Fターム[5M024CC51]の内容
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Fターム[5M024CC51]に分類される特許
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半導体メモリ装置
【課題】ランダムアクセス時の消費電力を低減する。
【解決手段】メモリセルMCaj(j=1〜8)の各々が、ゲートが書き込みワード線に接続され、ソースまたはドレインが記憶ノードSNに接続されている書き込みトランジスタTWと、ゲートが記憶ノードSNに接続されている読み出しトランジスタTRと、記憶ノードSNと読み出しワード線との間に接続されているキャパシタCとを有し、書き込みワード線と読み出しワード線の少なくとも一方が、階層化されている。階層化されているワード線は、主ワード線MWLwまたはMWLrと、それぞれが主ワード線の配線方向に並ぶ複数のメモリセルMCajに接続されている複数の副ワード線SWLw,…またはSWLr,…とからなり、各副ワード線と主ワード線とがスイッチ2wまたは2rを介して接続されている。
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