説明

Fターム[2H025BD21]の内容

フォトレジストの材料 (104,520) | その他の光不溶化性感光材料 (428) | 高分子化合物 (255)

Fターム[2H025BD21]の下位に属するFターム

Fターム[2H025BD21]に分類される特許

1 - 1 / 1


【課題】 本発明の目的は、量産性に富む簡易な方法で、光ディスク基板に形成されるピットの高密度化を図ることができるレジストパターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】 ポジ型のレジストパターンの形成方法においては、酸の発生した領域より小さい領域で分解反応が起こるようにベーキング工程においてベーキング温度及びベーキング時間を設定し、ネガ型のレジストパターンの形成方法においては、酸の発生した領域より小さい領域で架橋反応が起こるようにベーキング工程においてベーキング温度及びベーキング時間を設定した。特に、最大露光量の40%以上80%以下の露光量によって発生する酸の量以上で、前記分解反応又は架橋反応が起こるようにベーキング温度及びベーキング時間を設定することが好ましい。 (もっと読む)


1 - 1 / 1