Fターム[5F003BC00]の内容
バイポーラトランジスタ (11,930) | コレクタ (1,152)
Fターム[5F003BC00]の下位に属するFターム
不純物濃度分布 (218)
付加領域(PN接合、絶縁物、溝、キラー) (104)
バンドギャップ (69)
コレクタ抵抗 (115)
多結晶 (25)
リード引出し、埋込層 (332)
マルチコレクタ (19)
形状 (269)
Fターム[5F003BC00]に分類される特許
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スピン検出磁気メモリ
【課題】 スピン極性化電子の注入及び/又は検出が著しく改善されたスピン検出磁気メモリを提供する。
【解決手段】 本発明のメモリは、二つの隣接領域が形成する半導体接合部(103)上に配置され、該第1と第2の領域(101,102)がそれぞれ第1種と第2種の導電性を呈し、前記接合部(103)の各側に配置した第1と第2の接続セル(110,120)を備え、各セルが磁化モジュール(111と112,121と122)を備えるスピン検出磁気メモリであって、前記セルのうちの少なくとも一つが前記磁化モジュールに加えバイアス電極(113,123)を含む、ことを特徴とする。
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