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Fターム[4G132AA12]の内容

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Fターム[4G132AA12]に分類される特許

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【課題】パワー半導体素子の出力アップに伴う高放熱及び高信頼性の要求にこたえるモジュール構造を提供できる。
【解決手段】炭化珪素、窒化アルミニウム、窒化珪素、ダイヤモンド及び黒鉛の中から選ばれる1種類以上からなり、気孔率が10〜50体積%である多孔体又は粉末成形体から、(1)特定の金属を含浸する工程及び(2)面方向の面積がパワー半導体素子の搭載面の面積に対し2〜100倍、板厚がパワー半導体素子の厚さに対して1〜20倍、表面粗さ(Ra)が0.01〜0.5μmになるように加工する工程を経て金属基複合材料基板を作製し、前記金属基複合材料基板上にパワー半導体素子をロウ付け又ははんだ付けにより接合、或いは、銀ペーストにより接着することを特徴とするパワーモジュール部材およびその製造方法。 (もっと読む)


本発明は、グラファイトが有する面方向の高熱伝導特性を維持しつつ、層方向の熱伝導性も改善した高熱伝導性部材を提供することを目的とする。本発明は、グラファイト系マトリックス中に炭素粒子が分散してなる高熱伝導性部材であって、(1)前記グラファイトを構成する各グラフェン層のc軸が実質的に平行であり、(2)前記c軸に垂直な方向の熱伝導率κ‖が、400W/m・k以上1000W/m・K以下の範囲であり、(3)前記c軸に平行な方向の熱伝導率κ⊥が、10W/m・k以上100W/m・k以下の範囲である。
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