【課題】基板の洗浄を効果的かつ安定して実施することが可能な洗浄装置、当該洗浄装置に用いられる溶存気体濃度測定装置の校正方法および溶存気体濃度の測定方法を提供する。
【解決手段】この発明に従った校正方法は、液体に溶存する気体の濃度を測定する測定装置を校正する校正方法であって、液体に溶存する気体の濃度を変化させて、液体に超音波を照射したときに生じる発光の強度がピークを示す当該気体の濃度を基準濃度として予め決定する工程（Ｓ１０）を実施する。次に、液体中の気体の濃度を変化させながら液体に超音波を照射することにより、発光の強度がピークを示すときに、校正する対象である測定装置により洗浄液中の窒素の濃度を測定して、当該窒素の濃度の測定値を決定する工程（Ｓ２０）を実施する。測定値と基準濃度とに基づいて、校正する対象である測定装置を校正する工程（Ｓ３０）を実施する。 （もっと読む）

【課題】処理される試料の温度の精度あるいは信頼性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内側でプラズマが形成される処理室３と、該処理室内の下方に配置され、その上面に試料５が載置される試料台であってその内部に冷凍サイクルの冷媒が通流して蒸発器として動作する円筒形を有する試料台４と、該試料台４の内部に配置され、前記円筒の中心について同心状に配置された前記冷媒の流路と、前記試料台４の下方に配置され、該試料台４の振動を検出する少なくとも１つの検知器３７と、前記冷凍サイクル上の圧縮機と前記試料台４との間に配置され、前記検知器３７の出力から前記流路内側を通流する前記冷媒の乾き度を検出し、その結果に基づいて前記試料台４に流入する前記冷媒の温度を調節する調節部３３と、を備えたプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】より簡易な構造で安全性を確保することができる処理装置を提供することである。
【解決手段】発火及び爆発に対する所定の安全対策の施された設備が配置され、引火性のある処理液を用いて所定の処理が行われる処理室と、該処理室とは隔離されつつ一体となり、電気設備及び前記処理室にて用いられる前記処理液の通路が配置された遮蔽室とを備えた処理装置であって、前記遮蔽室内から気体を導出する気体導出手段と、該気体導出手段にて導出された気体のガス濃度を検出するガス濃度検出手段とを有する構成となる。 （もっと読む）

処理チャンバの中で基板のはす縁をエッチングするための方法を提供する。該方法は、基板の中心領域より上側で画定される処理チャンバの中心領域に、不活性ガスを流し込むステップと、基板のエッジ領域の上に不活性ガスおよび処理ガスの混合物をエッジ領域流すステップとを含む。該方法は、エッジ領域でプラズマを発生させるステップをさらに含み、不活性ガス流および混合物流は、処理ガスの質量分率を実質的に一定に維持する。基板のはす縁を洗浄するように構成される処理チャンバも提供する。
（もっと読む）

【課題】 半導体製造装置の真空処理室内の洗浄時に処理室内壁等に付着する水分を早期に除去し、装置のダウンタイムを短縮させることにより、生産性の向上を図ることのできる半導体製造装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】 真空の処理室１と、ガス導入口２と、排気口３とを備える。処理室１内部には、ウェハを載置し処理するステージ１ａが設けられ、このステージ１ａは処理室外部の高周波電源と接続されている。排気口３の下流側には、処理室１の排気量を制御する圧力制御装置４および圧力計６と、処理室１内の空気を排気するポンプ５とが設けられている。洗浄後の処理室１内を真空排気する場合に、ガス導入口２から水分を含んでいないパージガスを流し、同時にポンプ５を稼動させ真空排気を行い、かつ使用しているポンプ５を排気速度が大きい範囲で使用する。 （もっと読む）