【課題】
【解決手段】ＳＯＩ−ベースの光学構造内の光の操作を二次元で能動的に制御する構成が、シリコン−絶縁体−シリコン容量性（ＳＩＳＣＡＰ）構造のＳＯＩ層とポリシリコン層内に形成されたドープ領域を使用する。この領域は、逆にドープされて、能動デバイスを形成しており、ここで、逆にドープされた領域間の電圧電位の印加が、影響を受ける領域中の屈折率を変化させ、当該領域内を伝達する光学信号の特性を変えるように機能する。ドープ領域は、有利なことに、あらゆる所望の「形状」（例えば、レンズ、プリズム、ブラッググレーティング、他）を示すように形成されており、伝達ビームをこれらのデバイスの公知の特性の機能として操作する。本発明の一またはそれ以上の能動デバイスが、ＳＩＳＣＡＰ内に形成されたＳＯＩ−ベースの光学エレメント（例えば、マッハ−ツェンダ干渉計、リング共鳴器、光学スイッチ、他）内に含まれており、能動的な、チューニング可能なエレメントを形成する。 （もっと読む）

進行波電極構造に沿って伝搬する電気信号の制御の下で、発色基を含むポリマ・クラッディング領域によって囲まれた導波路コア内を伝搬する光の光信号変調のための光学デバイス（１０、４０）を提供する。マイクロ波電極構造は、一対の接地面電極（７２、７４）間に介在する制御信号電極（７５）を含む共面ストリップラインを備えている。マイクロ波接地面電極の各々は、正又は負ＤＣバイアス源（＋V_bias、−V_bias）に接続されており、ＤＣ遮断コンデンサ（７６）によって、マイクロ波信号入力（４４）に結合されている。信号入力及び出力から隔離された接地電極部（７２’、７４’）は、ポリマのガラス遷移温度付近の温度においてバイアス電圧を印加することにより、発色基を整合するために用いることができる。本発明は、ここに記載し特許請求するような、共面ストリップラインの提供も想定している。
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本発明は第１の基板の表面と第２の基板の表面とを近接または部分的に接触させる工程と、前記第１の基板の表面と前記第２の基板の表面との間に揮発性の液体を供する工程と、前記揮発性の液体を気化させ基板を貼り合わせる工程とからなることを特徴とする基板貼り合わせ方法に係るものである。 （もっと読む）

光制御装置８の画素１０には、現フレームの輝度値を記憶する第一の記憶素子１８と、次のフレームの輝度値を記憶する第二の記憶素子１６と、第二の記憶素子１６に記憶された輝度値を第一の記憶素子１８に転送して画素１０の輝度値を変更するスイッチ素子である第一のトランジスタ１４と、がそれぞれ設けられる。制御部６０は、複数の画素１０が第一の記憶素子１８に保持された輝度値に応じて発光している間に、各画素１０の第二のトランジスタ１２を順次オンとして第二の記憶素子１６に次のフレームの輝度値の書き込みを行う。 （もっと読む）