング工程を行う際の窒化膜のエッチング選択比を向上できる半導体製造装置及び方法が提供される。
【解決手段】本発明による半導体製造装置は工程チャンバーの外部で供給されるジフルオロメタンＣＨ_２Ｆ_２、窒素Ｎ_２、及び酸素Ｏ_２ガスからプラズマを発生させ、発生されたプラズマを工程チャンバー内へ供給する。プラズマが工程チャンバーへ供給される途中に三フッ化窒素ＮＦ_３が供給される。このような装置構造及びソースガスを利用してシリコン窒化膜をエッチングすると、他の種類の膜に対するシリコン窒化膜のエッチング選択比を大きく増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程を行う際の窒化膜のエッチング選択比を向上できる半導体製造装置及び方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置は工程チャンバー１００の外部でジフルオロメタンＣＨ_２Ｆ_２、窒素Ｎ_２、及び酸素Ｏ_２ガスからプラズマを発生させ、発生されたプラズマを工程チャンバー１００内へ供給する。ソースガスの変更無しで酸素の供給量及びチャックの温度を調節することによって、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜のエッチング選択比とポリシリコン膜に対するシリコン窒化膜のエッチング選択比との相対的な大きさを逆に調節する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の低下を防止できるプラズマ供給ユニットが提供される。
【解決手段】本発明によるプラズマ供給ユニット３００はソースガスが供給される放電空間ＩＳが形成されたプラズマチャンバー３１０と、放電空間ＩＳに高周波電力を印加してソースガスを放電させる電力印加部３３０と、放電空間ＩＳに連結され放電されたソースガスが流入する流入空間ＦＳを有する流入ダクト３４０と、を含み、放電空間ＩＳを形成するプラズマチャンバー３１０の内側壁３１１は第１材質で形成され、流入空間ＦＳを形成する流入ダクト３４０の内側壁３４１は第１材質と異なる第２材質で形成される。 （もっと読む）

【課題】基板を均一に処理できるバッフル及びこれを含む基板処理装置が提供される。
【解決手段】本発明の基板処理装置はプラズマを発生させるプラズマ生成部３００と、プラズマ生成部３００の下部に位置し、内部に空間が形成されたハウジング１１０と、ハウジング１１０の内部に位置し、基板Ｗを支持するサセプタ１１２と、プラズマ生成部３００で供給されたプラズマを基板Ｗへ噴射する噴射ホール１４２ａ，１４２ｂが形成されたバッフル１４０と、を含み、バッフル１４０は噴射ホール１４２ａ，１４２ｂが形成され、中心領域の厚さが縁領域より厚いベース１４１を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ、またはガラス基板などのような基板に対して、プラズマを利用してアッシング、洗浄、エッチングなどのプロセスを実行することができるホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理方法を提供する。
【解決手段】ホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理方法は、プラズマが生成される複数の下側凹部２４１が底面に形成されたホローカソード２４０と、複数の噴射口が形成されたバッフル２５０との間に流入したガスによってホローカソードプラズマを発生させて、基板支持部上に配置された基板Ｗを前記噴射口を通過した前記ホローカソードプラズマによって処理する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を処理するチャンバの内外部気圧を測定するモジュール、装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明によると、側面に第１流入部と第２流入部が具備された連結部材と、前記連結部材の一端に連結された第１気圧測定センサと、前記連結部材の他端に連結された第２気圧測定センサとを含むが、前記連結部材には、前記第１流入部と前記第１気圧測定センサを連結する第１通路と、前記第２流入部と前記第２気圧測定センサを連結する第２通路が形成され、前記第１通路と前記第２通路は、分離されるように提供された気圧測定モジュール、気圧測定装置及び方法が提供される。このような本発明によると、大気圧センサの誤作動の問題を解決して、誤作動の防止のために使われた不必要な装備と誤作動に対応することにかかる時間及び人力の浪費を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハまたはガラス基板などのような基板に対して、プラズマを利用してアッシング、洗浄、エッチングなどのプロセスを実行することができるホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理装置を提供する。
【解決手段】ホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理装置は、内部に基板処理プロセスが実行される空間が設けられ、ガスの排気のための排気口が形成されたプロセスチャンバと、前記プロセスチャンバ内にガスを供給するガス供給部と、前記プロセスチャンバの内部に位置して基板を支持する基板支持部と、前記プロセスチャンバの内部に位置して底面にプラズマが生成される複数の下側凹部が形成されたホローカソードと、前記ホローカソードの下部に位置して複数の噴射口が形成されたバッフルと、前記ホローカソードに電力を供給する電力供給源と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】上下に離隔して基板が在置される第１支持板と側方向に並んで基板が在置される第２支持板との間で２つの基板を同時に移送するユニットを提供する。
【解決手段】返送ユニット３０は、上下に対向する折り畳まれた状態と折り畳まれた状態から相互に反対方向に既定の角度回転された広げた状態に転換可能な上部ブレードと下部ブレードを有し、折り畳まれた状態で第１支持板に基板を置いたり取り出したりし、広げた状態で第２支持板に基板を在置したり取出したりする。各上部ブレード、下部ブレードは、両端に各々基板が在置される第１支持部と第２支持部を備え、第１支持部と第２支持部のうち何れか１つに第２支持板に入れる基板が在置された状態で他の１つの支持部が第２支持板に在置された基板を取り出すことができ、又他の１つの支持部に第２支持板から取り出した基板が在置された状態で１つの支持部に在置された基板が第２支持板に在置することができる。 （もっと読む）

【課題】支持プレート上に配置された基板の位置を判断する方法及び基板を処理する方法、並びに基板処理装置を提供する。
【解決手段】支持プレート上に配置された基板の位置は、支持プレートの温度を測定することによって分かる。基板を支持プレートに配置した後に基板の温度を測定し、測定された温度を基準温度と比較した後、測定された温度が基準温度の範囲内にある場合、基板が正位置に配置されたものと判断し、測定された温度が基準温度の範囲外にある場合、基板が正位置に配置されないものと判断する。基板が正位置に配置されていないものと判断される場合に、アラームを発生するか、又は基板に対する工程を中断させる。 （もっと読む）

【課題】工程チャンバー内部空間の空間的な不均衡によるプラズマ及びガスの密度差を最低化できる基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板処理工程が行われるプロセス空間を提供し、かつ一側面に基板の入出のための基板出入口と前記基板出入口を開閉するゲートバルブを有する工程チャンバーと、前記工程チャンバー内部に設けられ、前記基板出入口を通して入ってきた基板が置かれる基板支持部材と、前記工程チャンバーの上側に前記プロセス空間でプラズマ及び工程ガスを分配するためのガス分配プレートとを含み、前記ガス分配プレートは、非対称に形成される多数のガス噴射流路とを含む。本発明によれば、空間的な不均衡を有する工程チャンバー内部空間に均一なプラズマ密度を提供して均一な基板処理が可能である。 （もっと読む）