Fターム[5F140BK00]の内容
絶縁ゲート型電界効果トランジスタ (137,078) | ソース・ドレイン領域、電極及びSD近傍領域の製造 (13,929)
Fターム[5F140BK00]の下位に属するFターム
LDD領域、エクステンション領域の形成 (1,808)
ダミーゲートをマスクにしてSD領域の形成 (202)
マスク能力の不均一性の利用 (20)
拡散速度の差の利用 (7)
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その他 (14)
Fターム[5F140BK00]に分類される特許
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半導体装置の製造方法及び半導体装置
【課題】 自己整合的に基板のコンタクト部をユニバーサルコンタクトホール内に形成できる半導体装置の製造方法及びこれにより形成された半導体装置を提供する。
【解決手段】 層間絶縁膜12にユニバーサルコンタクトホール10開口し、サリサイド層7を除去して底面にソース領域3を露出させた後、ユニバーサルコンタクトホール10から半導体基板100に第1導電型(P型)不純物を注入して底面に露出するソース領域3を基板領域と同じ導電型の第1導電型領域5にする。ユニバーサルコンタクト16は、ユニバーサルコンタクトホール10の側面に露出するサリサイド層7を介してソース領域3に電気的に接続されている。基板領域とソース領域のコンタクトの位置関係が一定となりソース領域における電流の不均衡が解消される。
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