【課題】 バースト動作の開始アドレスによらずライトリカバリタイムの悪化を抑止可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】 選択データ保持回路１９−１、１９−２、１９−３、１９−４は、バーストライト時におけるＥＣＣコードを構成するビット数分のデータビットＣ（１）、Ｃ（２）、Ｃ（３）、Ｃ（４）及びパリティビットＰごとのメモリセル（図示せず）への複数回の書き込みのうち、初回書き込み時のデータビットを保持する。そして、バーストライト時におけるメモリセルへの最後の書き込み時に、初回に生成されたＥＣＣコードを構成するデータビットのアドレスが指定されると、最後に書き込まれるライトデータと、保持されたデータビットをもとに初回に生成されたパリティビットを更新する。 （もっと読む）

【課題】ＥＣＣビットのビット数を低減することができる半導体記憶装置を提供すること。半導体記憶装置の動作速度を向上させることができる技術を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体記憶装置１は、メモリセルアレイ１０と、ＥＣＣビットを格納するＥＣＣセル２０と、ＥＣＣビットを算出するＥＣＣ演算回路７０とを備える。ＥＣＣ演算回路７０は、少なくとも１つの書き込みデータＤＷａとメモリセルアレイ１０から読み出される読み出しデータＤＤＲの一部からなる第１データＤＥＣＣ１に対して、第１ＥＣＣビットＤＥ１を算出する。 （もっと読む）