【課題】 半導体構成体がバイポーラトランジスタ（１０１）及び間隔構成体（２６５−１又は２６５−２）を包含している。
【解決手段】 該トランジスタはエミッタ（２４１）、ベース（２４３）、コレクタ（２４５）を有している。該ベースはベースコンタクト部分（２４３−１）、該エミッタの下側で且つ該コレクタの物質上方に位置されているイントリンシックベース部分（２４３Ｉ−１）、該イントリンシックベース部分とベースコンタクト部分との間に延在しているベースリンク部分（２４３Ｌ−１）を包含している。該間隔構成体は、間隔コンポーネント及び上部半導体表面に沿って延在する分離用誘電体層（２６７−１又は２６７−２）を包含している。該間隔コンポーネントは、該ベースリンク部分の上方で該誘電体層上に位置されており、好適には多結晶半導体物質であるほぼ非単結晶の半導体物質の横方向間隔部分（２６９−１又は２６９−２）を包含している。該横方向間隔部分の両側の第１及び第２下部端部（３０５−１及び３０７−１）は該ベースリンク部分の両側の第１及び第２上部端部（２９７−１及び２９９−１）に対して横方向に適合し、その長さを決定し且つそれにより制御する。 （もっと読む）

【課題】金属膜を必要以上に薄く形成しなくても、ＬＯＣＯＳエッジ付近での金属膜とベース絶縁膜との過度な合金化を防止できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】エミッタ領域の基板１上からＬＯＣＯＳ層１５Ｂ上にかけてシリコンゲルマニウム層５１を連続して形成する。次に、エミッタ５９領域のシリコンゲルマニウム層５１上にエミッタ５９を形成する。そして、エミッタ５９が形成された基板１上にシリコン酸化膜を形成し、次に当該シリコン酸化膜をエッチバックすることによって、エミッタ５９の側面にサイドウォール６１Ａを形成する。その後、基板１上にＴｉを形成し熱処理を施して、チタンシリサイド膜６７を形成する。サイドウォール６１Ａを形成する工程では、ＬＯＣＯＳエッジ９０上にサイドウォール６１Ｂを付随的に形成する。 （もっと読む）

【課題】容量を自由に調整することができ、さらなる高周波領域での要求に耐えうるバイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】本発明のバイポーラトランジスタは、半導体基板と、前記半導体基板内に形成されたトランジスタ動作領域と、前記半導体基板表面を覆うように形成された絶縁膜と、前記トランジスタ動作領域から前記絶縁膜を貫通し、コレクタ、ベース、エミッタのうちの少なくとも２つにそれぞれ接続され、前記絶縁膜上まで引き出された第１および第２の引出配線と、前記第１および第２の引出配線にそれぞれ接続されるボンディング用の第１および第２のパッドと、前記第１および第２のパッドにそれぞれ接続された第１および第２の容量調整用配線とを備え、第１および第２の容量調整用配線が互いに異なる層で構成される。 （もっと読む）