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Fターム[5M024JJ51]の内容

DRAM (26,723) | 高速化メモリ (1,935) | 動作モード設定回路 (401)

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Fターム[5M024JJ51]に分類される特許

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【課題】
容易に試験を行うことができる半導体記憶装置、及び、半導体記憶装置を含む情報処理装置を提供することを課題とする。
【解決手段】
半導体記憶装置は、データ信号又はデータストローブ信号をメモリブロックと入出力端子との間で伝送するバスに接続されるODT回路と、前記メモリブロックと前記ODT回路との間で前記バスに挿入されるスイッチ部と、前記メモリブロックの試験時に、前記スイッチ部をオフにするモード制御部と、前記ODT回路に接続される発振器とを含み、前記メモリブロックの試験時に、前記発振器から前記ODT回路に試験用の信号が供給される。 (もっと読む)


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