基板処理装置
【課題】基板の浸漬処理の均一性を向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板の浸漬処理を行う基板処理装置１０ａでは、処理槽１の内部に処理液を供給する６つの供給管２ａ〜２ｆが設けられている。これら、６つの供給管２ａ〜２ｆは互いに異なる高さに均等に設けられる。また、６つの供給管２ａ〜２ｆは高さ方向に関して二つの壁面１１，１２に対し交互に設けられる。さらに、６つの供給管２ａ〜２ｆは略水平方向に沿って処理液を供給する。このため、処理槽１の全体に略水平方向に沿った平行な処理液の流れが均一に形成できることから、渦流の発生及びそれに伴う滞留部の形成を効果的に抑制できる。その結果、基板Ｗの浸漬処理の均一性を向上できる。
【解決手段】基板の浸漬処理を行う基板処理装置１０ａでは、処理槽１の内部に処理液を供給する６つの供給管２ａ〜２ｆが設けられている。これら、６つの供給管２ａ〜２ｆは互いに異なる高さに均等に設けられる。また、６つの供給管２ａ〜２ｆは高さ方向に関して二つの壁面１１，１２に対し交互に設けられる。さらに、６つの供給管２ａ〜２ｆは略水平方向に沿って処理液を供給する。このため、処理槽１の全体に略水平方向に沿った平行な処理液の流れが均一に形成できることから、渦流の発生及びそれに伴う滞留部の形成を効果的に抑制できる。その結果、基板Ｗの浸漬処理の均一性を向上できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板等の基板の浸漬処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬して処理する基板処理装置が知られている。このような基板処理装置では、薬液及び純水（以下、薬液及び純水を総称して「処理液」という。）へ基板を浸漬する浸漬処理により、エッチング、汚染物質の除去、レジスト膜の剥離などの所定の基板処理を行うようになっている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
図１８は、浸漬処理を行う従来の基板処理装置の一例を示す図である。図に示すように、基板処理装置９０は、処理液を貯留する処理槽９１を備えており、この処理槽９１の二つの壁面の下方にはそれぞれ、処理液を供給する供給管９２が設けられる。基板Ｗは、この処理槽９１に貯留された処理液に対して浸漬され、これによりエッチングなどの所定の基板処理がなされる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１０１５７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、図１８に示すような従来の基板処理装置９０では２つの供給管９２から連続的に処理液が供給される。供給された処理液は処理槽９１の下方で干渉し合い、矢印Ａｒに示すように、その干渉位置から上方に向かった後に外周側へ向かい、さらに下方に向うという渦状の処理液の流れ（渦流）が形成される。
【０００６】
しかしながら、このような処理液の流れにおいては、渦流の中心部付近などに処理液の流れが悪くなる滞留部９３が形成される。この滞留部９３にはパーティクルや反応生成物が滞留し、また、滞留部９３と他の部分との間では処理液の濃度の差が生じる。このため、基板Ｗの一部が滞留部９３に含まれる場合には、基板Ｗの浸漬処理の均一性が阻害されることになる。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板の浸漬処理の均一性を向上できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板の浸漬処理を行う基板処理装置であって、前記基板の浸漬処理のための処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の相対する二つの壁面に沿って設けられ、前記処理槽内に前記処理液を供給する６以上の供給手段と、を備え、前記６以上の供給手段は、互いに異なる高さに設けられる。
【０００９】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記６以上の供給手段は、高さ方向に関して前記二つの壁面に対し交互に設けられる。
【００１０】
また、請求項３の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置において、前記６以上の供給手段は、同一方向に沿って前記処理液を供給する。
【００１１】
また、請求項４の発明は、基板の浸漬処理を行う基板処理装置であって、前記基板の浸漬処理のための処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の相対する二つの壁面に沿って設けられ、前記処理槽内に前記処理液を供給する６以上の供給手段と、を備え、前記６以上の供給手段のうち前記二つの壁面の一方に沿って設けられる複数の第１供給手段は、前記処理槽内の同一位置に向けて前記処理液を供給し、前記６以上の供給手段のうち前記二つの壁面の他方に沿って設けられる複数の第２供給手段は、同一方向に沿って前記処理液を供給する。
【００１２】
また、請求項５の発明は、請求項４に記載の基板処理装置において、前記複数の第１供給手段は、前記処理槽に浸漬された前記基板の主面の中心に向けて前記処理液を供給する。
【００１３】
また、請求項６の発明は、請求項４または５に記載の基板処理装置において、前記複数の第１供給手段及び前記複数の第２供給手段の前記処理液の供給動作を制御する制御手段、をさらに備え、前記制御手段は、前記複数の第１供給手段と前記複数の第２供給手段とに交互に処理液を供給させる。
【００１４】
また、請求項７の発明は、基板の浸漬処理を行う基板処理装置であって、相対する二つの壁面を有し、前記基板の浸漬処理のための処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の相対する二つの壁面に沿って設けられ、前記処理槽内に前記処理液を供給する６以上の供給手段と、前記６以上の供給手段の前記処理液の供給動作を制御する制御手段と、を備え、前記６以上の供給手段は、複数のグループに区分され、前記制御手段は、前記グループごとに順次に処理液を供給させる。
【００１５】
また、請求項８の発明は、請求項７に記載の基板処理装置において、前記複数のグループのうちの一つである第１グループに属する複数の供給手段は、前記二つの壁面の同一の高さに設けられ、前記複数のグループのうちの他の一つである第２グループに属する複数の供給手段は、互いに異なる高さに設けられる。
【００１６】
また、請求項９の発明は、請求項８に記載の基板処理装置において、前記６以上の供給手段は、略水平方向に沿って前記処理液を供給する。
【００１７】
また、請求項１０の発明は、請求項８または９に記載の基板処理装置において、前記第２グループに属する複数の供給手段は、前記二つの壁面の一方に設けられる。
【００１８】
また、請求項１１の発明は、請求項８または９に記載の基板処理装置において、前記第２グループに属する複数の供給手段は、前記二つの壁面に分かれて設けられる。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１ないし３の発明によれば、６以上の供給手段が互いに異なる高さに設けられることから、処理槽の全体に処理液の流れが形成されて滞留部の形成が防止され、浸漬処理の均一性を向上できる。
【００２０】
また、特に請求項２の発明によれば、６以上の供給手段が、高さ方向に関して二つの壁面に対し交互に設けられることから、偏りのない均一な処理液の流れを形成できる。
【００２１】
また、特に請求項３の発明によれば、６以上の供給手段が同一方向に沿って処理液を供給することから、処理槽内に一定方向に沿った平行な処理液の流れを形成でき、滞留部の形成を効果的に防止できる。
【００２２】
請求項４ないし６の発明によれば、一方の壁面の複数の第１供給手段が処理槽内の同一位置に向けて処理液を供給するため、処理液を攪拌してその濃度の均一性を向上できる。これとともに、他方の壁面の複数の第２供給手段が同一方向に沿って処理液を供給するため、処理槽内に一定方向に沿った処理液の流れを形成でき、滞留部の形成を防止できる。その結果、浸漬処理の均一性を向上できる。
【００２３】
また、特に請求項４の発明によれば、基板の主面の中心に向けて処理液が供給されるため、基板近傍の処理液の濃度の均一性をより向上させることができ、浸漬処理の均一性をさらに向上できる。
【００２４】
また、特に請求項５の発明によれば、異なる二つの処理液の流れを形成でき、浸漬処理の均一性をさらに向上できる。
【００２５】
請求項７ないし１１の発明によれば、異なる複数の処理液の流れを形成でき、浸漬処理の均一性を向上できる。
【００２６】
また、特に請求項８の発明によれば、第１グループに属する複数の供給手段は二つの壁面の同一の高さに設けられ、第２グループに属する複数の供給手段は互いに異なる高さに設けられるため、大きく異なる複数の処理液の流れを形成できる。
【００２７】
また、特に請求項９の発明によれば、第１グループにより、処理液を攪拌してその濃度の均一性を向上できる。これとともに、第２グループにより、処理槽内に一定方向に沿った処理液の流れを形成でき、滞留部の形成を防止できる。その結果、浸漬処理の均一性をさらに向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
【００２９】
＜１．第１の実施の形態＞
＜１−１．構成＞
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置１０ａの概略構成を示す図である。図１は、基板処理装置１０ａを、その処理対象となる基板Ｗの主面と平行な面で切断した縦断面図に相当する。
【００３０】
この基板処理装置１０ａは、複数の基板Ｗを一括して処理液中に浸漬する浸漬処理を行う、バッチ式の基板処理装置である。基板処理装置１０ａでは、このような浸漬処理により、基板Ｗに対し、エッチング、汚染物質の除去、あるいは、レジスト膜の剥離などの所定の基板処理がなされる。例えば、エッチングを行う場合は、処理液（薬液）としてアンモニア、アンモニア水、フッ酸などが用いられる。
【００３１】
図１に示すように、基板処理装置１０ａは、主に処理液を貯留する処理槽１と、基板Ｗを搬送するリフタ３とを備えている。
【００３２】
処理槽１は、処理液を貯留することが可能な容器であり、その処理液中に基板Ｗを浸漬することによって基板Ｗの主面の処理を行う。この処理槽１の上部からは処理液がオーバフローするようになっており、オーバフローした処理液は処理槽１の外部に設けられる外槽（図示省略）に貯留された後、排液ラインに排出される。
【００３３】
リフタ３は、基板Ｗを上下に搬送する搬送機構であり、複数の基板Ｗを起立姿勢で保持する保持棒３１と、リフタアーム３２と、駆動部（図示省略）とを備えている。駆動部を動作させるとリフタアーム３２と保持棒３１とが一体的に上下に移動し、これにより基板Ｗは、起立姿勢を維持したまま、処理槽１内に浸漬される位置と、処理槽１から引き上げられた位置との間で移動される。
【００３４】
また、処理槽１は、相対する二つの壁面１１，１２を鉛直方向に沿って備えている。処理槽１の内部には、これらの二つの壁面１１，１２に沿って、処理液を供給する６つの供給管２ａ〜２ｆが設けられている。なお以下では、説明の便宜上、図中左側の壁面１１を「左壁面」１１と称し、図中右側の壁面１２を「右壁面」１２と称する。
【００３５】
６つの供給管２ａ〜２ｆは、配管４１により処理液供給源４に接続されている。また、この処理液供給源４から供給管２ａ〜２ｆに到る配管４１の経路においては、配管４１が分岐する前の位置に一つのバルブ４２が設けられている。このバルブ４２を開放すると、処理液供給源４から６つの供給管２ａ〜２ｆ全ての内部に処理液が供給され、さらに、６つの供給管２ａ〜２ｆから同時に処理槽１の内部に処理液が供給される。
【００３６】
供給管２ａ〜２ｆは円筒形状を有しており、管表面には円筒の長手方向に沿って複数の吐出孔が設けられている。供給管２ａ〜２ｆの内部に供給された処理液は、この複数の吐出孔を介して処理槽１の内部に供給される。したがって、管表面における吐出孔の形成位置により、供給管２ａ〜２ｆが処理液を供給する方向が規定される。本実施の形態では、６つの供給管２ａ〜２ｆの全てが同一方向に、より具体的には略水平方向に処理液を供給するようになっている。
【００３７】
図に示すように、左壁面１１には６つの供給管２ａ〜２ｆのうちの３つの供給管２ａ，２ｂ，２ｃが上からこの順に設けられ、右壁面１２には他の３つの供給管２ｄ，２ｅ，２ｆが上からこの順に設けられている。以下では、便宜上、左壁面１１に設けられる供給管２ａ〜２ｃを「左供給管」２ａ〜２ｃともいい、右壁面１２に設けられる供給管２ｄ〜２ｆを「右供給管」２ｄ〜２ｆともいう。
【００３８】
隣接する左供給管２ａ〜２ｃ同士の距離、及び、隣接する右供給管２ｅ〜２ｆ同士の距離は全て一致しており、以下この距離を”ｄ”とする。一方で、６つの供給管２ａ〜２ｆの配置位置は左右の壁面１１，１２で非対称となっており、左供給管２ａ〜２ｃの方が右供給管２ｅ〜２ｆよりも”ｄ／２”だけ高く配置されている。したがって、６つの供給管２ａ〜２ｆは互いに異なる高さ（処理槽１に対する相対高さ。以下同様。）に設けられる。具体的には、上から順に、供給管２ａ（左）、供給管２ｄ（右）、供給管２ｂ（左）、供給管２ｅ（右）、供給管２ｃ（左）、供給管２ｆ（右）が、”ｄ／２”ずつ距離をおいて等間隔に設けられる。すなわち、６つの供給管２ａ〜２ｆは、高さ方向（鉛直方向）に関して二つの壁面１１，１２に対して交互に設けられる。なお、最も高い供給管２ａの位置は浸漬された基板Ｗの上端位置と略一致し、最も低い供給管２ｆの位置は浸漬された基板Ｗの下端位置と略一致する。
【００３９】
また、基板処理装置１０ａは、装置の動作を統括的に制御するためのマイクロコンピュータなどで構成される制御部５を備えている。図に示すように、制御部５は、バルブ４２に接続され、バルブ４２の開閉動作を制御する。したがって、制御部５は、６つの供給管２ａ〜２ｆの供給動作を制御できる。
【００４０】
＜１−２．動作＞
次に、基板処理装置１０ａの動作について説明する。基板処理装置１０ａでは、まず、処理液が貯留された処理槽１に対して、リフタ３により基板Ｗが浸漬される。その後、制御部５の制御により、バルブ４２が開放され、６つの供給管２ａ〜２ｆから同時に処理槽１の内部に処理液が供給され、基板Ｗの主面に対して処理がなされる。
【００４１】
図２は、第１の実施の形態の処理液の供給時における処理槽１の状態を示す図である。図に示すように、６つの供給管２ａ〜２ｆの全てから処理槽１の内部に処理液が供給され、処理液の流れが形成される。
【００４２】
左供給管２ａ〜２ｃから供給された処理液は、右壁面１２に向かう略水平方向の流れ（矢印Ａｒ１）を形成する。一方、右供給管２ｅ〜２ｆから供給された処理液は、左壁面１１に向かう略水平方向の流れ（矢印Ａｒ２）を形成する。これらの流れは同時に生じる。
【００４３】
この際、６つの供給管２ａ〜２ｆは互いに異なる高さに均等に設けられることから、処理槽１の全体に処理液の流れを形成できる。また、６つの供給管２ａ〜２ｆが、高さ方向に関して二つの壁面１１，１２に対し交互に設けられることから、左壁面１１と右壁面１２との間で偏りのない均一な処理液の流れを形成できる。
【００４４】
さらに、６つの供給管２ａ〜２ｆが略水平方向に沿って処理液を供給することから、各供給管から供給された処理液は、他の供給管から供給された処理液と干渉することなく、対向する壁面にまで到達する。したがって、処理槽１内に略水平方向に沿った平行な処理液の流れを形成でき、渦流の発生を防止できる。
【００４５】
このように本実施の形態の基板処理装置１０ａでは、処理槽１の全体に略水平方向に沿った平行な処理液の流れを均一に形成できることから、渦流の発生及びそれに伴う滞留部の形成を効果的に抑制できる。その結果、基板Ｗの浸漬処理の均一性を向上できる。
【００４６】
＜２．第２の実施の形態＞
＜２−１．構成＞
次に、第２の実施の形態について説明する。図３は、第２の実施の形態に係る基板処理装置１０ｂの概略構成を示す図である。本実施の形態の基板処理装置１０ｂの構成は、第１の実施の形態の基板処理装置１０ａの構成とほぼ同様であるため、以下相違点を中心に説明する。
【００４７】
本実施の形態の基板処理装置１０ｂにおいても、左壁面１１には３つの供給管２ａ，２ｂ，２ｃ（左供給管）が上からこの順に等間隔に設けられ、右壁面１２には他の３つの供給管２ｄ，２ｅ，２ｆ（右供給管）が上からこの順に等間隔に設けられている。ただし、６つの供給管２ａ〜２ｆの配置位置は左右の壁面１１，１２で対称となっており、供給管２ａと供給管２ｄ、供給管２ｂと供給管２ｅ、供給管２ｃと供給管２ｆはそれぞれ同一の高さに配置されている。最も高い供給管２ａ，２ｄの位置は浸漬された基板Ｗの上端位置と略一致し、最も低い供給管２ｃ，２ｆの位置は浸漬された基板Ｗの下端位置と略一致し、それらの中間の供給管２ｃ，２ｆの位置は浸漬された基板Ｗの主面の中心Ｏと略一致する。
【００４８】
また、左供給管２ａ〜２ｃは、同一位置に向けて供給する。より具体的には、左供給管２ａ〜２ｃは、浸漬された基板Ｗの主面の中心Ｏに向けて処理液を供給する。したがって、供給管２ａは水平方向よりも下方に向けて処理液を供給し、供給管２ｃは水平方向よりも上方に向けて処理液を供給することになる。一方で、右供給管２ｅ〜２ｆは、第１の実施の形態と同様に略水平方向に処理液を供給する。
【００４９】
本実施の形態においても、６つの供給管２ａ〜２ｆは、配管４１により処理液供給源４に接続されている。ただし、６つの供給管２ａ〜２ｆはそれぞれ個別のバルブ４２ａ〜４２ｆを介して処理液供給源４に接続されており、バルブ４２ａ〜４２ｆの開閉により処理液の供給／非供給を個別に変更できるようになっている。本実施の形態の制御部５は、これらバルブ４２ａ〜４２ｆに接続され、その開閉動作を制御する。したがって、制御部５は、６つの供給管２ａ〜２ｆの処理液の供給／非供給を個別に制御できる。
【００５０】
＜２−２．動作＞
次に、本実施の形態の基板処理装置１０ｂの動作について説明する。基板処理装置１０ｂでも、まず、処理液が貯留された処理槽１に基板Ｗが浸漬された後、６つの供給管２ａ〜２ｆから処理槽１の内部に処理液が供給される。ただし、本実施の形態では、６つの供給管２ａ〜２ｆから同時に処理液が供給されるのではなく、左供給管２ａ〜２ｃと右供給管２ｄ〜２ｆとから交互に処理液が供給される。つまり、制御部５の制御により、処理液を供給すべき供給管が、左供給管２ａ〜２ｃと右供給管２ｄ〜２ｆとで所定時間ごとに切り換えられる。
【００５１】
図４は、第２の実施の形態の処理液の供給時における処理槽１の状態を示す図である。ステートＳＴ１は左供給管２ａ〜２ｃから処理液が供給された状態を示し、ステートＳＴ２は右供給管２ｄ〜２ｆから処理液が供給された状態を示している。本実施の形態の浸漬処理では、ステートＳＴ１及びステートＳＴ２の処理が交互に繰り返し実施される。
【００５２】
ステートＳＴ１では、制御部５の制御により、バルブ４２ａ〜４２ｃが開放されバルブ４２ｄ〜４２ｆが閉鎖される。これにより、左供給管２ａ〜２ｃのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。
【００５３】
左供給管２ａ〜２ｃは基板Ｗの主面の中心Ｏに向けて処理液を供給する。このため、左供給管２ａ〜２ｃから供給された処理液は、基板Ｗの主面の中心Ｏ付近で干渉し合う。そして、その干渉位置から右壁面１２に向かった後に上方及び下方に向かい、さらに左壁面１１に向うという渦状の処理液の流れ（矢印Ａｒ３）が形成される。
【００５４】
このようにステートＳＴ１では、供給された処理液が基板Ｗの主面の中心Ｏ付近で干渉し合うことから処理液が攪拌されることになり、基板Ｗの主面に接触する基板近傍の処理液の濃度の均一性を向上する効果が奏される。ただし、渦流の形成に伴って処理液の滞留部が形成される可能性がある。
【００５５】
一方、ステートＳＴ２では、制御部５の制御により、バルブ４２ａ〜４２ｃが閉鎖されてバルブ４２ｄ〜４２ｆが開放される。これにより、右供給管２ｄ〜２ｆのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。
【００５６】
右供給管２ｄ〜２ｆは略水平方向に処理液を供給する。このため、右供給管２ｅ〜２ｆから供給された処理液は、左壁面１１に向かう略水平方向に沿った平行な流れ（矢印Ａｒ４）を形成する。
【００５７】
上述のようにステートＳＴ１の処理液の流れを継続するとそれに起因して滞留部が形成される可能性があるが、所定時間でステートＳＴ２の一定方向に沿った処理液の流れに変更されることにより、滞留部の発生が効果的に抑制される。
【００５８】
このように本実施の形態の基板処理装置１０ｂでは、ステートＳＴ１において処理液の攪拌作用により処理液の濃度の均一性を向上でき、ステートＳＴ２において滞留部の形成を防止できる。その結果、基板Ｗの浸漬処理の均一性を大きく向上できる。
【００５９】
＜３．第３の実施の形態＞
＜３−１．構成＞
次に、第３の実施の形態について説明する。図５は、第３の実施の形態に係る基板処理装置１０ｃの概略構成を示す図である。本実施の形態の基板処理装置１０ｃの構成は、左供給管２ａ〜２ｃが略水平方向に処理液を供給する点を除き、第２の実施の形態の基板処理装置１０ｂと同一である。したがって、本実施の形態では、６つの供給管２ａ〜２ｆの全てが略水平方向に処理液を供給する。制御部５が、６つの供給管２ａ〜２ｆの処理液の供給／非供給を個別に制御できる点も第２の実施の形態と同様である。
【００６０】
また、本実施の形態では、６つの供給管２ａ〜２ｆが、Ａグループ，Ｂグループ及びＣグループの３つのグループに区分され、グループ単位で制御部５により制御される。
【００６１】
図６は、６つの供給管２ａ〜２ｆのグループの区分を示す図である。図に示すように、供給管２ｃと供給管２ｆとがＡグループ、供給管２ａと供給管２ｂとがＢグループ、供給管２ｄと供給管２ｅとがＣグループにそれぞれ区分されている。したがって、Ａグループは二つの壁面の同一の高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなり、Ｂグループ及びＣグループは同一壁面（二つの壁面の一方）の異なる高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなる。
【００６２】
＜３−２．動作＞
次に、本実施の形態の基板処理装置１０ｃの動作について説明する。本実施の形態においても、６つの供給管２ａ〜２ｆから同時に処理液が供給されるのではなく、グループごとに順次に処理液が供給される。つまり、制御部５の制御により処理液を供給するグループが所定時間ごとに切り換えられる。
【００６３】
図７は、第３の実施の形態の処理液の供給時における処理槽１の状態を示す図である。ステートＳＴ１１はＡグループから、ステートＳＴ１２はＢグループから、ステートＳＴ１３はＣグループからそれぞれ処理液が供給される状態を示している。本実施の形態の浸漬処理では、制御部５の制御により、ステートＳＴ１１，ＳＴ１２及びＳＴ１３の処理がこの順で順次に繰り返し実施される。
【００６４】
ステートＳＴ１１では、制御部５の制御により、バルブ４２ｃ，４２ｆのみが開放され、その他のバルブが閉鎖される。これにより、Ａグループに属する供給管２ｃ，２ｆのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ｃ，２ｆは同一の高さに対向して設けられることから、供給管２ｃ，２ｆから供給された処理液は基板Ｗの主面の下端付近で干渉し合う。そして、その干渉位置から上方に向かった後に外周側に向かい、さらに下方に向うという渦状の処理液の流れ（矢印Ａｒ１１）が形成される。したがって、滞留部が形成される可能性がある。
【００６５】
ステートＳＴ１２では、制御部５の制御により、バルブ４２ａ，４２ｂのみが開放され、その他のバルブが閉鎖される。これにより、Ｂグループに属する供給管２ａ，２ｂのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ａ，２ｂは左壁面１１の互いに異なる高さに設けられることから、供給管２ｃ，２ｆから供給された処理液は、右壁面１２に向かう略水平方向に沿った平行な流れ（矢印Ａｒ１２）を形成する。
【００６６】
ステートＳＴ１３では、制御部５の制御により、バルブ４２ｄ，４２ｅのみが開放され、その他のバルブが閉鎖される。これにより、Ｃグループに属する供給管２ｄ，２ｅのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ｄ，２ｅは右壁面１２の互いに異なる高さに設けられることから、供給管２ｄ，２ｅから供給された処理液は、左壁面１１に向かう略水平方向に沿った平行な流れ（矢印Ａｒ１３）を形成する。
【００６７】
このように、本実施の形態の基板処理装置１０ｃでは、６つの供給管２ａ〜２ｆを３つのグループに区分し、グループごとに順次に処理液を供給させる。したがって、異なる３つの処理液の流れを形成することができる。滞留部は一定の流れが継続することに起因して生じるが、このように異なる処理液の流れを順次に形成することで、滞留部の形成を効果的に抑制することができる。特に、同一の高さに設けられた２つの供給管が属するグループと、異なる高さに設けられた２つの供給管が属するグループとが存在することから、大きく異なる処理液の流れを形成することが可能となる。
【００６８】
また、同一の高さに設けられた２つの供給管が属するＡグループから供給された処理液は干渉し合うことから、処理液が攪拌されることになり、処理液の濃度の均一性を向上する効果が奏される（ステートＳＴ１１）。これとともに、異なる高さに設けられた２つの供給管が属するＢ，Ｃグループから供給された処理液は、一定方向に沿った平行な流れを形成することにより、ステートＳＴ１１において生じる可能性のある滞留部の発生を効果的に抑制する（ステートＳＴ１２，ＳＴ１３）。したがって、基板Ｗの浸漬処理の均一性を向上できることになる。
【００６９】
＜４．第４の実施の形態＞
次に、第４の実施の形態について説明する。本実施の形態の基板処理装置の構成は第３の実施の形態のもの（図５参照。）と同一であり、グループの区分手法のみが異なっている。すなわち、図８に示すように、供給管２ａと供給管２ｄとがＡグループ、供給管２ｂと供給管２ｃとがＢグループ、供給管２ｅと供給管２ｆとがＣグループにそれぞれ区分されている。したがって、Ａグループは二つの壁面の同一の高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなり、Ｂグループ及びＣグループは同一壁面の異なる高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなる。
【００７０】
図９は、第４の実施の形態の処理液の供給時における処理槽１の状態を示す図である。ステートＳＴ２１はＡグループから、ステートＳＴ２２はＢグループから、ステートＳＴ２３はＣグループからそれぞれ処理液が供給される状態を示している。本実施の形態の浸漬処理では、制御部５の制御により、ステートＳＴ２１，ＳＴ２２及びＳＴ２３の処理がこの順で順次に繰り返し実施される。
【００７１】
ステートＳＴ２１では、Ａグループに属する供給管２ａ，２ｄのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ａ，２ｄから供給された処理液は基板Ｗの主面の上端付近で干渉し合う。そして、その干渉位置から下方に向かった後に外周側に向かい、さらに上方に向うという渦状の処理液の流れ（矢印Ａｒ２１）が形成される。
【００７２】
ステートＳＴ２２では、Ｂグループに属する供給管２ｂ，２ｃのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ｂ，２ｃから供給された処理液は、右壁面１２に向かう略水平方向に沿った平行な流れ（矢印Ａｒ２２）を形成する。
【００７３】
ステートＳＴ２３では、Ｃグループに属する供給管２ｅ，２ｆのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ｅ，２ｆから供給された処理液は、左壁面１１に向かう略水平方向に沿った平行な流れ（矢印Ａｒ２３）を形成する。
【００７４】
このように、本実施の形態の基板処理装置においても、第３の実施の形態とほぼ同様の動作がなされるため、第３の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００７５】
＜５．第５の実施の形態＞
次に、第５の実施の形態について説明する。本実施の形態の基板処理装置の構成は第３の実施の形態のもの（図５参照。）と同一であり、グループの区分手法のみが異なっている。すなわち、図１０に示すように、供給管２ｂと供給管２ｅとがＡグループ、供給管２ａと供給管２ｃとがＢグループ、供給管２ｄと供給管２ｆとがＣグループにそれぞれ区分されている。したがって、Ａグループは二つの壁面の同一の高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなり、Ｂグループ及びＣグループは同一壁面の異なる高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなる。
【００７６】
図１１は、第５の実施の形態の処理液の供給時における処理槽１の状態を示す図である。ステートＳＴ３１はＡグループから、ステートＳＴ３２はＢグループから、ステートＳＴ３３はＣグループからそれぞれ処理液が供給される状態を示している。本実施の形態の浸漬処理では、制御部５の制御により、ステートＳＴ３１，ＳＴ３２及びＳＴ３３の処理がこの順で順次に繰り返し実施される。
【００７７】
ステートＳＴ３１では、Ａグループに属する供給管２ｂ，２ｅのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ｂ，２ｅから供給された処理液は基板Ｗの主面の中心Ｏ付近で干渉し合う。そして、その干渉位置から上方及び下方に向かった後に外周側に向かい、さらに中央部に向うという渦状の処理液の流れ（矢印Ａｒ３１）が形成される。
【００７８】
ステートＳＴ３２では、Ｂグループに属する供給管２ａ，２ｃのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ａ，２ｃから供給された処理液は、右壁面１２に向かう略水平方向に沿った平行な流れ（矢印Ａｒ３２）を形成する。
【００７９】
ステートＳＴ３３では、Ｃグループに属する供給管２ｄ，２ｆのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ｄ，２ｆから供給された処理液は、左壁面１１に向かう略水平方向に沿った平行な流れ（矢印Ａｒ３３）を形成する。
【００８０】
このように、本実施の形態の基板処理装置においても、第３の実施の形態とほぼ同様の動作がなされるため、第３の実施の形態と同様の効果が得られる。また、本実施の形態では、同一の高さに設けられた２つの供給管が属するＡグループから供給された処理液が、基板Ｗの主面の中心Ｏ付近で干渉し合うことから（ステートＳＴ３１）、基板Ｗの主面に接触する基板近傍の処理液の濃度の均一性を向上する効果が奏される。
【００８１】
＜６．第６の実施の形態＞
次に、第６の実施の形態について説明する。本実施の形態の基板処理装置の構成は第３の実施の形態のもの（図５参照。）と同一であり、グループの区分手法のみが異なっている。すなわち、図１２に示すように、供給管２ｃと供給管２ｆとがＡグループ、供給管２ａと供給管２ｅとがＢグループ、供給管２ｂと供給管２ｄとがＣグループにそれぞれ区分されている。したがって、Ａグループは二つの壁面の同一の高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなる。Ｂグループ及びＣグループは、二つ壁面に分かれて、かつ、異なる高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなる。
【００８２】
図１３は、第６の実施の形態の処理液の供給時における処理槽１の状態を示す図である。ステートＳＴ４１はＡグループから、ステートＳＴ４２はＢグループから、ステートＳＴ４３はＣグループからそれぞれ処理液が供給される状態を示している。本実施の形態の浸漬処理では、制御部５の制御により、ステートＳＴ４１，ＳＴ４２及びＳＴ４３の処理がこの順で順次に繰り返し実施される。
【００８３】
ステートＳＴ４１では、Ａグループに属する供給管２ｃ，２ｆのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。この流れ（矢印Ａｒ４１）は、第３の実施の形態のステートＳＴ１１（図７参照。）と同様である。
【００８４】
ステートＳＴ４２では、Ｂグループに属する供給管２ａ，２ｅのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ａから供給された処理液は、右壁面１２に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ４２）を形成する。その一方で、供給管２ｅから供給された処理液は、左壁面１１に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ４３）を形成する。
【００８５】
ステートＳＴ４３では、Ｃグループに属する供給管２ｂ，２ｄのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ｂから供給された処理液は、右壁面１２に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ４４）を形成する。その一方で、供給管２ｄから供給された処理液は、左壁面１１に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ４５）を形成する。
【００８６】
このように、本実施の形態の基板処理装置においても、第３の実施の形態とほぼ同様の動作がなされるため、第３の実施の形態と同様の効果が得られる。また、本実施の形態でもＢ，Ｃグループから供給された処理液は一定方向に沿った平行な流れを形成するが、同一グループに属する２つの供給管が二つ壁面に分かれて配置されるため、処理液は互いに異なる向きから干渉しないように供給される。このことから、左壁面１１と右壁面１２との間で偏りのない均一な処理液の流れを形成できる（ステートＳＴ４２，ＳＴ４３）。
【００８７】
＜７．第７の実施の形態＞
次に、第７の実施の形態について説明する。本実施の形態の基板処理装置の構成は第３の実施の形態のもの（図５参照。）と同一であり、グループの区分手法のみが異なっている。すなわち、図１４に示すように、供給管２ａと供給管２ｄとがＡグループ、供給管２ｂと供給管２ｆとがＢグループ、供給管２ｃと供給管２ｅとがＣグループにそれぞれ区分されている。したがって、Ａグループは二つの壁面の同一の高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなる。Ｂグループ及びＣグループは、二つ壁面に分かれて、かつ、異なる高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなる。
【００８８】
図１５は、第７の実施の形態の処理液の供給時における処理槽１の状態を示す図である。ステートＳＴ５１はＡグループから、ステートＳＴ５２はＢグループから、ステートＳＴ５３はＣグループからそれぞれ処理液が供給される状態を示している。本実施の形態の浸漬処理では、制御部５の制御により、ステートＳＴ５１，ＳＴ５２及びＳＴ５３の処理がこの順で順次に繰り返し実施される。
【００８９】
ステートＳＴ５１では、Ａグループに属する供給管２ａ，２ｄのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。この流れ（矢印Ａｒ５１）は、第４の実施の形態のステートＳＴ２１（図９参照。）と同様である。
【００９０】
ステートＳＴ５２では、Ｂグループに属する供給管２ｂ，２ｆのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ｂから供給された処理液は、右壁面１２に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ５２）を形成する。その一方で、供給管２ｆから供給された処理液は、左壁面１１に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ５３）を形成する。
【００９１】
ステートＳＴ５３では、Ｃグループに属する供給管２ｃ，２ｅのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ｃから供給された処理液は、右壁面１２に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ５４）を形成する。その一方で、供給管２ｅから供給された処理液は、左壁面１１に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ５５）を形成する。
【００９２】
このように、本実施の形態の基板処理装置においても、第３及び第６の実施の形態とほぼ同様の動作がなされるため、第３及び第６の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００９３】
＜８．第８の実施の形態＞
次に、第８の実施の形態について説明する。本実施の形態の基板処理装置の構成は第３の実施の形態のもの（図５参照。）と同一であり、グループの区分手法のみが異なっている。すなわち、図１６に示すように、供給管２ｂと供給管２ｅとがＡグループ、供給管２ａと供給管２ｆとがＢグループ、供給管２ｃと供給管２ｄとがＣグループにそれぞれ区分されている。したがって、Ａグループは二つの壁面の同一の高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなる。Ｂグループ及びＣグループは、二つ壁面に分かれて、かつ、異なる高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなる。
【００９４】
図１７は、第８の実施の形態の処理液の供給時における処理槽１の状態を示す図である。ステートＳＴ６１はＡグループから、ステートＳＴ６２はＢグループから、ステートＳＴ６３はＣグループからそれぞれ処理液が供給される状態を示している。本実施の形態の浸漬処理では、制御部５の制御により、ステートＳＴ６１，ＳＴ６２及びＳＴ６３の処理がこの順で順次に繰り返し実施される。
【００９５】
ステートＳＴ６１では、Ａグループに属する供給管２ｂ，２ｅのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。この流れ（矢印Ａｒ６１）は、第５の実施の形態のステートＳＴ３１（図１１参照。）と同様である。
【００９６】
ステートＳＴ６２では、Ｂグループに属する供給管２ａ，２ｆのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ａから供給された処理液は、右壁面１２に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ６２）を形成する。その一方で、供給管２ｆから供給された処理液は、左壁面１１に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ６３）を形成する。
【００９７】
ステートＳＴ６３では、Ｃグループに属する供給管２ｃ，２ｄのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ｃから供給された処理液は、右壁面１２に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ６４）を形成する。その一方で、供給管２ｄから供給された処理液は、左壁面１１に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ６５）を形成する。
【００９８】
このように、本実施の形態の基板処理装置においても、第３及び第６の実施の形態とほぼ同様の動作がなされるため、第３及び第６の実施の形態と同様の効果が得られる。また、本実施の形態では、同一の高さに設けられた２つの供給管が属するＡグループから供給された処理液が、基板Ｗの主面の中心Ｏ付近で干渉し合うことから（ステートＳＴ６１）、基板Ｗの主面に接触する基板近傍の処理液の濃度の均一性を向上する効果が奏される。
【００９９】
＜９．他の実施の形態＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、この発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。以下では、このような他の実施の形態について説明する。もちろん、以下で説明する形態を適宜に組み合わせてもよい。
【０１００】
第１の実施の形態では、６つの供給管２ａ〜２ｆが二つの壁面に分かれて設けられていたが、６つの供給管２ａ〜２ｆが同一の壁面の互いに異なる高さに設けられていてもよい。
【０１０１】
また、第１の実施の形態では、６つの供給管２ａ〜２ｆから同時に処理液を供給させると説明したが、第２の実施の形態のように左供給管２ａ〜２ｃと右供給管２ｄ〜２ｆとに交互に処理液を供給させるようにしてもよく、第３ないし第８の実施の形態のように６つの供給管２ａ〜２ｆを複数のグループに区分してグループごとに順次に処理液を供給させるようにしてもよい。また、第２の実施の形態では、第１の実施の形態のように６つの供給管２ａ〜２ｆから同時に処理液を供給させるようにしてもよい。
【０１０２】
また、第２ないし第８の実施の形態では、６つの供給管２ａ〜２ｆにはそれぞれ個別のバルブ４２ａ〜４２ｆが設けられるとして説明したが、制御単位ごとにバルブを設けるようにしてもよい。すなわち、第２の実施の形態では左供給管及び右供給管に一つずつ、第３ないし第８の実施の形態ではグループごとに一つずつ設けてもよい。これによれば、必要なバルブ数を減少させることができるとともに、制御部５による供給動作の制御も容易となる。
【０１０３】
また、上記の実施の形態では全て供給管の数は６つであるとして説明を行ったが、６以上であればよい。相対する二つの壁面に分かれて複数の供給管を設ける場合には、二つの壁面のそれぞれに３以上の供給管を設けることが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】第１の実施の形態の基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図２】第１の実施の形態の処理液供給時における処理槽の状態を示す図である。
【図３】第２の実施の形態の基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図４】第２の実施の形態の処理液供給時における処理槽の状態を示す図である。
【図５】第３の実施の形態の基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図６】第３の実施の形態のグループの区分を示す図である。
【図７】第３の実施の形態の処理液の供給時における処理槽の状態を示す図である。
【図８】第４の実施の形態のグループの区分を示す図である。
【図９】第４の実施の形態の処理液供給時における処理槽の状態を示す図である。
【図１０】第５の実施の形態のグループの区分を示す図である。
【図１１】第５の実施の形態の処理液供給時における処理槽の状態を示す図である。
【図１２】第６の実施の形態のグループの区分を示す図である。
【図１３】第６の実施の形態の処理液供給時における処理槽の状態を示す図である。
【図１４】第７の実施の形態のグループの区分を示す図である。
【図１５】第７の実施の形態の処理液供給時における処理槽の状態を示す図である。
【図１６】第８の実施の形態のグループの区分を示す図である。
【図１７】第８の実施の形態の処理液供給時における処理槽の状態を示す図である。
【図１８】従来の基板処理装置の一例を示す図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１ 処理槽
３ リフタ
４ 処理液供給源
５ 制御部
１１ 左壁面
１２ 右壁面
４２ バルブ
２ａ〜２ｆ 供給管
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板等の基板の浸漬処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬して処理する基板処理装置が知られている。このような基板処理装置では、薬液及び純水（以下、薬液及び純水を総称して「処理液」という。）へ基板を浸漬する浸漬処理により、エッチング、汚染物質の除去、レジスト膜の剥離などの所定の基板処理を行うようになっている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
図１８は、浸漬処理を行う従来の基板処理装置の一例を示す図である。図に示すように、基板処理装置９０は、処理液を貯留する処理槽９１を備えており、この処理槽９１の二つの壁面の下方にはそれぞれ、処理液を供給する供給管９２が設けられる。基板Ｗは、この処理槽９１に貯留された処理液に対して浸漬され、これによりエッチングなどの所定の基板処理がなされる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１０１５７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、図１８に示すような従来の基板処理装置９０では２つの供給管９２から連続的に処理液が供給される。供給された処理液は処理槽９１の下方で干渉し合い、矢印Ａｒに示すように、その干渉位置から上方に向かった後に外周側へ向かい、さらに下方に向うという渦状の処理液の流れ（渦流）が形成される。
【０００６】
しかしながら、このような処理液の流れにおいては、渦流の中心部付近などに処理液の流れが悪くなる滞留部９３が形成される。この滞留部９３にはパーティクルや反応生成物が滞留し、また、滞留部９３と他の部分との間では処理液の濃度の差が生じる。このため、基板Ｗの一部が滞留部９３に含まれる場合には、基板Ｗの浸漬処理の均一性が阻害されることになる。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板の浸漬処理の均一性を向上できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板の浸漬処理を行う基板処理装置であって、前記基板の浸漬処理のための処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の相対する二つの壁面に沿って設けられ、前記処理槽内に前記処理液を供給する６以上の供給手段と、を備え、前記６以上の供給手段は、互いに異なる高さに設けられる。
【０００９】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記６以上の供給手段は、高さ方向に関して前記二つの壁面に対し交互に設けられる。
【００１０】
また、請求項３の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置において、前記６以上の供給手段は、同一方向に沿って前記処理液を供給する。
【００１１】
また、請求項４の発明は、基板の浸漬処理を行う基板処理装置であって、前記基板の浸漬処理のための処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の相対する二つの壁面に沿って設けられ、前記処理槽内に前記処理液を供給する６以上の供給手段と、を備え、前記６以上の供給手段のうち前記二つの壁面の一方に沿って設けられる複数の第１供給手段は、前記処理槽内の同一位置に向けて前記処理液を供給し、前記６以上の供給手段のうち前記二つの壁面の他方に沿って設けられる複数の第２供給手段は、同一方向に沿って前記処理液を供給する。
【００１２】
また、請求項５の発明は、請求項４に記載の基板処理装置において、前記複数の第１供給手段は、前記処理槽に浸漬された前記基板の主面の中心に向けて前記処理液を供給する。
【００１３】
また、請求項６の発明は、請求項４または５に記載の基板処理装置において、前記複数の第１供給手段及び前記複数の第２供給手段の前記処理液の供給動作を制御する制御手段、をさらに備え、前記制御手段は、前記複数の第１供給手段と前記複数の第２供給手段とに交互に処理液を供給させる。
【００１４】
また、請求項７の発明は、基板の浸漬処理を行う基板処理装置であって、相対する二つの壁面を有し、前記基板の浸漬処理のための処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の相対する二つの壁面に沿って設けられ、前記処理槽内に前記処理液を供給する６以上の供給手段と、前記６以上の供給手段の前記処理液の供給動作を制御する制御手段と、を備え、前記６以上の供給手段は、複数のグループに区分され、前記制御手段は、前記グループごとに順次に処理液を供給させる。
【００１５】
また、請求項８の発明は、請求項７に記載の基板処理装置において、前記複数のグループのうちの一つである第１グループに属する複数の供給手段は、前記二つの壁面の同一の高さに設けられ、前記複数のグループのうちの他の一つである第２グループに属する複数の供給手段は、互いに異なる高さに設けられる。
【００１６】
また、請求項９の発明は、請求項８に記載の基板処理装置において、前記６以上の供給手段は、略水平方向に沿って前記処理液を供給する。
【００１７】
また、請求項１０の発明は、請求項８または９に記載の基板処理装置において、前記第２グループに属する複数の供給手段は、前記二つの壁面の一方に設けられる。
【００１８】
また、請求項１１の発明は、請求項８または９に記載の基板処理装置において、前記第２グループに属する複数の供給手段は、前記二つの壁面に分かれて設けられる。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１ないし３の発明によれば、６以上の供給手段が互いに異なる高さに設けられることから、処理槽の全体に処理液の流れが形成されて滞留部の形成が防止され、浸漬処理の均一性を向上できる。
【００２０】
また、特に請求項２の発明によれば、６以上の供給手段が、高さ方向に関して二つの壁面に対し交互に設けられることから、偏りのない均一な処理液の流れを形成できる。
【００２１】
また、特に請求項３の発明によれば、６以上の供給手段が同一方向に沿って処理液を供給することから、処理槽内に一定方向に沿った平行な処理液の流れを形成でき、滞留部の形成を効果的に防止できる。
【００２２】
請求項４ないし６の発明によれば、一方の壁面の複数の第１供給手段が処理槽内の同一位置に向けて処理液を供給するため、処理液を攪拌してその濃度の均一性を向上できる。これとともに、他方の壁面の複数の第２供給手段が同一方向に沿って処理液を供給するため、処理槽内に一定方向に沿った処理液の流れを形成でき、滞留部の形成を防止できる。その結果、浸漬処理の均一性を向上できる。
【００２３】
また、特に請求項４の発明によれば、基板の主面の中心に向けて処理液が供給されるため、基板近傍の処理液の濃度の均一性をより向上させることができ、浸漬処理の均一性をさらに向上できる。
【００２４】
また、特に請求項５の発明によれば、異なる二つの処理液の流れを形成でき、浸漬処理の均一性をさらに向上できる。
【００２５】
請求項７ないし１１の発明によれば、異なる複数の処理液の流れを形成でき、浸漬処理の均一性を向上できる。
【００２６】
また、特に請求項８の発明によれば、第１グループに属する複数の供給手段は二つの壁面の同一の高さに設けられ、第２グループに属する複数の供給手段は互いに異なる高さに設けられるため、大きく異なる複数の処理液の流れを形成できる。
【００２７】
また、特に請求項９の発明によれば、第１グループにより、処理液を攪拌してその濃度の均一性を向上できる。これとともに、第２グループにより、処理槽内に一定方向に沿った処理液の流れを形成でき、滞留部の形成を防止できる。その結果、浸漬処理の均一性をさらに向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
【００２９】
＜１．第１の実施の形態＞
＜１−１．構成＞
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置１０ａの概略構成を示す図である。図１は、基板処理装置１０ａを、その処理対象となる基板Ｗの主面と平行な面で切断した縦断面図に相当する。
【００３０】
この基板処理装置１０ａは、複数の基板Ｗを一括して処理液中に浸漬する浸漬処理を行う、バッチ式の基板処理装置である。基板処理装置１０ａでは、このような浸漬処理により、基板Ｗに対し、エッチング、汚染物質の除去、あるいは、レジスト膜の剥離などの所定の基板処理がなされる。例えば、エッチングを行う場合は、処理液（薬液）としてアンモニア、アンモニア水、フッ酸などが用いられる。
【００３１】
図１に示すように、基板処理装置１０ａは、主に処理液を貯留する処理槽１と、基板Ｗを搬送するリフタ３とを備えている。
【００３２】
処理槽１は、処理液を貯留することが可能な容器であり、その処理液中に基板Ｗを浸漬することによって基板Ｗの主面の処理を行う。この処理槽１の上部からは処理液がオーバフローするようになっており、オーバフローした処理液は処理槽１の外部に設けられる外槽（図示省略）に貯留された後、排液ラインに排出される。
【００３３】
リフタ３は、基板Ｗを上下に搬送する搬送機構であり、複数の基板Ｗを起立姿勢で保持する保持棒３１と、リフタアーム３２と、駆動部（図示省略）とを備えている。駆動部を動作させるとリフタアーム３２と保持棒３１とが一体的に上下に移動し、これにより基板Ｗは、起立姿勢を維持したまま、処理槽１内に浸漬される位置と、処理槽１から引き上げられた位置との間で移動される。
【００３４】
また、処理槽１は、相対する二つの壁面１１，１２を鉛直方向に沿って備えている。処理槽１の内部には、これらの二つの壁面１１，１２に沿って、処理液を供給する６つの供給管２ａ〜２ｆが設けられている。なお以下では、説明の便宜上、図中左側の壁面１１を「左壁面」１１と称し、図中右側の壁面１２を「右壁面」１２と称する。
【００３５】
６つの供給管２ａ〜２ｆは、配管４１により処理液供給源４に接続されている。また、この処理液供給源４から供給管２ａ〜２ｆに到る配管４１の経路においては、配管４１が分岐する前の位置に一つのバルブ４２が設けられている。このバルブ４２を開放すると、処理液供給源４から６つの供給管２ａ〜２ｆ全ての内部に処理液が供給され、さらに、６つの供給管２ａ〜２ｆから同時に処理槽１の内部に処理液が供給される。
【００３６】
供給管２ａ〜２ｆは円筒形状を有しており、管表面には円筒の長手方向に沿って複数の吐出孔が設けられている。供給管２ａ〜２ｆの内部に供給された処理液は、この複数の吐出孔を介して処理槽１の内部に供給される。したがって、管表面における吐出孔の形成位置により、供給管２ａ〜２ｆが処理液を供給する方向が規定される。本実施の形態では、６つの供給管２ａ〜２ｆの全てが同一方向に、より具体的には略水平方向に処理液を供給するようになっている。
【００３７】
図に示すように、左壁面１１には６つの供給管２ａ〜２ｆのうちの３つの供給管２ａ，２ｂ，２ｃが上からこの順に設けられ、右壁面１２には他の３つの供給管２ｄ，２ｅ，２ｆが上からこの順に設けられている。以下では、便宜上、左壁面１１に設けられる供給管２ａ〜２ｃを「左供給管」２ａ〜２ｃともいい、右壁面１２に設けられる供給管２ｄ〜２ｆを「右供給管」２ｄ〜２ｆともいう。
【００３８】
隣接する左供給管２ａ〜２ｃ同士の距離、及び、隣接する右供給管２ｅ〜２ｆ同士の距離は全て一致しており、以下この距離を”ｄ”とする。一方で、６つの供給管２ａ〜２ｆの配置位置は左右の壁面１１，１２で非対称となっており、左供給管２ａ〜２ｃの方が右供給管２ｅ〜２ｆよりも”ｄ／２”だけ高く配置されている。したがって、６つの供給管２ａ〜２ｆは互いに異なる高さ（処理槽１に対する相対高さ。以下同様。）に設けられる。具体的には、上から順に、供給管２ａ（左）、供給管２ｄ（右）、供給管２ｂ（左）、供給管２ｅ（右）、供給管２ｃ（左）、供給管２ｆ（右）が、”ｄ／２”ずつ距離をおいて等間隔に設けられる。すなわち、６つの供給管２ａ〜２ｆは、高さ方向（鉛直方向）に関して二つの壁面１１，１２に対して交互に設けられる。なお、最も高い供給管２ａの位置は浸漬された基板Ｗの上端位置と略一致し、最も低い供給管２ｆの位置は浸漬された基板Ｗの下端位置と略一致する。
【００３９】
また、基板処理装置１０ａは、装置の動作を統括的に制御するためのマイクロコンピュータなどで構成される制御部５を備えている。図に示すように、制御部５は、バルブ４２に接続され、バルブ４２の開閉動作を制御する。したがって、制御部５は、６つの供給管２ａ〜２ｆの供給動作を制御できる。
【００４０】
＜１−２．動作＞
次に、基板処理装置１０ａの動作について説明する。基板処理装置１０ａでは、まず、処理液が貯留された処理槽１に対して、リフタ３により基板Ｗが浸漬される。その後、制御部５の制御により、バルブ４２が開放され、６つの供給管２ａ〜２ｆから同時に処理槽１の内部に処理液が供給され、基板Ｗの主面に対して処理がなされる。
【００４１】
図２は、第１の実施の形態の処理液の供給時における処理槽１の状態を示す図である。図に示すように、６つの供給管２ａ〜２ｆの全てから処理槽１の内部に処理液が供給され、処理液の流れが形成される。
【００４２】
左供給管２ａ〜２ｃから供給された処理液は、右壁面１２に向かう略水平方向の流れ（矢印Ａｒ１）を形成する。一方、右供給管２ｅ〜２ｆから供給された処理液は、左壁面１１に向かう略水平方向の流れ（矢印Ａｒ２）を形成する。これらの流れは同時に生じる。
【００４３】
この際、６つの供給管２ａ〜２ｆは互いに異なる高さに均等に設けられることから、処理槽１の全体に処理液の流れを形成できる。また、６つの供給管２ａ〜２ｆが、高さ方向に関して二つの壁面１１，１２に対し交互に設けられることから、左壁面１１と右壁面１２との間で偏りのない均一な処理液の流れを形成できる。
【００４４】
さらに、６つの供給管２ａ〜２ｆが略水平方向に沿って処理液を供給することから、各供給管から供給された処理液は、他の供給管から供給された処理液と干渉することなく、対向する壁面にまで到達する。したがって、処理槽１内に略水平方向に沿った平行な処理液の流れを形成でき、渦流の発生を防止できる。
【００４５】
このように本実施の形態の基板処理装置１０ａでは、処理槽１の全体に略水平方向に沿った平行な処理液の流れを均一に形成できることから、渦流の発生及びそれに伴う滞留部の形成を効果的に抑制できる。その結果、基板Ｗの浸漬処理の均一性を向上できる。
【００４６】
＜２．第２の実施の形態＞
＜２−１．構成＞
次に、第２の実施の形態について説明する。図３は、第２の実施の形態に係る基板処理装置１０ｂの概略構成を示す図である。本実施の形態の基板処理装置１０ｂの構成は、第１の実施の形態の基板処理装置１０ａの構成とほぼ同様であるため、以下相違点を中心に説明する。
【００４７】
本実施の形態の基板処理装置１０ｂにおいても、左壁面１１には３つの供給管２ａ，２ｂ，２ｃ（左供給管）が上からこの順に等間隔に設けられ、右壁面１２には他の３つの供給管２ｄ，２ｅ，２ｆ（右供給管）が上からこの順に等間隔に設けられている。ただし、６つの供給管２ａ〜２ｆの配置位置は左右の壁面１１，１２で対称となっており、供給管２ａと供給管２ｄ、供給管２ｂと供給管２ｅ、供給管２ｃと供給管２ｆはそれぞれ同一の高さに配置されている。最も高い供給管２ａ，２ｄの位置は浸漬された基板Ｗの上端位置と略一致し、最も低い供給管２ｃ，２ｆの位置は浸漬された基板Ｗの下端位置と略一致し、それらの中間の供給管２ｃ，２ｆの位置は浸漬された基板Ｗの主面の中心Ｏと略一致する。
【００４８】
また、左供給管２ａ〜２ｃは、同一位置に向けて供給する。より具体的には、左供給管２ａ〜２ｃは、浸漬された基板Ｗの主面の中心Ｏに向けて処理液を供給する。したがって、供給管２ａは水平方向よりも下方に向けて処理液を供給し、供給管２ｃは水平方向よりも上方に向けて処理液を供給することになる。一方で、右供給管２ｅ〜２ｆは、第１の実施の形態と同様に略水平方向に処理液を供給する。
【００４９】
本実施の形態においても、６つの供給管２ａ〜２ｆは、配管４１により処理液供給源４に接続されている。ただし、６つの供給管２ａ〜２ｆはそれぞれ個別のバルブ４２ａ〜４２ｆを介して処理液供給源４に接続されており、バルブ４２ａ〜４２ｆの開閉により処理液の供給／非供給を個別に変更できるようになっている。本実施の形態の制御部５は、これらバルブ４２ａ〜４２ｆに接続され、その開閉動作を制御する。したがって、制御部５は、６つの供給管２ａ〜２ｆの処理液の供給／非供給を個別に制御できる。
【００５０】
＜２−２．動作＞
次に、本実施の形態の基板処理装置１０ｂの動作について説明する。基板処理装置１０ｂでも、まず、処理液が貯留された処理槽１に基板Ｗが浸漬された後、６つの供給管２ａ〜２ｆから処理槽１の内部に処理液が供給される。ただし、本実施の形態では、６つの供給管２ａ〜２ｆから同時に処理液が供給されるのではなく、左供給管２ａ〜２ｃと右供給管２ｄ〜２ｆとから交互に処理液が供給される。つまり、制御部５の制御により、処理液を供給すべき供給管が、左供給管２ａ〜２ｃと右供給管２ｄ〜２ｆとで所定時間ごとに切り換えられる。
【００５１】
図４は、第２の実施の形態の処理液の供給時における処理槽１の状態を示す図である。ステートＳＴ１は左供給管２ａ〜２ｃから処理液が供給された状態を示し、ステートＳＴ２は右供給管２ｄ〜２ｆから処理液が供給された状態を示している。本実施の形態の浸漬処理では、ステートＳＴ１及びステートＳＴ２の処理が交互に繰り返し実施される。
【００５２】
ステートＳＴ１では、制御部５の制御により、バルブ４２ａ〜４２ｃが開放されバルブ４２ｄ〜４２ｆが閉鎖される。これにより、左供給管２ａ〜２ｃのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。
【００５３】
左供給管２ａ〜２ｃは基板Ｗの主面の中心Ｏに向けて処理液を供給する。このため、左供給管２ａ〜２ｃから供給された処理液は、基板Ｗの主面の中心Ｏ付近で干渉し合う。そして、その干渉位置から右壁面１２に向かった後に上方及び下方に向かい、さらに左壁面１１に向うという渦状の処理液の流れ（矢印Ａｒ３）が形成される。
【００５４】
このようにステートＳＴ１では、供給された処理液が基板Ｗの主面の中心Ｏ付近で干渉し合うことから処理液が攪拌されることになり、基板Ｗの主面に接触する基板近傍の処理液の濃度の均一性を向上する効果が奏される。ただし、渦流の形成に伴って処理液の滞留部が形成される可能性がある。
【００５５】
一方、ステートＳＴ２では、制御部５の制御により、バルブ４２ａ〜４２ｃが閉鎖されてバルブ４２ｄ〜４２ｆが開放される。これにより、右供給管２ｄ〜２ｆのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。
【００５６】
右供給管２ｄ〜２ｆは略水平方向に処理液を供給する。このため、右供給管２ｅ〜２ｆから供給された処理液は、左壁面１１に向かう略水平方向に沿った平行な流れ（矢印Ａｒ４）を形成する。
【００５７】
上述のようにステートＳＴ１の処理液の流れを継続するとそれに起因して滞留部が形成される可能性があるが、所定時間でステートＳＴ２の一定方向に沿った処理液の流れに変更されることにより、滞留部の発生が効果的に抑制される。
【００５８】
このように本実施の形態の基板処理装置１０ｂでは、ステートＳＴ１において処理液の攪拌作用により処理液の濃度の均一性を向上でき、ステートＳＴ２において滞留部の形成を防止できる。その結果、基板Ｗの浸漬処理の均一性を大きく向上できる。
【００５９】
＜３．第３の実施の形態＞
＜３−１．構成＞
次に、第３の実施の形態について説明する。図５は、第３の実施の形態に係る基板処理装置１０ｃの概略構成を示す図である。本実施の形態の基板処理装置１０ｃの構成は、左供給管２ａ〜２ｃが略水平方向に処理液を供給する点を除き、第２の実施の形態の基板処理装置１０ｂと同一である。したがって、本実施の形態では、６つの供給管２ａ〜２ｆの全てが略水平方向に処理液を供給する。制御部５が、６つの供給管２ａ〜２ｆの処理液の供給／非供給を個別に制御できる点も第２の実施の形態と同様である。
【００６０】
また、本実施の形態では、６つの供給管２ａ〜２ｆが、Ａグループ，Ｂグループ及びＣグループの３つのグループに区分され、グループ単位で制御部５により制御される。
【００６１】
図６は、６つの供給管２ａ〜２ｆのグループの区分を示す図である。図に示すように、供給管２ｃと供給管２ｆとがＡグループ、供給管２ａと供給管２ｂとがＢグループ、供給管２ｄと供給管２ｅとがＣグループにそれぞれ区分されている。したがって、Ａグループは二つの壁面の同一の高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなり、Ｂグループ及びＣグループは同一壁面（二つの壁面の一方）の異なる高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなる。
【００６２】
＜３−２．動作＞
次に、本実施の形態の基板処理装置１０ｃの動作について説明する。本実施の形態においても、６つの供給管２ａ〜２ｆから同時に処理液が供給されるのではなく、グループごとに順次に処理液が供給される。つまり、制御部５の制御により処理液を供給するグループが所定時間ごとに切り換えられる。
【００６３】
図７は、第３の実施の形態の処理液の供給時における処理槽１の状態を示す図である。ステートＳＴ１１はＡグループから、ステートＳＴ１２はＢグループから、ステートＳＴ１３はＣグループからそれぞれ処理液が供給される状態を示している。本実施の形態の浸漬処理では、制御部５の制御により、ステートＳＴ１１，ＳＴ１２及びＳＴ１３の処理がこの順で順次に繰り返し実施される。
【００６４】
ステートＳＴ１１では、制御部５の制御により、バルブ４２ｃ，４２ｆのみが開放され、その他のバルブが閉鎖される。これにより、Ａグループに属する供給管２ｃ，２ｆのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ｃ，２ｆは同一の高さに対向して設けられることから、供給管２ｃ，２ｆから供給された処理液は基板Ｗの主面の下端付近で干渉し合う。そして、その干渉位置から上方に向かった後に外周側に向かい、さらに下方に向うという渦状の処理液の流れ（矢印Ａｒ１１）が形成される。したがって、滞留部が形成される可能性がある。
【００６５】
ステートＳＴ１２では、制御部５の制御により、バルブ４２ａ，４２ｂのみが開放され、その他のバルブが閉鎖される。これにより、Ｂグループに属する供給管２ａ，２ｂのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ａ，２ｂは左壁面１１の互いに異なる高さに設けられることから、供給管２ｃ，２ｆから供給された処理液は、右壁面１２に向かう略水平方向に沿った平行な流れ（矢印Ａｒ１２）を形成する。
【００６６】
ステートＳＴ１３では、制御部５の制御により、バルブ４２ｄ，４２ｅのみが開放され、その他のバルブが閉鎖される。これにより、Ｃグループに属する供給管２ｄ，２ｅのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ｄ，２ｅは右壁面１２の互いに異なる高さに設けられることから、供給管２ｄ，２ｅから供給された処理液は、左壁面１１に向かう略水平方向に沿った平行な流れ（矢印Ａｒ１３）を形成する。
【００６７】
このように、本実施の形態の基板処理装置１０ｃでは、６つの供給管２ａ〜２ｆを３つのグループに区分し、グループごとに順次に処理液を供給させる。したがって、異なる３つの処理液の流れを形成することができる。滞留部は一定の流れが継続することに起因して生じるが、このように異なる処理液の流れを順次に形成することで、滞留部の形成を効果的に抑制することができる。特に、同一の高さに設けられた２つの供給管が属するグループと、異なる高さに設けられた２つの供給管が属するグループとが存在することから、大きく異なる処理液の流れを形成することが可能となる。
【００６８】
また、同一の高さに設けられた２つの供給管が属するＡグループから供給された処理液は干渉し合うことから、処理液が攪拌されることになり、処理液の濃度の均一性を向上する効果が奏される（ステートＳＴ１１）。これとともに、異なる高さに設けられた２つの供給管が属するＢ，Ｃグループから供給された処理液は、一定方向に沿った平行な流れを形成することにより、ステートＳＴ１１において生じる可能性のある滞留部の発生を効果的に抑制する（ステートＳＴ１２，ＳＴ１３）。したがって、基板Ｗの浸漬処理の均一性を向上できることになる。
【００６９】
＜４．第４の実施の形態＞
次に、第４の実施の形態について説明する。本実施の形態の基板処理装置の構成は第３の実施の形態のもの（図５参照。）と同一であり、グループの区分手法のみが異なっている。すなわち、図８に示すように、供給管２ａと供給管２ｄとがＡグループ、供給管２ｂと供給管２ｃとがＢグループ、供給管２ｅと供給管２ｆとがＣグループにそれぞれ区分されている。したがって、Ａグループは二つの壁面の同一の高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなり、Ｂグループ及びＣグループは同一壁面の異なる高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなる。
【００７０】
図９は、第４の実施の形態の処理液の供給時における処理槽１の状態を示す図である。ステートＳＴ２１はＡグループから、ステートＳＴ２２はＢグループから、ステートＳＴ２３はＣグループからそれぞれ処理液が供給される状態を示している。本実施の形態の浸漬処理では、制御部５の制御により、ステートＳＴ２１，ＳＴ２２及びＳＴ２３の処理がこの順で順次に繰り返し実施される。
【００７１】
ステートＳＴ２１では、Ａグループに属する供給管２ａ，２ｄのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ａ，２ｄから供給された処理液は基板Ｗの主面の上端付近で干渉し合う。そして、その干渉位置から下方に向かった後に外周側に向かい、さらに上方に向うという渦状の処理液の流れ（矢印Ａｒ２１）が形成される。
【００７２】
ステートＳＴ２２では、Ｂグループに属する供給管２ｂ，２ｃのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ｂ，２ｃから供給された処理液は、右壁面１２に向かう略水平方向に沿った平行な流れ（矢印Ａｒ２２）を形成する。
【００７３】
ステートＳＴ２３では、Ｃグループに属する供給管２ｅ，２ｆのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ｅ，２ｆから供給された処理液は、左壁面１１に向かう略水平方向に沿った平行な流れ（矢印Ａｒ２３）を形成する。
【００７４】
このように、本実施の形態の基板処理装置においても、第３の実施の形態とほぼ同様の動作がなされるため、第３の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００７５】
＜５．第５の実施の形態＞
次に、第５の実施の形態について説明する。本実施の形態の基板処理装置の構成は第３の実施の形態のもの（図５参照。）と同一であり、グループの区分手法のみが異なっている。すなわち、図１０に示すように、供給管２ｂと供給管２ｅとがＡグループ、供給管２ａと供給管２ｃとがＢグループ、供給管２ｄと供給管２ｆとがＣグループにそれぞれ区分されている。したがって、Ａグループは二つの壁面の同一の高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなり、Ｂグループ及びＣグループは同一壁面の異なる高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなる。
【００７６】
図１１は、第５の実施の形態の処理液の供給時における処理槽１の状態を示す図である。ステートＳＴ３１はＡグループから、ステートＳＴ３２はＢグループから、ステートＳＴ３３はＣグループからそれぞれ処理液が供給される状態を示している。本実施の形態の浸漬処理では、制御部５の制御により、ステートＳＴ３１，ＳＴ３２及びＳＴ３３の処理がこの順で順次に繰り返し実施される。
【００７７】
ステートＳＴ３１では、Ａグループに属する供給管２ｂ，２ｅのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ｂ，２ｅから供給された処理液は基板Ｗの主面の中心Ｏ付近で干渉し合う。そして、その干渉位置から上方及び下方に向かった後に外周側に向かい、さらに中央部に向うという渦状の処理液の流れ（矢印Ａｒ３１）が形成される。
【００７８】
ステートＳＴ３２では、Ｂグループに属する供給管２ａ，２ｃのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ａ，２ｃから供給された処理液は、右壁面１２に向かう略水平方向に沿った平行な流れ（矢印Ａｒ３２）を形成する。
【００７９】
ステートＳＴ３３では、Ｃグループに属する供給管２ｄ，２ｆのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ｄ，２ｆから供給された処理液は、左壁面１１に向かう略水平方向に沿った平行な流れ（矢印Ａｒ３３）を形成する。
【００８０】
このように、本実施の形態の基板処理装置においても、第３の実施の形態とほぼ同様の動作がなされるため、第３の実施の形態と同様の効果が得られる。また、本実施の形態では、同一の高さに設けられた２つの供給管が属するＡグループから供給された処理液が、基板Ｗの主面の中心Ｏ付近で干渉し合うことから（ステートＳＴ３１）、基板Ｗの主面に接触する基板近傍の処理液の濃度の均一性を向上する効果が奏される。
【００８１】
＜６．第６の実施の形態＞
次に、第６の実施の形態について説明する。本実施の形態の基板処理装置の構成は第３の実施の形態のもの（図５参照。）と同一であり、グループの区分手法のみが異なっている。すなわち、図１２に示すように、供給管２ｃと供給管２ｆとがＡグループ、供給管２ａと供給管２ｅとがＢグループ、供給管２ｂと供給管２ｄとがＣグループにそれぞれ区分されている。したがって、Ａグループは二つの壁面の同一の高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなる。Ｂグループ及びＣグループは、二つ壁面に分かれて、かつ、異なる高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなる。
【００８２】
図１３は、第６の実施の形態の処理液の供給時における処理槽１の状態を示す図である。ステートＳＴ４１はＡグループから、ステートＳＴ４２はＢグループから、ステートＳＴ４３はＣグループからそれぞれ処理液が供給される状態を示している。本実施の形態の浸漬処理では、制御部５の制御により、ステートＳＴ４１，ＳＴ４２及びＳＴ４３の処理がこの順で順次に繰り返し実施される。
【００８３】
ステートＳＴ４１では、Ａグループに属する供給管２ｃ，２ｆのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。この流れ（矢印Ａｒ４１）は、第３の実施の形態のステートＳＴ１１（図７参照。）と同様である。
【００８４】
ステートＳＴ４２では、Ｂグループに属する供給管２ａ，２ｅのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ａから供給された処理液は、右壁面１２に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ４２）を形成する。その一方で、供給管２ｅから供給された処理液は、左壁面１１に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ４３）を形成する。
【００８５】
ステートＳＴ４３では、Ｃグループに属する供給管２ｂ，２ｄのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ｂから供給された処理液は、右壁面１２に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ４４）を形成する。その一方で、供給管２ｄから供給された処理液は、左壁面１１に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ４５）を形成する。
【００８６】
このように、本実施の形態の基板処理装置においても、第３の実施の形態とほぼ同様の動作がなされるため、第３の実施の形態と同様の効果が得られる。また、本実施の形態でもＢ，Ｃグループから供給された処理液は一定方向に沿った平行な流れを形成するが、同一グループに属する２つの供給管が二つ壁面に分かれて配置されるため、処理液は互いに異なる向きから干渉しないように供給される。このことから、左壁面１１と右壁面１２との間で偏りのない均一な処理液の流れを形成できる（ステートＳＴ４２，ＳＴ４３）。
【００８７】
＜７．第７の実施の形態＞
次に、第７の実施の形態について説明する。本実施の形態の基板処理装置の構成は第３の実施の形態のもの（図５参照。）と同一であり、グループの区分手法のみが異なっている。すなわち、図１４に示すように、供給管２ａと供給管２ｄとがＡグループ、供給管２ｂと供給管２ｆとがＢグループ、供給管２ｃと供給管２ｅとがＣグループにそれぞれ区分されている。したがって、Ａグループは二つの壁面の同一の高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなる。Ｂグループ及びＣグループは、二つ壁面に分かれて、かつ、異なる高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなる。
【００８８】
図１５は、第７の実施の形態の処理液の供給時における処理槽１の状態を示す図である。ステートＳＴ５１はＡグループから、ステートＳＴ５２はＢグループから、ステートＳＴ５３はＣグループからそれぞれ処理液が供給される状態を示している。本実施の形態の浸漬処理では、制御部５の制御により、ステートＳＴ５１，ＳＴ５２及びＳＴ５３の処理がこの順で順次に繰り返し実施される。
【００８９】
ステートＳＴ５１では、Ａグループに属する供給管２ａ，２ｄのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。この流れ（矢印Ａｒ５１）は、第４の実施の形態のステートＳＴ２１（図９参照。）と同様である。
【００９０】
ステートＳＴ５２では、Ｂグループに属する供給管２ｂ，２ｆのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ｂから供給された処理液は、右壁面１２に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ５２）を形成する。その一方で、供給管２ｆから供給された処理液は、左壁面１１に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ５３）を形成する。
【００９１】
ステートＳＴ５３では、Ｃグループに属する供給管２ｃ，２ｅのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ｃから供給された処理液は、右壁面１２に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ５４）を形成する。その一方で、供給管２ｅから供給された処理液は、左壁面１１に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ５５）を形成する。
【００９２】
このように、本実施の形態の基板処理装置においても、第３及び第６の実施の形態とほぼ同様の動作がなされるため、第３及び第６の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００９３】
＜８．第８の実施の形態＞
次に、第８の実施の形態について説明する。本実施の形態の基板処理装置の構成は第３の実施の形態のもの（図５参照。）と同一であり、グループの区分手法のみが異なっている。すなわち、図１６に示すように、供給管２ｂと供給管２ｅとがＡグループ、供給管２ａと供給管２ｆとがＢグループ、供給管２ｃと供給管２ｄとがＣグループにそれぞれ区分されている。したがって、Ａグループは二つの壁面の同一の高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなる。Ｂグループ及びＣグループは、二つ壁面に分かれて、かつ、異なる高さに設けられた２つの供給管が属するグループとなる。
【００９４】
図１７は、第８の実施の形態の処理液の供給時における処理槽１の状態を示す図である。ステートＳＴ６１はＡグループから、ステートＳＴ６２はＢグループから、ステートＳＴ６３はＣグループからそれぞれ処理液が供給される状態を示している。本実施の形態の浸漬処理では、制御部５の制御により、ステートＳＴ６１，ＳＴ６２及びＳＴ６３の処理がこの順で順次に繰り返し実施される。
【００９５】
ステートＳＴ６１では、Ａグループに属する供給管２ｂ，２ｅのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。この流れ（矢印Ａｒ６１）は、第５の実施の形態のステートＳＴ３１（図１１参照。）と同様である。
【００９６】
ステートＳＴ６２では、Ｂグループに属する供給管２ａ，２ｆのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ａから供給された処理液は、右壁面１２に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ６２）を形成する。その一方で、供給管２ｆから供給された処理液は、左壁面１１に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ６３）を形成する。
【００９７】
ステートＳＴ６３では、Ｃグループに属する供給管２ｃ，２ｄのみから処理槽１の内部に処理液が供給される。供給管２ｃから供給された処理液は、右壁面１２に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ６４）を形成する。その一方で、供給管２ｄから供給された処理液は、左壁面１１に向かう略水平方向に沿った流れ（矢印Ａｒ６５）を形成する。
【００９８】
このように、本実施の形態の基板処理装置においても、第３及び第６の実施の形態とほぼ同様の動作がなされるため、第３及び第６の実施の形態と同様の効果が得られる。また、本実施の形態では、同一の高さに設けられた２つの供給管が属するＡグループから供給された処理液が、基板Ｗの主面の中心Ｏ付近で干渉し合うことから（ステートＳＴ６１）、基板Ｗの主面に接触する基板近傍の処理液の濃度の均一性を向上する効果が奏される。
【００９９】
＜９．他の実施の形態＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、この発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。以下では、このような他の実施の形態について説明する。もちろん、以下で説明する形態を適宜に組み合わせてもよい。
【０１００】
第１の実施の形態では、６つの供給管２ａ〜２ｆが二つの壁面に分かれて設けられていたが、６つの供給管２ａ〜２ｆが同一の壁面の互いに異なる高さに設けられていてもよい。
【０１０１】
また、第１の実施の形態では、６つの供給管２ａ〜２ｆから同時に処理液を供給させると説明したが、第２の実施の形態のように左供給管２ａ〜２ｃと右供給管２ｄ〜２ｆとに交互に処理液を供給させるようにしてもよく、第３ないし第８の実施の形態のように６つの供給管２ａ〜２ｆを複数のグループに区分してグループごとに順次に処理液を供給させるようにしてもよい。また、第２の実施の形態では、第１の実施の形態のように６つの供給管２ａ〜２ｆから同時に処理液を供給させるようにしてもよい。
【０１０２】
また、第２ないし第８の実施の形態では、６つの供給管２ａ〜２ｆにはそれぞれ個別のバルブ４２ａ〜４２ｆが設けられるとして説明したが、制御単位ごとにバルブを設けるようにしてもよい。すなわち、第２の実施の形態では左供給管及び右供給管に一つずつ、第３ないし第８の実施の形態ではグループごとに一つずつ設けてもよい。これによれば、必要なバルブ数を減少させることができるとともに、制御部５による供給動作の制御も容易となる。
【０１０３】
また、上記の実施の形態では全て供給管の数は６つであるとして説明を行ったが、６以上であればよい。相対する二つの壁面に分かれて複数の供給管を設ける場合には、二つの壁面のそれぞれに３以上の供給管を設けることが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】第１の実施の形態の基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図２】第１の実施の形態の処理液供給時における処理槽の状態を示す図である。
【図３】第２の実施の形態の基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図４】第２の実施の形態の処理液供給時における処理槽の状態を示す図である。
【図５】第３の実施の形態の基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図６】第３の実施の形態のグループの区分を示す図である。
【図７】第３の実施の形態の処理液の供給時における処理槽の状態を示す図である。
【図８】第４の実施の形態のグループの区分を示す図である。
【図９】第４の実施の形態の処理液供給時における処理槽の状態を示す図である。
【図１０】第５の実施の形態のグループの区分を示す図である。
【図１１】第５の実施の形態の処理液供給時における処理槽の状態を示す図である。
【図１２】第６の実施の形態のグループの区分を示す図である。
【図１３】第６の実施の形態の処理液供給時における処理槽の状態を示す図である。
【図１４】第７の実施の形態のグループの区分を示す図である。
【図１５】第７の実施の形態の処理液供給時における処理槽の状態を示す図である。
【図１６】第８の実施の形態のグループの区分を示す図である。
【図１７】第８の実施の形態の処理液供給時における処理槽の状態を示す図である。
【図１８】従来の基板処理装置の一例を示す図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１ 処理槽
３ リフタ
４ 処理液供給源
５ 制御部
１１ 左壁面
１２ 右壁面
４２ バルブ
２ａ〜２ｆ 供給管
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の浸漬処理を行う基板処理装置であって、
前記基板の浸漬処理のための処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の相対する二つの壁面に沿って設けられ、前記処理槽内に前記処理液を供給する６以上の供給手段と、
を備え、
前記６以上の供給手段は、互いに異なる高さに設けられることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記６以上の供給手段は、高さ方向に関して前記二つの壁面に対し交互に設けられることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置において、
前記６以上の供給手段は、同一方向に沿って前記処理液を供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
基板の浸漬処理を行う基板処理装置であって、
前記基板の浸漬処理のための処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の相対する二つの壁面に沿って設けられ、前記処理槽内に前記処理液を供給する６以上の供給手段と、
を備え、
前記６以上の供給手段のうち前記二つの壁面の一方に沿って設けられる複数の第１供給手段は、前記処理槽内の同一位置に向けて前記処理液を供給し、
前記６以上の供給手段のうち前記二つの壁面の他方に沿って設けられる複数の第２供給手段は、同一方向に沿って前記処理液を供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記複数の第１供給手段は、前記処理槽に浸漬された前記基板の主面の中心に向けて前記処理液を供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項４または５に記載の基板処理装置において、
前記複数の第１供給手段及び前記複数の第２供給手段の前記処理液の供給動作を制御する制御手段、
をさらに備え、
前記制御手段は、前記複数の第１供給手段と前記複数の第２供給手段とに交互に処理液を供給させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
基板の浸漬処理を行う基板処理装置であって、
相対する二つの壁面を有し、前記基板の浸漬処理のための処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の相対する二つの壁面に沿って設けられ、前記処理槽内に前記処理液を供給する６以上の供給手段と、
前記６以上の供給手段の前記処理液の供給動作を制御する制御手段と、
を備え、
前記６以上の供給手段は、複数のグループに区分され、
前記制御手段は、前記グループごとに順次に処理液を供給させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理装置において、
前記複数のグループのうちの一つである第１グループに属する複数の供給手段は、前記二つの壁面の同一の高さに設けられ、
前記複数のグループのうちの他の一つである第２グループに属する複数の供給手段は、互いに異なる高さに設けられることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置において、
前記６以上の供給手段は、略水平方向に沿って前記処理液を供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の基板処理装置において、
前記第２グループに属する複数の供給手段は、前記二つの壁面の一方に設けられることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項８または９に記載の基板処理装置において、
前記第２グループに属する複数の供給手段は、前記二つの壁面に分かれて設けられることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
基板の浸漬処理を行う基板処理装置であって、
前記基板の浸漬処理のための処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の相対する二つの壁面に沿って設けられ、前記処理槽内に前記処理液を供給する６以上の供給手段と、
を備え、
前記６以上の供給手段は、互いに異なる高さに設けられることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記６以上の供給手段は、高さ方向に関して前記二つの壁面に対し交互に設けられることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置において、
前記６以上の供給手段は、同一方向に沿って前記処理液を供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
基板の浸漬処理を行う基板処理装置であって、
前記基板の浸漬処理のための処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の相対する二つの壁面に沿って設けられ、前記処理槽内に前記処理液を供給する６以上の供給手段と、
を備え、
前記６以上の供給手段のうち前記二つの壁面の一方に沿って設けられる複数の第１供給手段は、前記処理槽内の同一位置に向けて前記処理液を供給し、
前記６以上の供給手段のうち前記二つの壁面の他方に沿って設けられる複数の第２供給手段は、同一方向に沿って前記処理液を供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記複数の第１供給手段は、前記処理槽に浸漬された前記基板の主面の中心に向けて前記処理液を供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項４または５に記載の基板処理装置において、
前記複数の第１供給手段及び前記複数の第２供給手段の前記処理液の供給動作を制御する制御手段、
をさらに備え、
前記制御手段は、前記複数の第１供給手段と前記複数の第２供給手段とに交互に処理液を供給させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
基板の浸漬処理を行う基板処理装置であって、
相対する二つの壁面を有し、前記基板の浸漬処理のための処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の相対する二つの壁面に沿って設けられ、前記処理槽内に前記処理液を供給する６以上の供給手段と、
前記６以上の供給手段の前記処理液の供給動作を制御する制御手段と、
を備え、
前記６以上の供給手段は、複数のグループに区分され、
前記制御手段は、前記グループごとに順次に処理液を供給させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理装置において、
前記複数のグループのうちの一つである第１グループに属する複数の供給手段は、前記二つの壁面の同一の高さに設けられ、
前記複数のグループのうちの他の一つである第２グループに属する複数の供給手段は、互いに異なる高さに設けられることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置において、
前記６以上の供給手段は、略水平方向に沿って前記処理液を供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の基板処理装置において、
前記第２グループに属する複数の供給手段は、前記二つの壁面の一方に設けられることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項８または９に記載の基板処理装置において、
前記第２グループに属する複数の供給手段は、前記二つの壁面に分かれて設けられることを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２００８−１０４９５（Ｐ２００８−１０４９５Ａ）
【公開日】平成２０年１月１７日（２００８．１．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１７６７９０（Ｐ２００６−１７６７９０）
【出願日】平成１８年６月２７日（２００６．６．２７）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１月１７日（２００８．１．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年６月２７日（２００６．６．２７）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]