【課題】励磁兼検出コイルが温度変動したとしても、より高精度に渦電流を検出することができる渦電流検出方法および渦電流検出装置を提供する。
【解決手段】測定対象物に相当する仮想対象物Ｗを対象とし、かつ、励磁兼検出コイル１６の温度を変化させたときに、複素平面上においてインダクタンスブリッジ回路の中点間電位差Ｖの挙動を表した近似直線Ａ１を算出する。続いて、複素平面上において実数軸または虚数軸に対する近似直線Ａ１の傾き角度θａを算出する。続いて、実際の測定対象物Ｗを対象として、複素平面上において中点間電位差Ｖの座標（Ｒｅ１，Ｉｍ１）を算出し、当該座標（Ｒｅ１，Ｉｍ１）に対して傾き角度θａを逆回転させる回転座標変換を行い、変換後座標の実数成分Ｒｅ２または虚数成分Ｉｍ２を算出する。そして、実数成分Ｒｅ２または虚数成分Ｉｍ２を渦電流相関値として出力する。 （もっと読む）

【課題】抵抗比測定ブリッジの校正のためには、直流ブリッジにも交流ブリッジにも用いることができる装置が望まれるが、従来装置では電流依存性や温度依存性があり、正確に校正することができないという問題があった。
【解決手段】
公称値がＲ／１１である抵抗器と、公称値がＲ／１１である単位抵抗素子を１１個以上直列接続して各単位抵抗素子両端に端子を有する抵抗分圧器とを少なくとも備え、場合により公称値がＲである抵抗器と公称値がＲの１／１０である抵抗器をさらに備えたものを金属筐体に収納して抵抗分圧器装置とし、これを用いて自己校正及び抵抗比測定器の校正を高精度で行う。 （もっと読む）

【課題】 電流検出に用いられるシャント抵抗器は、低コストであるが電力損失が発生する。CTおよびホールセンサは、電力損失は少ないがコストが高い。
【解決手段】 NPNPNの五層構造を有すトランジスタQ1の一方のNPN（メイントランジスタQ1m）に検出すべき電流が流し、他方のNPN（サブトランジスタQ1s）のベースB2-エミッタE2間に抵抗器R3を接続してバイアス電流を流す。抵抗器R1により、サブトランジスタQ1sのコレクタC2に流れる電流i3に応じた（電流i_Lに応じた）検出電圧Vd1を発生するとともに、抵抗器R1を介してトランジスタQ2を駆動して、メイントランジスタQ1mのベースB1-コレクタC1間に電流i2を供給する。 （もっと読む）