ゼテックス・ピーエルシーにより出願された特許
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低飽和電圧のバイポーラトランジスタ
【解決手段】面積抵抗率が約500mOhms.mm2のバイポーラトランジスタが、コレクタ領域(2)を形成する第1導電型の第1半導体領域を具えている。第2導電型の第2半導体領域が、ベース領域(3)を形成している。第1導電型の第3半導体領域が、エミッタ領域(4)を形成している。金属層が、前記ベース(3)及び複数のエミッタ領域(4)に対する複数のコンタクト部(6、7)を設けている。金属層は、約3μmより大きい厚さを有する。
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