国際特許分類［H01L21/06］の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置，他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合，空乏層，キャリア集中層，を有する装置 (97,574) | 不純物として以外に他の材料からなる半導体本体が結合されていない，セレンまたはテルルからなる半導体本体を有する装置 (2)
国際特許分類［H01L21/06］の下位に属する分類
基体板の処理
セレンまたはテルルの前処理，基体板への適用，または続いての結合処理
基体板へ適用した後のセレンまたはテルルの露出面への電極の形成
完全装置の処理，例．障壁形成のためのエレクトロフォーミングによるもの
国際特許分類［H01L21/06］に分類される特許
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電界効果型トランジスタ、半導体集積回路装置および電界効果型トランジスタの製造方法
【目的】ディレイ変動の低減
【構成】化合物半導体層と、この化合物半導体層に設けられた第１導電型のチャネル領域と、化合物半導体層中でこのチャネル領域を挟んで対向して設けられた、第１導電型のソースおよびドレイン領域と、チャネル領域上に設けられ、ソース、ドレイン領域の対向する方向を横切る方向に延在するとともに、チャネル領域よりも外側に突出する突出部を有するゲート電極と、ソースおよびドレイン領域に電気的に接続されたソースおよびドレイン電極と、化合物半導体層中に形成され、かつチャネル領域、ソース、ドレイン領域および前記ゲート電極の突出部よりも外側でこれらを囲み、且つチャネル、ソース、ドレイン領域よりも深く形成された第１導電型とは反対の第２導電型のウエル領域とを備える。
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電界効果型トランジスタ、半導体集積回路装置および電界効果型トランジスタの製造方法
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