第一態様において、第一方法が提供される。第一方法は、（１）プロセスチャンバを攻撃プラズマで前処理するステップと、（２）プロセスチャンバ内に基板を装填するステップと、（３）プロセスチャンバ内で基板上にプラズマ窒化物形成を行うステップとを含む。プロセスチャンバは、基板のプラズマ窒化物形成中に用いられるプラズマ電力より少なくとも１５０％大きいプラズマ電力を用いて前処理される。 （もっと読む）