本実施例で単層基板（２）からなるＤＣ−ＤＣ変換器であるＰＣＢアセンブリ（１）は、高熱発生部品（３）を形成する電力半導体デバイスと、熱放散部品（４）を形成する磁性材料からなる様々なコアを実装している。熱伝導性結合材料（６）の抵抗路が、各熱発生部品（３）の上または下に配設されて、１つの熱放散部品（４）の中に突入しかつその他の側方に延出している。ある実施例では、熱発生部品（３）が熱放散部品（３）の中に収容される。別のＰＣＢアセンブリでは、それ自体が熱発生部品（３）又は熱放散部品（４）のみを担持する追加のプラグインＰＣＢが設けられる。後者の場合、熱発生部品（３）は前記ＰＣＢアセンブリ上に追加のプラグインＰＣＢの下側に実装される。 （もっと読む）

ヒートシンク装置（１０）は、グラファイト材料からなる長短シート（１４）、（１６）が交互にサンドイッチ上に配置されてなり、長シート（１４）が短シート（１６）よりも長く伸びてフィンを形成してなる。異方性グラファイト材料の熱伝導率の高い方向は、シートの平面方向に配向している。長（１４）短（１６）シートの基底末端（１８）は、それら基底末端（１８）が全体的に平坦な基底表面（２０）を形成するように互いに整列して、前記ヒートシンク装置により冷却される電子装置（１２）と前記基底表面（２０）とが係合してなる。 （もっと読む）

【課題】 本装置の金属裏側（３４）と端子（３８）との間に電圧分離を有するパッケージ化パワー半導体装置（２４）。本装置からヒートシンクへの電気的分離及び良好な伝熱を与えるために直接ボンド付け銅（ＤＢＣ）基板（２８）を使用している。パワー半導体ダイ（２６）が半田又はその他の態様でＤＢＣ基板の第一金属層（３０）ヘ装着されている。第一金属層は該半導体ダイによって発生される熱を散逸させる。該リード及びダイは単一の操作でＤＢＣ基板へ半田付けさせることが可能である。１実施例においては、３，０００Ｖを超える分離が達成される。別の実施例においては、該パッケージ化パワー半導体装置はＴＯ−２４７アウトラインに適合している。 （もっと読む）

対流熱伝達向上のための特徴が、半導体デバイスを担持し熱的に調質するためのトレイ内又は集積回路チップパッケージ上に形成される。流体流れに直交する上方に延びるリブがトレイ及び（又は）パッケージに形成され、テスト中のデバイスの近傍の流体流れの混合を増大させ、デバイスに対する対流熱伝達を向上させる。下方に延びるリブがまたトレイ及び（又は）パッケージに形成される。トレイに形成された上方及び下方に延びるリブは食い違い関係で配置され、トレイの積載を容易にする。代わりに、表面粗さをトレイ及び（又は）パッケージに設けることができる。パッケージに設けられる表面粗さは、摘出及び配置機械がパッケージを取り扱えるようにパッケージ上に十分な円滑な領域を残すようなものとする。 （もっと読む）

例示的な一実施例では、構造は、上面を有する基板（３０１）と、基板（３０１）の上面上に位置するダイ取付パッド（３０２）とを含む。ダイ取付パッド（３０２）は、ダイ取付領域（３１１）と、ダイ取付領域（３１１）に電気的に接続された少なくとも１つの基板接地パッド領域（３１３ａ）とを含む。ダイ取付パッド（３０２）はさらに、ダイ取付領域（３１１）と少なくとも１つの基板接地パッド領域（３１３ａ）との間に、ダイ接着剤止め（３３９）を含む。ダイ接着剤止め（３３９）は、パッケージング中、少なくとも１つの基板接地パッド領域（３１３ａ）へのダイ取付接着剤の流出（３１５）を調節および制限するよう作用し、そのため、少なくとも１つの基板接地パッド領域（３１３ａ）をダイ取付領域（３１１）により近づくよう動かすことができ、そのため、パッケージング中、少なくとも１つの基板接地パッド領域（３１３ａ）をダイワイヤボンドパッド（３１４ａ）に接続するために、より短いボンドワイヤ（３２６ａ）が使用され得る。
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