金属壁２６を有する真空チャンバに、スパッタターゲットを備えたマグネトロンが複数配されており、少なくともそのうちの一つは、ＨＰＰＭＳマグネトロンで、スイッチング素子５を介して容量素子６をＨＰＰＭＳマグネトロンのスパッタターゲットに接続することで、電気パルスが供給される。効率的な基板の前処理及びコーテイングを達成するために、スイッチング素子がチャンバ壁に配されている。電極対がもけられており、その第１電極はＨＰＰＭＳマグネトロンとなり、第１及び第２電極を適切に配することで、基板テーブル４に保持された物体１１は、電極対の両能動面の間に位置するか、あるいは両能動面の間の空間を通って移動する。エッチング工程で、負のバイアス電圧が物体に印加され、物体は金属イオン照射によってエッチングされ、その後バイアス電圧を連続的に下げることによって、スパッタターゲットからスパッタされた物質は物体に積もり層になる。
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【課題】硬質基材に対するダイヤモンドコーティングの密着性を改善する。
【解決手段】被覆体は、超硬合金またはサーメットで硬質物質粒子（１）及び結合材（２）を構成成分とする基材と、その上に被覆される密着性のダイヤモンド層（４）とから成っている。基材の表面およびダイヤモンド層（４）の下方にある硬質物質粒子（１）の少なくとも一部は、密着性を高めるため粒内破壊型で穿孔状の凹部を有している。基材表面の硬質物質粒子が化学的工程を経て腐蝕され、粒内破壊が起きるので、窪み状または穿孔状の凹部が生成される。基材は、ＷＣおよびＣｏを主成分とする超硬合金で構成することができる。基材の機能面にはＣＶＤ法によりダイヤモンド層を被覆する。 （もっと読む）

【課題】被覆物となる基材上に硬質材料層を作成する方法を提供する。
【解決手段】作成された物は、基材（３０）を少なくとも部分的に覆うように基材（３０）の上に施与されている硬質材料層（３６）を包含する。硬質材料層は、金属元素Ａｌ、ＣｒおよびＳｉと、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏの群から選択される非金属元素とを含有する。非金属元素中の酸素の原子割合は、３０％よりも高い。硬質材料層を、マグネトロンスパッタリングにより基材上に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】被覆された物体、その製造法および装置を提示することにある。この場合、物体が改善された機械的性質を有し、方法および装置が簡単でコストに関して妥当であるよう、物体の構造および表面の性状を選択する。
【解決手段】方法および装置に関して、被覆期間中にプロセスパラメータを変更する。変更は、被覆期間中に２つの運転状態の間で繰り返し切換が行われるような態様で行う。かくして、第１運転状態では、パラメータは、ガス雰囲気のより高い炭素過飽和が基板近傍に生ずるよう選択され、他方第２運転状態では、パラメータは、第１運転状態に比してガス雰囲気のより低い炭素過飽和が基板近傍に生ずるよう、選択される。
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【課題】簡単なやり方で好都合な表面性質を実現することが可能な、切削工具およびこれを製造する方法を提供する。
【解決手段】この工具は、超硬合金基材１０を備えている。基材１０の上にはダイヤモンド層またはＤＬＣ層１２が成膜されている。ダイヤモンド層またはＤＬＣ層１２の表面には、層厚の急激な変化によって形成される複数のエッジ１６がある。ダイヤモンド層またはＤＬＣ層はＣＶＤ法で成膜される。この層にマスク１４が塗布される。マスクから露出している表面の個所のエッチングによって、エッジ１６が生成される。それにより、工具の機能性を大幅に向上させることができる。エッジ１６は追加の切削エッジとしての役目を果たすことができ、または、冷却剤ないし潤滑剤および切削された材料を運び出すための自由空間を形成することができる。 （もっと読む）

部材に関して、第１領域（２４）の、ダイヤモンド層（３０）に向かう移行領域に、凹部（１８）および凸部（１６）を含む深さ方向プロフィルを設け、この場合、ダイヤモンド層（３０）を基体材料（１０）に絡合せて固定し、かくして、ダイヤモンド層（３０）の部分（３２）を、第１領域（２４）の凸部（１６）よりも深く基体（１０）内に設ける。方法に関して、第１工程において、結合材料の選択的エッチングを実施し、第２工程において、硬質物質の選択的エッチングを実施し、第３工程において、結合材料の選択的エッチングを実施し、次いで、基体（１０）にダイヤモンド層（３０）を被覆する。
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