方向性凝固炉は、溶融物を収容するためのルツボであって、壁と、開口を有する底とを有するルツボと、ルツボを支持するルツボ支持体と、ルツボを覆う蓋とを有するルツボアセンブリを含む。プレートは、底の開口の中に収められる。プレートは、底の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する。底は、添加剤を有するコンポジットを含むことができ、コンポジット底が、添加剤無しの同等の底と比較して高い熱伝導性を有する。
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溶融した半導体材料を保持し、一方向凝固工程により多結晶シリコン・インゴットを作製するための窒化ケイ素被覆坩堝と、坩堝を被覆する方法と、シリコン・インゴットおよびウェーハを作製する方法と、坩堝を被覆するための組成物と、低酸素量のインゴットおよびウェーハとに関する。
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本開示は、概して、例えば単結晶シリコンインゴット若しくは多結晶シリコンインゴット等のシリコンインゴットを切断することに由来するソーカーフ及び使用済み研磨スラリーからシリコンを回収する方法に関する。より詳細には、本開示は、結果として得られるシリコンが、太陽電池グレードシリコン原材料等の原材料として使用されるように、ソーカーフ又は使用済みスラリーからシリコンを分離し浄化する方法に関する。
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チョクラルスキー型結晶引上装置を用いて多結晶シリコンインゴットを作製する方法、多結晶シリコンインゴットを引き上げるための複数のシード結晶を含む引上アセンブリ。
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チョクラルスキー法にしたがって単結晶若しくは多結晶シリコンインゴットを成長させるに際し用いられるシリコン粉末から溶融物を調製する方法は、上記粉末からシリコン酸化物を除去すること；空気及び他の酸化ガスを除去するため真空を付加すること；酸化物が溶解する時間間隔粉末の溶融及びその融点を超える温度に上記充填物を維持する間及びその後上記ヒータに対する上記充填物の位置を制御すること；酸化物及びシリコンのブリッジを減少させるため上記坩堝側壁と上記シリコン粉末充填物との間において除去可能なスペーサを用いることを含む。
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一方向凝固炉は、溶融シリコンを保持するための坩堝および坩堝を覆い溶融シリコン上にて囲いを形成するための蓋を含む。また、坩堝は、溶融シリコンの汚染を防止すべく溶融シリコン上に不活性ガスを導入するための蓋の入口を含む。
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