【課題】 プリント基板などの微細凹部に空隙（ボイド）や窪みを発生させないで良好に銅フィリングする。
【解決手段】 アミド類、アミノ酸類より選ばれた電着促進剤を含有せず、スルフィド類、メルカプタン類より選ばれた光沢剤を含有した予備処理液に被メッキ物を浸漬した後（予備吸着の後）、或いは、当該予備吸着に代えて予備メッキした後、電着促進剤及び光沢剤を含有する銅メッキ液で被メッキ物に電気銅メッキを施すことにより、プリント基板などの微細凹部に良好な銅フィリングを達成できる。 （もっと読む）

亜鉛または亜鉛合金層の電着のための電解質浴のための添加物が記載されている。この添加物は末端にアミノ基を持つポリマーである。これらのポリマーは少なくとも１種のジアミノ化合物（２つの３級アミノ基を持つ）を、少なくとも１種の（疑似）ハロゲン化合物と反応させることによって得ることができる。その際、ジアミノ化合物は化学量論的に過剰で用いられる。この添加物は、特に亜鉛または亜鉛合金層の電着において層厚の均一な分布のみならず気泡形成能が殆どなく且つ燃焼もまれである、作用を示す。 （もっと読む）

【課題】 電解金属めっきにおいて、金属めっき後の防錆性が良好であり、かつ容易に除去できる金属めっき液添加剤を含有する金属めっき液を提供することを目的とする。
【解決手段】 脂肪族ジカルボン酸またはその塩（Ａ）、または脂肪族ジカルボン酸のハーフアミド（Ｂ）を必須成分として含有することを特徴とする金属めっき液添加剤に金属塩、無機酸、界面活性剤に添加した電解金属めっき液である。 （もっと読む）

【課題】良好なめっき皮膜性能を実現するめっき浴及びそれを用いためっき方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るめっき浴は、実質的にシアン化合物を含有せず、
（Ａ）化学式（１）
Ｘ¹Ｘ²ＮＣ(＝Ｓ) ＮＸ³Ｘ⁴ （１）
［（１）におけるＸ¹、Ｘ²、Ｘ³及びＸ⁴は、水素、アルキル、アリル又は下記化学式（２）
−（ＣＨＺ¹−ＣＨ₂−Ｓ）_n−Ｙ （２）
のいずれかで表される基である。（２）におけるＺ¹は、水素又はメチル基であり、ｎは０〜１０の整数を表し、Ｙは、下記化学式（３）
−ＣＨＺ²−ＣＨ₂−Ｄ （３）
で表される基である。（３）におけるＺ²は、水素又はメチル基であり、Ｄは、ＳＨ、ＯＨ、ＮＸ⁵Ｘ⁶又はＣＯＯＨである。前記Ｘ⁵及びＸ⁶は、互いに同一又は異なっていてよい。また、前記Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³及びＸ⁴のうち、少なくとも一つは（２）で表される基である。］
で表されるチオ尿素系化合物、
（Ｂ）めっき金属として第４〜６周期の第８〜１１族、水銀を除く第１２族、第１３族、第１４族、及び、第１５族から選ばれた金属の水溶性塩又は水溶性錯体の一種又は二種以上、
を含有する。 （もっと読む）

【課題】半導体上のバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】方法は、高い光透過性を有する相変換レジストを誘電体上に選択的に堆積させてパターンを形成すること、そのレジストで覆われていない誘電体の部分をエッチング除去すること、並びにその誘電体のエッチングされた部分上に金属シード層を堆積させることを含む。次いで、光誘導めっきによって、その金属シード層上に金属層が堆積させられる。 （もっと読む）

【課題】改善されたレベリング性能および改善された均一電着性を有する金属メッキ組成物が必要とされている。
【解決手段】基体上に金属をメッキするための金属メッキ組成物が開示される。金属メッキ組成物は、金属メッキ組成物のレベリングおよび均一電着性に影響を及ぼす化合物を含む。基体上に金属を堆積させる方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】作業環境や廃液処理に問題を有する毒性の強いシアン等を含まず、化学的安定性に優れ、容易に取り扱うことができ、良好な膜質の金メッキ膜を効率的に形成することができる金メッキ液と、この金メッキ液を用いる金メッキ方法を提供する。
【解決手段】金錯イオン、水、および親プロトン性溶媒を含有してなり、親プロトン性溶媒の含有量が６５〜９０重量％である金メッキ液。この金メッキ液を用いた金メッキ方法。親プロトン性溶媒の含有量を６５〜９０重量％とすると、メッキの前駆体である金イオンが安定になるので、良質な金メッキ膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】 金バンプが相手基板等と接合する際、圧着力で潰れて広がり短絡するという信頼性低下をカバーするために十分な皮膜硬度を達成できる非シアン系電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】 亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムからなる金源と、水溶性アミンからなるスタビライザと、結晶調整剤と、亜硫酸塩及び硫酸塩からなる伝導塩と、緩衝剤とを含有すると共に、ポリアルキレングリコール及び／又は両性界面活性剤とを含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴であって、平均分子量３００〜９００未満のポリアルキレングリコールを１．５〜２０ｇ／Ｌ含有、又は、平均分子量９００〜１００００のポリアルキレングリコールを０．０１ｇ／Ｌ以上含有し且つ両性界面活性剤を０．１〜１０００ｍｇ／Ｌ含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴とする。 （もっと読む）

【課題】建浴後の劣化が殆どなく、微細な溝や穴に対して銅の埋め込み性の良い電解銅メッキ用添加剤、それを用いた電解銅メッキ浴、及び電解銅メッキ方法の提供。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物の使用：


（式中、Ｒ^１及びＲ^２は水素又は一般式（２）


で表される芳香族基、Ｍはアルカリ金属、アンモニウムまたは１価の有機アンモニウム、Ａはベンゼン環又はナフタレン環、Ｒ^３はアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基を表す） （もっと読む）

【解決課題】白金−コバルト合金膜を形成するためのめっき液であって、液の安定性に優れ、沈澱を生じさせることなく高品質な合金膜を形成できるものを提示する。
【解決手段】本発明は、白金塩とコバルト塩を含む白金−コバルト合金めっき液において、白金塩として、Ｎａ_２［Ｐｔ（Ｃ_２Ｏ_４）_２］、Ｋ_２［Ｐｔ（Ｃ_２Ｏ_４）_２］、［Ｐｔ（ＮＨ_３）_４］Ｃｌ_２、［Ｐｔ（ＮＨ_３）_４］ＳＯ_４、［Ｐｔ（ＮＨ_３）_４］（ＮＯ_３）_２、［Ｐｔ（ＮＯ_３）_２（ＮＨ_３）_２］、Ｋ_２ＰｔＣｌ_４のいずれか１種の２価の白金塩を白金濃度で１〜３０ｇ／Ｌ含み、前記コバルト塩として２価のコバルト塩を含むことを特徴とする白金−コバルト合金めっき液である。このめっき液においては、緩衝剤として、無機酸又はこれらの塩、若しくは、有機カルボン酸又はこれらの塩、若しくは、ポリアミノカルボン酸の少なくともいずれかを合計で１〜２００ｇ／Ｌ含むものが特に好ましい。 （もっと読む）

【課題】ホウ酸を含まなくとも電子部品の電気特性を損なうことがなく、かつはんだ濡れ性の低下を招くことのないニッケルめっき浴を実現する。
【解決手段】ニッケルめっき浴が、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、及びスルファミン酸ニッケルの中から選択された少なくとも１種のニッケル化合物と、ホウ酸の代替物質としてグルコン酸等のオキシモノカルボン酸、リンゴ酸等のオキシジカルボン酸、グルコヘプトノラクトン等のラクトン化合物、及びこれらの塩の中から選択された少なくとも１種を含有し、水素イオン指数ｐＨが２〜７に調製されている。
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