【課題】オフリーク電流を押さえて高い電流駆動力を有し、オフセット電圧が極力低減された微細な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板に、一対の素子分離絶縁膜を離間して形成し、素子領域を画定する工程と、半導体基板の素子領域におけるチャネル領域の上に、ゲート絶縁膜を介してゲート長30nm以下のゲート電極を形成する工程と、ゲート電極側面にオフセットスペーサーを形成する工程と、オフセットスペーサー及びゲート電極をマスクとしてゲート電極の直下を除く半導体基板に不純物を導入し、フラッシュランプアニールを用いて1000℃以上で100msec以下の極短時間加熱処理を施して不純物を活性化し、ゲート電極の端部から10nm以下の距離で離間した不純物拡散領域を形成する工程と、半導体基板の全面に層間絶縁膜を形成してコンタクトホールを開口し、導電材料で埋め込んで配線を形成する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）