【課題】２５０℃以上の高温の使用環境においてもパーティクルの飛散が少ない表面処理セラミックス部材の提供
【解決手段】 気孔率が１％以下のセラミックス焼結体基材の少なくとも一部に皮膜形成表面を有するセラミックス部材であって、セラミックス焼結体基材表面の凹部が酸化物皮膜によって選択的に被覆されている表面処理セラミックス部材。 （もっと読む）

【課題】優れた耐食性を発揮しつつ、パーティクルの飛散を防止したセラミックス部材の提供
【課題手段】 気孔率が１％以下のセラミックス焼結体基体の少なくとも一部に皮膜形成表面を有するセラミックス部材であって、皮膜形成表面が、皮膜（ケイ素アルコキシド化合物重合体のゾルゲル膜のみからなる皮膜を除く。）と基材表面とが混在してなる、具体的には、皮膜の面積率が表面処理面全体の５〜８０％である表面処理セラミックス部材。この表面処理セラミックス部材は、気孔率が１％以下のセラミックス焼結体基体の表面に皮膜材（ケイ素アルコキシド化合物重合体のゾルゲル膜のみからなる皮膜材を除く。）を塗布した後、硬化前の皮膜材がセラミックス焼結体表面の凹部に残存するような条件で皮膜材の一部を除去し、セラミックス焼結体表面の凹部に残存した皮膜材を硬化させることにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】優れた耐食性を発揮しつつ、パーティクルの飛散を防止したセラミックス部材の提供
【課題手段】 気孔率が１％以下のセラミックス焼結体基材の少なくとも一部に皮膜形成表面を有するセラミックス部材であって、皮膜形成表面が、ケイ素アルコキシド化合物重合体のゾルゲル皮膜と基材表面とが混在してなる、具体的には、前記ゾルゲル皮膜の面積率が、皮膜形成表面全体の５〜８０％である表面処理セラミックス部材。気孔率が１％以下のセラミックス焼結体基材の表面にケイ素アルコキシド化合物重合体のゾルゲルからなる皮膜材を塗布した後、硬化前の皮膜材がセラミックス焼結体表面の凹部に残存するような条件で皮膜材の一部を除去し、セラミックス焼結体表面の凹部に残存した皮膜材を硬化させることにより得られる。 （もっと読む）

【課題】高強度で、低誘電損失であるイットリア焼結体の提供。
【解決手段】イットリアを９９．９質量％以上含有し、気孔率が１％以下で、平均結晶粒径が３μｍ以下であり、かつ、下記（１）式から算出される累積頻度比が３以下であることを特徴とする、１〜２０ＧＨｚの周波数における誘電損失ｔａｎδが１×１０^-4以下であるイットリア焼結体。累積頻度比＝Ｄ９０／Ｄ５０・・・（１）但し、上記（１）式中の各記号の意味は下記の通りである。Ｄ９０：結晶粒の個数基準での粒度分布の小粒径側からの累計が９０％となる結晶粒径（μｍ）Ｄ５０：結晶粒の個数基準での粒度分布の小粒径側からの累計が５０％となる結晶粒径（μｍ） （もっと読む）

【課題】炭化珪素焼結体本来の優れた特性を保持しながら炭化珪素単相の焼結体よりも良好な加工性を示し、優れたセラミックス構造材料となりうる炭化珪素／窒化硼素複合材料焼結体、および炭化珪素／窒化硼素複合材料焼結体の新たな製造方法を提供する。
【解決手段】上記焼結体は、炭化珪素55〜92質量%、六方晶窒化硼素5〜35質量%ならびに焼結助剤等を3〜25質量%の割合で含有し、酸素不純物含有量が0.2質量%以下であり、曲げ強度が400MPa以上である。上記製造方法は、炭化珪素粉末および六方晶窒化硼素粉末を含む混合粉末を焼成する前に真空または不活性雰囲気中1450〜1650℃の温度で熱処理する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板を用いた導電性部材であって、ファインピッチに対応し、かつ少量であっても効率的に製造しうるものを提供する。
【解決手段】本発明が提供する導電性部材は、絶縁性のセラミック基板の一方の主面とこれに対向する他方の主面との間に形成された貫通孔がその孔内に導電性を付与されてなる導電性貫通孔を備え、この導電性貫通孔によって双方の主面が電気的に接続され、前記セラミック基板はビッカース硬度が5GPa以下であり、導電性貫通孔が、直径10〜500μｍ、アスペクト比2〜40、かつ孔径精度±20μｍ以下であり、さらに、その位置精度が基準位置に対して±20μｍ以下である。導電性貫通孔をなす貫通孔の少なくとも一つが、硬化のための熱処理を行った後のセラミック基板に対して、機械加工またはレーザー加工を行うことで形成されたものであったり、セラミック基板の少なくとも一方の主面に、導電性貫通孔と電気的に接続された導体配線パターンを備えたりすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】寸法特性が非常に優れた石英ガラス管の製造
【解決手段】中空石英ガラス素材１を下記の工程１により拡管して得た中空石英ガラス中間体２を、下記の工程２により延伸して石英ガラス管３を得る石英ガラス管の製造方法。
工程１：中空石英ガラス素材１にダイス４中心に対して相対的な回転を与えつつ、中空石英ガラス素材１の少なくとも一部を加熱した後、中空石英ガラス素材１をダイス４に挿入して中空石英ガラス中間体２を得る工程であって、中空石英ガラス素材１の内部を加圧し、中空石英ガラス素材１の外面がダイス４内面に接触するまで拡管する工程
工程２：中空石英ガラス中間体２にその軸中心周りに回転を与えつつ、中空石英ガラス中間体２の少なくとも一部を加熱し、延伸する工程 （もっと読む）

【課題】プラズマプロセス装置のプラズマに曝される部分等に用いることができるイットリア焼結体の提供
【解決手段】平均結晶粒径が３μｍ以下、気孔率が１％以下で、かつ曲げ強度が１８０ＭＰａ以上であることを特徴とするイットリア焼結体。このイットリア焼結体は、その表面粗さ（Ｒａ）が０．０５〜５μｍであることが望ましい。また、このイットリア焼結体は、エッチングレートＥが下記の（１）式の関係を満足するのがより望ましい。
Ｅ≦１．２０×Ｅ₀ ・・・（１）
但し、（１）式中のＥおよびＥ₀は、それぞれ同じ材質で表面粗さだけが異なるイットリア焼結体に対して、同じ条件のプラズマ処理を実施したときのエッチングレート（ｎｍ／ｍｉｎ）を意味し、Ｅ₀は表面粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍであるもののエッチングレート（ｎｍ／ｍｉｎ）を意味する。 （もっと読む）

【課題】ホウケイ酸ガラス中にフッ素雲母結晶が分散した快削性ガラスセラミックスにおいて、フッ素雲母結晶の成長を制御し、切削性、機械的強度を改善する。
【解決手段】フッ素以外は酸化物換算に基づく質量％で、ＳｉＯ_２：３５〜６０％、Ａｌ_２Ｏ_３：５〜２０％、ＭｇＯ：１０〜３５％、Ｋ_２Ｏ：５〜２０％、Ｂ_２Ｏ_３：２〜１０％、ＺｒＯ_２：０〜１０％およびＦ：１〜１５％の組成をなすように調整された原料配合物から得られたガラス体を、不活性ガスまたは不活性ガスと酸素との混合ガスを圧力媒体とする熱間等方圧プレス（ＨＩＰ）法により結晶化熱処理する。ＨＩＰ処理は５０ＭＰａ以上で６５０〜８５０℃の温度の第１段(結晶核生成)と、８０ＭＰａ以上で９００〜１１００℃の第２段(結晶成長)とで行うことが好ましい。 （もっと読む）