導波路集積型光検出器（１００）を記載している。導波路集積型光検出器は、プラズモンサポート材料から成る第１層（１１０）を備え、第１層（１１０）は、第１放射線を導波路と結合させるために第１層を貫通する入力スリット（１１２）を有する。光検出器（１００）はまた、プラズモンサポート材料からなり、第１層（１１０）に面し、第１層（１１０）から第１方向に第１距離を隔てた第２層（１２０）を有する。第２層（１２０）は、第２層（１２０）を貫通し、入力スリット（１１２）から第１方向と異なる第２方向に沿って第２距離隔てた出力スリット（１２２）を有する。光検出システム（１００）はまた、第１層（１１０）と第２層（１２０）との間に配置した誘電体層（１３０）、および出力スリット（１２２）に近接する、出力スリット（１２２）を通って出射する結合した放射線を検出するための、検出器（１４０）とを備える。
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単数又は複数の実施形態において、冷却されていない赤外線センサ、システム、及び方法は、赤外線放射を受信するように構成されたアンテナを有するセンサと、前記アンテナパターンをシフトさせるように構成された位相シフト器と、受信したアンテナ電流を電気信号に変換するように構成されたトランスデューサとを含む。様々な実施形態において、赤外線センサのアレイは、目標物体から放射された赤外線放射を受信することができる単数又は複数の操縦可能なアンテナビームを有する赤外線イメージングシステムに用いることができる。アレイに含まれる各センサの前記位相シフト器を個別に制御することにより、アンテナビームは、物体を横切って走査され、各位相設定において単数又は複数のピクセルを生成する。複数の位相設定から生成されたピクセルを記録することにより、前記物体に対応する赤外線画像が形成される。このようなイメージングは、レンズ等の従来の光学デバイスを用いることなく、また、センサハウジング又はセンサコンポーネントを低温冷却することなく実現することができる。
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特定の検出要求を満たすために異なる画素形式を生じるように接続される抵抗マイクロボロメータ赤外線検出器の焦点面アレイ（ＦＰＡ）からなる赤外線センサ。一般的に、各々の撮像画素は、並列（他の構造が可能であるにもかかわらず）において接続される多くのサブピクセルからなるモザイクである可能性があり、強化された性能および微小な製造方法による製造の容易さに結びつく。ＦＰＡは、同じ基板で読み出し超小型回路と一体化される可能性があるので、適切な信号処理で、興味の視野の画像を形成することができ、ターゲット認識を容易にし、きわめて低い誤警報率にする。 （もっと読む）

カソードからのとるに足らないスパッタリングと、その後のキャビティ内の不活性ガスを葬ることを最小にすることにより、検出器の長い寿命を生じさせ、高圧キャビティ（２６）を可能にし、カソード（１８）とアノード（１５）との間の小さなギャップを備えた光検出器（１０）を有するセンサ。検出器は、ＭＥＭＳ技術で作られる。センサは、光センサ（１０）のアレイを包含しうる。検出器のいくつかは、ＵＶ検出器であって良い。
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同一基板に、抵抗の温度変化係数が正である抵抗体と、読み出し集積回路（ＲＯＩＣ）とが組み込まれて成るボロメータである。ＲＯＩＣと非常に大きな絶対値の正のＴＣＲを示す抵抗体とが同一の基板に組み込まれているので、高集積と小型化が可能である。 （もっと読む）

センサに関連する電子回路を含む、赤外線検出ピクセルのための単層を有する熱センサ構造。電子回路は小さい範囲に置かれ、そのため、ピクセル用電子回路が無い層と比べても、ピクセルが配置される範囲に対しての電子回路の影響は少ない。その層は、シリコンに対してのアクセス・ビアがあるため、基板に対しての付着が構造的に制限され、それにより基板に対して熱的に隔離される。更に、これは、単層の下の基板からシリコンが除去されて形成されたピットにより隔離される。熱センサは、多数のピクセルを含むアレイを有することができ、ピクセルおよび電子回路のための単層を有する。

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