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国際特許分類[C07F15/00]の内容

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【課題】 高速記録、高密度記録においても感度が高く、記録特性良好で、精度のよいピット形成が可能な、光記録媒体を提供しうる色素を供給する。
【解決手段】 下記式(1)で示されるフタロシアニン化合物。
【化1】


〔式(1)中、Mは2個の水素原子、2価の金属原子、3価または4価の置換金属原子、またはオキシ金属を表し、L1,L2,L3及びL4は、それぞれ独立に式(a)、式(b)、
【化2】


(式(a)または式(b)中、X1,X2はC1-10のアルキル基、C1-15のアルコキシ基、C1-10のアルキルチオ基を表わし、Y1,Y2は水素原子、ニトロ基またはハロゲン原子を表し、(A)は金属系化合物残基を表し、(B)はフタロシアニン化合物と(A)とを結合する基を表す。)を表し、L1〜L4のうち、少なくとも1つが(a)を表す。〕 (もっと読む)


【課題】発光特性の優れた発光素子およびそのための材料を提供する。
【解決手段】式1〜2、又は一般式3の部分構造を有するオルトメタル化イリジウム錯体又はその互変異性からなる発光素子材料。具体例にはそれぞれ1−3、1−1、1−4の化合物がある。




(RとRは置換基、qとqは0〜4の整数を表し、q+qは1以上である。) (もっと読む)


【課題】 CVD法によって強誘電体電極材料やLSI配線材料などに有用な第8属元素例えばルテニウムやイリジウム系の薄膜を製造するさいの好適な原料化合物を得て,その操作性よく良品質の該薄膜を製造する。
【解決手段】 周期律表第8族元素と2,2,6−トリメチル−3,5−ヘプタンジオンまたは2,6−ジメチル−3,5−ヘプタンジオンからなるβ−ジケトン系有機金属錯体を原料化合物として化学的気相蒸着法により基材上に第8族元素または該元素を含む化合物を析出させることからなる第8族元素類の成膜法。 (もっと読む)


【目的】 優れた電気的特性を有し、かつ再現性の良い均一な薄膜を気相成長法によって容易に成膜することができる薄膜の製造方法の提供。
【構成】 まず、恒温槽3内にあって、トリス−ジピバロイルメタナトイリジウムが1g充填された原料容器2(SUS316製、 100℃の恒温に保持)に、不活性キャリアーガス4(アルゴンガス)を、フローメーター5を経て流量を 200ml/min に調節して導入し、このガス4に上記有機金属錯体1を同伴、昇華させる。次いで、このガスを熱分解炉6内に設けられ内部に基板9を載置した石英反応管7(ヒーター8によって 500℃に加熱保持されている)に導入させ、基板9上への金属薄膜の成膜を行う(1時間)。 (もっと読む)


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