検査支援方法、検査方法、フォトマスク、及び検査支援システム
【課題】現像後の余分なフォトレジストの存在を容易に把握することができる検査支援方法、検査方法、フォトマスク、及び検査支援システムを提供する。
【解決手段】ウェハ１００に積層されたレジスト１０２に所定解像度の回路パターンを転写するための転写パターン１８が形成され、かつ転写パターン１８を構成している領域の一部に所定解像度よりも高解像度の検査用パターンが形成されたフォトマスク１４を介して、レジスト１０２に所定解像度に対応する所定波長光を予め定められた照射時間照射することにより回路パターンをレジスト１０２に転写し、レジスト１０２に回路パターンが転写された後にレジスト付きウェハ１０４を現像液槽１６の現像液に浸漬する。
【解決手段】ウェハ１００に積層されたレジスト１０２に所定解像度の回路パターンを転写するための転写パターン１８が形成され、かつ転写パターン１８を構成している領域の一部に所定解像度よりも高解像度の検査用パターンが形成されたフォトマスク１４を介して、レジスト１０２に所定解像度に対応する所定波長光を予め定められた照射時間照射することにより回路パターンをレジスト１０２に転写し、レジスト１０２に回路パターンが転写された後にレジスト付きウェハ１０４を現像液槽１６の現像液に浸漬する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検査支援方法、検査方法、フォトマスク、及び検査支援システム検査方法及びシステムに係り、特に、回路パターンの転写後に半導体基板の特定領域にレジストが残存しているか否かを検査するための検査支援方法、検査方法、フォトマスク、及び検査支援システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を構成する薄膜は、一般的にフォトリソグラフィによって形成される。フォトリソグラフィとは、ウェハ上に塗布された感光性樹脂であるフォトレジスト（以下、「レジスト」という。）に対して、回路パターン（メインパターン）が描画されたフォトマスクを介して光を照射することによってその回路パターンをウェハに転写する技術をいう。
【０００３】
図１５には、従来のフォトリソグラフィを利用してウェハ１００に回路パターンを形成する工程の一例が示されている。
【０００４】
同図に示されるように、ウェハ１００（同図（ａ）参照）の表面１００Ａに、光の照射部分が現像液に対して可溶性になるポジ型のレジスト１０２を塗布することによりレジスト付きウェハ１０４を作り（同図（ｂ）参照）、所定解像度αの回路パターンが描画されたフォトマスク１０６を介して、レジスト付きウェハ１０４のレジスト１０２に所定波長の光を予め定められた照射時間Ｔ１（ｓ）照射することにより、回路パターンをレジストに転写し（同図（ｃ）参照）、その後にレジストにおける可溶性領域（ここでは、光が照射された領域）１０３を現像液で溶かすために、レジスト付きウェハを現像液が貯留された現像液槽の現像液に予め定められた浸漬時間Ｔ２（ｓ）浸漬することにより（同図（ｄ））、可溶性領域１０３が溶解してウェハ１００の表面１００Ａが露呈する（同図（ｅ））。
【０００５】
ところで、可溶性領域１０３を溶解したつもりでも実際には一例として図１６に示すようにウェハ１００の表面１００Ａ（同図では「ボトム部」と表記）に薄膜状のレジスト１０２が残存している場合がある。例えば、可溶性領域１０３を完全に溶解することができた場合には一例として図１７（ａ）に示すようにウェハ１００の表面１００Ａが露呈するが、可溶性領域１０３を完全に溶解できなかった場合には一例として図１７（ｂ）に示すようにウェハ１００の表面１００Ａに略均一なレジスト１０２の膜が残存したり、或いは一例として図１７（ｃ）に示すように図１７（ｂ）に示すレジスト１０２の膜よりも更に薄いレジスト１０２の膜が残存したりする場合がある。回路パターンを構成されるべきウェハ１００の表面１００Ａにレジスト１０２が残存すると、パターン異常、高抵抗、導通不良などのトラブルを引き起こしてしまう。
【０００６】
そのため、特許文献１に記載の技術では、光学顕微鏡を用いてウェハ１００の表面１００Ａ上を目視することによりレジスト１０２が残存しているか否かを検査している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平９−１１５９７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、光学顕微鏡を用いたところで図１７（ｂ）に示すようにほぼ均一にレジスト１０２の膜が付着している場合には目視することは困難となり、図１７（ｃ）に示すように更に薄い膜になると目視することはより一層困難になる、という問題点があった。
【０００９】
本発明は上記問題点を解決するために成されたものであり、現像後の余分なフォトレジストの存在を容易に把握することができる検査支援方法、検査方法、フォトマスク、及び検査支援システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の検査支援方法は、半導体基板に積層されたフォトレジストに所定解像度の回路パターンを転写するための転写パターンが形成され、かつ該転写パターンを構成している領域の一部に前記所定解像度よりも高解像度の検査用パターンが形成されたフォトマスクを介して、前記フォトレジストに前記所定解像度に対応する波長を有する所定波長光を予め定められた照射時間照射することにより前記回路パターンを前記フォトレジストに転写する転写工程と、前記転写工程によって前記フォトレジストに前記回路パターンが転写された後に該フォトレジストにおける現像液に対して可溶性の領域を含む所定領域を該現像液に予め定められた浸漬時間浸漬する浸漬工程と、を含んで構成されている。
【００１１】
請求項７に記載の検査方法は、請求項１〜請求項６の何れか１項に記載の検査支援方法と、前記浸漬工程によって前記所定領域を前記現像液に前記浸漬時間浸漬した後に光学顕微鏡により前記回路パターンを視認する視認工程と、を含んで構成されている。これにより、コストの増大を招くことなく、現像後の余分なフォトレジストの存在を容易に把握することができる。
【００１２】
請求項８に記載のフォトマスクは、半導体基板に積層されたフォトレジストに所定解像度の回路パターンが転写されるように該フォトレジストに該所定解像度に対応する波長を有する所定波長光を予め定められた照射時間照射することにより前記回路パターンを前記フォトレジストに転写した後に該フォトレジストにおける現像液に対して可溶性の領域を含む所定領域を該現像液に予め定められた浸漬時間浸漬することにより前記半導体基板に前記回路パターンを形成する場合の前記フォトレジストに前記所定波長光を前記照射時間照射する際に用いられるフォトマスクであって、前記回路パターンを転写するための転写パターンを形成し、かつ該転写パターンを構成している領域の一部に前記所定解像度よりも高解像度の検査用パターンを形成したものである。これにより、現像後の余分なフォトレジストの存在を容易に把握することができる。
【００１３】
請求項１３に記載の検査支援システムは、請求項８〜請求項１２の何れか１項に記載のフォトマスクと、前記フォトマスクを介して、前記フォトレジストに前記所定波長光を前記照射時間照射することにより前記回路パターンを前記フォトレジストに転写する転写手段と、前記現像液が貯留されており、前記転写手段によって前記フォトレジストに前記回路パターンが転写された後に前記所定領域が該現像液に予め定められた浸漬時間浸漬される浸漬槽と、を含んで構成されている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、現像後の余分なフォトレジストの存在を容易に把握することができる、という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施形態に係る半導体製造システムの構成の一例を示す構成図である。
【図２】実施形態に係るフォトマスクの構成の一例を示す平面図である。
【図３】実施形態に係る半導体製造システムによって転写及び現像を行った後のレジスト付きウェハの状態の一例を示す模式図である。
【図４】実施形態に係る半導体製造システムによって転写及び現像を行った後のレジスト付きウェハが良品の場合の一例を示す断面図及び平面図である。
【図５】ウェハの表面に検査用レジスト及び薄いレジストの膜が残存している状態の一例を示す断面図及び平面図である。
【図６】ウェハの表面に検査用レジスト及び略均一に広がったレジストの膜が残存している状態の一例を示す断面図及び平面図である。
【図７】実施形態に係るフォトマスクの変形例（その１）を示す平面図である。
【図８】図７に示すフォトマスクを利用して転写して現像を行った後のレジスト付きウェハの状態の一例を示す模式図である。
【図９】図７に示すフォトマスクを利用して行ったフォトリソグラフィによって得られたウェハの表面に検査用レジスト及び薄いレジストの膜が残存している状態の一例を示す断面図及び平面図である。
【図１０】図７に示すフォトマスクを利用して行ったフォトリソグラフィによって得られたウェハの表面に検査用レジスト及び略均一に広がったレジストの膜が残存している状態の一例を示す断面図及び平面図である。
【図１１】実施形態に係るフォトマスクの変形例（その２）を示す平面図である。
【図１２】図１１に示すフォトマスクを利用して転写して現像を行った後のレジスト付きウェハの状態の一例を示す模式図である。
【図１３】図１１に示すフォトマスクを利用して行ったフォトリソグラフィによって得られたウェハの表面に検査用レジスト及び薄いレジストの膜が残存している状態の一例を示す断面図及び平面図である。
【図１４】図１１に示すフォトマスクを利用して行ったフォトリソグラフィによって得られたウェハの表面に検査用レジスト及び略均一に広がったレジストの膜が残存している状態の一例を示す断面図及び平面図である。
【図１５】従来のフォトリソグラフィを利用してウェハに回路パターンを形成する一連の工程を示す断面図であり、（ａ）はウェハの断面構造を示す図であり、（ｂ）はレジスト付きウェハの断面構造を示す図であり、（ｃ）は露光工程を示す図であり、（ｄ）は現像工程を示す図であり、（ｅ）は現像終了後のレジスト付きウェハの断面構造を示す図である。
【図１６】現像後のウェハの表面にレジストの膜が残存している状態を示すレジスト付きウェハの断面図である。
【図１７】現像後のレジスト付きウェハにおけるウェハの表面の状態を示す平面図であり、（ａ）は良品のレジスト付きウェハを示す図であり、（ｂ）は不良品のレジスト付きウェハ（その１）を示す図であり、（ｃ）は不良品のレジスト付きウェハ（その２）を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の一例について詳細に説明する。なお、以下では、本発明を、フォトリソグラフィ及び現像を行う半導体製造システムに適用した場合を例に挙げて説明する。なお、図１５に示す構成と同一の構成については同一の符号を付してその説明を省略する。また、本実施形態において用いられる「解像度」とは、露光による転写によりウェハ上に解像されるパターンの最小寸法を示す。
【００１７】
図１は、本実施形態に係る半導体製造システム１０の構成の一例を示す構成図である。同図に示すように、光源１２、コンデンサレンズ１３、フォトマスク１４、縮小投影レンズ１５及び現像液槽１６を含んで構成されている。光源１２は、光を照射する照射面１２Ａがコンデンサレンズ１３、フォトマスク１４及び縮小投影レンズ１５を介してレジスト付きウェハ１０４のレジスト１０２に対面するように配置されており、レジスト１０２にコンデンサレンズ１３、フォトマスク１４及び縮小投影レンズ１５を介して光を照射する。なお、本実施形態に係る半導体製造システム１０では、光源１２がウェハに１００に所定解像度αの回路パターンを形成するために予め定められた波長を有する紫外線を照射する場合の形態例を挙げて説明しているが、これに限らず、上記予め定められた波長を有する光であってレジスト１０２の照射された領域が可溶性になる光であれば如何なる光であってもよい。
【００１８】
現像液槽１６は、レジスト１０２における光源１２によって光が照射された領域である可溶性領域１０３を溶解する現像液が貯留された槽であり、フォトリソグラフィによって回路パターンが転写されたレジスト付きウェハ１０４が浸漬される。
【００１９】
フォトマスク１４は、フォトリソグラフィによって回路パターンをレジスト１０２に転写する際に用いられる原版であり、レジスト１０２に転写される回路パターンに相当する解像度αの転写パターン１８を有する。
【００２０】
図２は、フォトマスク１４の構成の一例を示す平面図である。同図に示すように、フォトマスク１４は、石英ガラスからなる透明基板２０を備えており、転写パターン１８は、透明基板２０にクロムをスパッタ法で堆積させることによって生成された第１遮光膜２２と第１遮光膜２２に囲まれた透光性を有する矩形状の透過部２４とを含んで構成されている。
【００２１】
透過部２４の中央部には、解像度αよりも高解像度の検査用パターン（非解像パターン）としての矩形状の第２遮光膜２６が形成されている。第２遮光膜２６も第１遮光膜２２と同様にクロムをスパッタ法で堆積させることによって生成された膜である。
【００２２】
次に、図３〜６を参照しながら本実施形態に係る半導体製造システム１０の作用を説明する。なお、図３では、コンデンサレンズ１３及び縮小投影レンズ１５の図示を省略している。
【００２３】
先ず、光源１２により、フォトマスク１４を介して、レジスト付きウェハ１０４のレジスト１０２に光を予め定められた照射時間Ｔ１（ｓ）照射し、光源１２によって光が照射されたレジスト付きウェハ１０４を現像液槽１６に予め定められた浸漬時間Ｔ２（ｓ）浸漬する。これにより、一例として図３に示すように、ウェハ１００の表面１００Ａの中央部、すなわち、ウェハ１００の表面１００Ａにおいて、フォトマスク１４の第２遮光膜２２の位置に対応する位置には、通常よりも高さの低いレジスト１０２からなる検査用レジスト１０２Ａが残存する。「通常よりも高さの低い」とは、レジスト１０２において第１遮光膜２２によって光が照射されずに不溶性が維持された領域（不溶性領域）が現像液に予め定められた浸漬時間Ｔ２（ｓ）浸漬された際にウェハ１００の表面１００Ａに残存する不溶性領域の高さよりも低いということであり、換言すると、検査用レジスト１０２Ａを直接取り囲むレジスト１０２の高さよりも低いということである。
【００２４】
そして、更に継続してレジスト付きウェハ１０４を現像液槽１６にマージンの浸漬時間として予め定められた浸漬時間Ｔ３（ｓ）浸漬する。これにより、一例として図４に示すように検査用レジスト１０２Ａが溶解して表面１００Ａから消滅していることが光学顕微鏡を利用して視認できた場合にはレジスト付きウェハ１０４は良品として扱うことが可能となる。つまり、検査用レジスト１０２Ａが溶解して表面１００Ａから消滅しているということは、検査用レジスト１０２Ａの高さよりも低い薄いレジスト１０２の膜は当然消滅しているということにもなるので、レジスト付きウェハ１０４は良品であると判断することができる。
【００２５】
これに対し、レジスト付きウェハ１０４を浸漬時間Ｔ２（ｓ）浸漬してから更に継続してレジスト付きウェハ１０４を浸漬時間Ｔ３（ｓ）浸漬しても、一例として図５及び図６に示すように検査用レジスト１０２Ａが溶解せずに残っている場合、表面１００Ａ上の検査用レジスト１０２を光学顕微鏡を利用して容易に視認することができる。表面１００Ａに検査用レジスト１０２が残存しているということは、一例として図５に示すように薄いレジスト１０２の膜が部分的に残存していたり、一例として図６に示すように表面１００Ａの所定領域の全面にほぼ均一に薄いレジスト１０２の膜が残存していたりする可能性が極めて高いということになり、不良品として判断することができる。
【００２６】
以上詳細に説明したように、本実施形態に係る半導体製造システム１０では、レジスト付きウェハ１０４のレジスト１０２に解像度αの回路パターンを転写するための転写パターン１８が形成され、かつ転写パターン１８よりも内側の領域の一部に解像度αよりも高解像度の検査用パターンとしての第２遮光膜２６が形成されたフォトマスク１４を介して、レジスト１０２に所定波長光を照射時間Ｔ１（ｓ）照射し、所定波長光がレジスト１０２に照射時間Ｔ１（ｓ）照射された後にレジスト１０２における現像液に対して可溶性領域１０３を含む所定領域を現像液に浸漬時間Ｔ２（ｓ）＋Ｔ３（ｓ）浸漬するので、ウェハ１００の表面１００Ａに検査用レジスト１０２Ａが残存しているか否かを目視だけで、ウェハ１００に形成された回路パターンのボトム部に相当する表面１００Ａにレジスト１０２の膜が残存しているか否かを容易に把握することができる。
【００２７】
なお、上記実施形態では、矩形状の第２遮光膜２６を有するフォトマスク１４を適用した場合の形態例を挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、図７に示すフォトマスク５０を適用してもよい。フォトマスク５０は、フォトマスク１４に比べ、第２遮光膜２６に代えて網目状のパターン５２を適用した点のみが異なっている。パターン５２は、各々クロムが堆積されて形成された複数の微小遮光片５２Ａがマトリクス状に配列されることによって構成されている。
【００２８】
従って、図８に示すように光源１２により、フォトマスク５０を介して、レジスト付きウェハ１０４のレジスト１０２に光を予め定められた照射時間Ｔ１（ｓ）照射し、光源１２によって光が照射されたレジスト付きウェハ１０４を現像液槽１６に予め定められた浸漬時間Ｔ２（ｓ）浸漬する。これにより、ウェハ１００の表面１００Ａの中央部、すなわち、ウェハ１００の表面１００Ａにおいて、フォトマスク５０のパターン５２の位置に対応する位置には、通常よりも高さの低いレジスト１０２からなる検査用レジスト１０２Ｂが残存する。
【００２９】
そして、更に継続してレジスト付きウェハ１０４を現像液槽１６にマージンの浸漬時間、すなわち、予め定められた浸漬時間Ｔ３（ｓ）浸漬する。これにより、一例として図４に示すように検査用レジスト１０２Ｂが溶解して表面１００Ａから消滅していることが光学顕微鏡を利用して視認できた場合にはレジスト付きウェハ１０４は良品として扱うことが可能となる。つまり、検査用レジスト１０２Ｂが溶解して表面１００Ａから消滅しているということは、検査用レジスト１０２Ｂの高さよりも低い薄いレジスト１０２の膜は当然消滅しているということにもなるので、レジスト付きウェハ１０４は良品であると判断することができる。
【００３０】
これに対し、レジスト付きウェハ１０４を浸漬時間Ｔ２（ｓ）浸漬してから更に継続してレジスト付きウェハ１０４を浸漬時間Ｔ３（ｓ）浸漬しても、一例として図９及び図１０に示すように検査用レジスト１０２Ｂが溶解せずに残っている場合、表面１００Ａ上の検査用レジスト１０２Ｂを光学顕微鏡を利用して容易に視認することができる。表面１００Ａに検査用レジスト１０２Ｂが残存しているということは、一例として図９（ａ）に示すように薄いレジスト１０２の膜が部分的に残存していたり、一例として図１０（ａ）（ｂ）に示すように表面１００Ａの所定領域の全面にほぼ均一に薄いレジスト１０２の膜が残存していたりする可能性が極めて高いということになり、不良品として判断することができる。
【００３１】
また、フォトマスク５０に代えて図１１に示すフォトマスク６０を適用してもよい。フォトマスク６０は、フォトマスク５０に比べ、パターン５２に代えてパターン６２を適用した点のみが異なっている。パターン６２は、窒化モリブデンシリサイドからなる半透明膜を利用したハーフトーンのパターンである。
【００３２】
従って、図１２に示すように光源１２により、フォトマスク６０を介して、レジスト付きウェハ１０４のレジスト１０２に光を予め定められた照射時間Ｔ１（ｓ）照射し、光源１２によって光が照射されたレジスト付きウェハ１０４を現像液槽１６に予め定められた浸漬時間Ｔ２（ｓ）浸漬する。これにより、ウェハ１００の表面１００Ａの中央部、すなわち、ウェハ１００の表面１００Ａにおいて、フォトマスク６０のパターン６２の位置に対応する位置には、通常よりも高さの低いレジスト１０２からなる検査用レジスト１０２Ｃが残存する。
【００３３】
そして、更に継続してレジスト付きウェハ１０４を現像液槽１６にマージンの浸漬時間、すなわち、予め定められた浸漬時間Ｔ３（ｓ）浸漬する。これにより、一例として図４に示すように検査用レジスト１０２Ｃが溶解して表面１００Ａから消滅していることが光学顕微鏡を利用して視認できた場合にはレジスト付きウェハ１０４は良品として扱うことが可能となる。つまり、検査用レジスト１０２Ｃが溶解して表面１００Ａから消滅しているということは、検査用レジスト１０２Ｃの高さよりも低い薄いレジスト１０２の膜は当然消滅しているということにもなるので、レジスト付きウェハ１０４は良品であると判断することができる。
【００３４】
これに対し、レジスト付きウェハ１０４を浸漬時間Ｔ２（ｓ）浸漬してから更に継続してレジスト付きウェハ１０４を浸漬時間Ｔ３（ｓ）浸漬しても、一例として図１３及び図１４に示すように検査用レジスト１０２Ｃが溶解せずに残っている場合、表面１００Ａ上の検査用レジスト１０２Ｃを光学顕微鏡を利用して容易に視認することができる。表面１００Ａに検査用レジスト１０２Ｃが残存しているということは、一例として図１３（ａ）に示すように薄いレジスト１０２の膜が部分的に残存していたり、一例として図１４（ａ）（ｂ）に示すように表面１００Ａの所定領域の全面にほぼ均一に薄いレジスト１０２の膜が残存していたりする可能性が極めて高いということになり、不良品として判断することができる。
【００３５】
このように、解像度αよりも高解像度の検査用パターンの形態は、転写パターンに含まれる領域の一部に形成される如何なる形態であってもよく、何れにしても転写工程を経てから現像工程のマージンの時間としての浸漬時間Ｔ３（ｓ）に入る前の段階では、通常よりも高さの低い検査用レジストが形成される。
【００３６】
また、上記実施形態では、ポジ型のレジスト１０２を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ネガ型のレジストを適用しても良い。この場合、上記実施形態の例では、レジストにおける可溶性領域と不溶性領域とが逆になる。よって、フォトマスク１４の透過部２４を遮光性の材料からなる遮光部に置き換えると共に、第１遮光膜２２及び第２遮光膜２６が形成された領域は各々透明基板２０の表面を露出させればよい。
【００３７】
また、上記実施形態では、回路パターンに対応する可溶性領域を現像液で溶解する上で必要な時間に加えて更にマージンの浸漬時間Ｔ３（ｓ）を適用したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、マージンの時間として、浸漬時間Ｔ３（ｓ）に代えて照射時間Ｔ４（ｓ）を適用してもよい。この場合、第２遮光膜２６によってレジスト１０２に転写されたパターンに対応する可溶性領域（検査用レジスト１０２Ａ，１０２Ｂ，１０２Ｃ）を現像液槽１６の現像液に浸漬して溶解する際に照射時間Ｔ４（ｓ）を寄与させればよい。つまり、照射時間Ｔ４（ｓ）だけ余分に光が照射されることによって検査用レジストを溶解させて消滅させることができればよい。また、これに限らず、マージンの時間として浸漬時間Ｔ５（ｓ）及び照射時間Ｔ６（ｓ）を適用してもよい。この場合、第２遮光膜２６によってレジスト１０２に転写されたパターンに対応する可溶性領域（検査用レジスト１０２Ｂ）を現像液槽１６の現像液に浸漬して溶解する際に浸漬時間Ｔ５（ｓ）及び照射時間Ｔ６（ｓ）が寄与すればよい。
【００３８】
また、上記実施形態では、第２遮光膜２６を適用したが、本発明はこれに限定されるものではなく、第２遮光膜２６に代えて光の透過を抑制する素材からなる光透過抑制膜を適用してもよい。光の透過をどの程度抑制するかによって検査用レジスト１０２Ｂを決定することができる。
【符号の説明】
【００３９】
１０ 半導体製造システム
１２ 光源
１４，５０，６０ フォトマスク
１６ 現像液槽
１８ 転写パターン
２２ 第１遮光膜
２６ 第２遮光膜
５２，６２ パターン
１００ ウェハ
１０２ レジスト
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検査支援方法、検査方法、フォトマスク、及び検査支援システム検査方法及びシステムに係り、特に、回路パターンの転写後に半導体基板の特定領域にレジストが残存しているか否かを検査するための検査支援方法、検査方法、フォトマスク、及び検査支援システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を構成する薄膜は、一般的にフォトリソグラフィによって形成される。フォトリソグラフィとは、ウェハ上に塗布された感光性樹脂であるフォトレジスト（以下、「レジスト」という。）に対して、回路パターン（メインパターン）が描画されたフォトマスクを介して光を照射することによってその回路パターンをウェハに転写する技術をいう。
【０００３】
図１５には、従来のフォトリソグラフィを利用してウェハ１００に回路パターンを形成する工程の一例が示されている。
【０００４】
同図に示されるように、ウェハ１００（同図（ａ）参照）の表面１００Ａに、光の照射部分が現像液に対して可溶性になるポジ型のレジスト１０２を塗布することによりレジスト付きウェハ１０４を作り（同図（ｂ）参照）、所定解像度αの回路パターンが描画されたフォトマスク１０６を介して、レジスト付きウェハ１０４のレジスト１０２に所定波長の光を予め定められた照射時間Ｔ１（ｓ）照射することにより、回路パターンをレジストに転写し（同図（ｃ）参照）、その後にレジストにおける可溶性領域（ここでは、光が照射された領域）１０３を現像液で溶かすために、レジスト付きウェハを現像液が貯留された現像液槽の現像液に予め定められた浸漬時間Ｔ２（ｓ）浸漬することにより（同図（ｄ））、可溶性領域１０３が溶解してウェハ１００の表面１００Ａが露呈する（同図（ｅ））。
【０００５】
ところで、可溶性領域１０３を溶解したつもりでも実際には一例として図１６に示すようにウェハ１００の表面１００Ａ（同図では「ボトム部」と表記）に薄膜状のレジスト１０２が残存している場合がある。例えば、可溶性領域１０３を完全に溶解することができた場合には一例として図１７（ａ）に示すようにウェハ１００の表面１００Ａが露呈するが、可溶性領域１０３を完全に溶解できなかった場合には一例として図１７（ｂ）に示すようにウェハ１００の表面１００Ａに略均一なレジスト１０２の膜が残存したり、或いは一例として図１７（ｃ）に示すように図１７（ｂ）に示すレジスト１０２の膜よりも更に薄いレジスト１０２の膜が残存したりする場合がある。回路パターンを構成されるべきウェハ１００の表面１００Ａにレジスト１０２が残存すると、パターン異常、高抵抗、導通不良などのトラブルを引き起こしてしまう。
【０００６】
そのため、特許文献１に記載の技術では、光学顕微鏡を用いてウェハ１００の表面１００Ａ上を目視することによりレジスト１０２が残存しているか否かを検査している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平９−１１５９７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、光学顕微鏡を用いたところで図１７（ｂ）に示すようにほぼ均一にレジスト１０２の膜が付着している場合には目視することは困難となり、図１７（ｃ）に示すように更に薄い膜になると目視することはより一層困難になる、という問題点があった。
【０００９】
本発明は上記問題点を解決するために成されたものであり、現像後の余分なフォトレジストの存在を容易に把握することができる検査支援方法、検査方法、フォトマスク、及び検査支援システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の検査支援方法は、半導体基板に積層されたフォトレジストに所定解像度の回路パターンを転写するための転写パターンが形成され、かつ該転写パターンを構成している領域の一部に前記所定解像度よりも高解像度の検査用パターンが形成されたフォトマスクを介して、前記フォトレジストに前記所定解像度に対応する波長を有する所定波長光を予め定められた照射時間照射することにより前記回路パターンを前記フォトレジストに転写する転写工程と、前記転写工程によって前記フォトレジストに前記回路パターンが転写された後に該フォトレジストにおける現像液に対して可溶性の領域を含む所定領域を該現像液に予め定められた浸漬時間浸漬する浸漬工程と、を含んで構成されている。
【００１１】
請求項７に記載の検査方法は、請求項１〜請求項６の何れか１項に記載の検査支援方法と、前記浸漬工程によって前記所定領域を前記現像液に前記浸漬時間浸漬した後に光学顕微鏡により前記回路パターンを視認する視認工程と、を含んで構成されている。これにより、コストの増大を招くことなく、現像後の余分なフォトレジストの存在を容易に把握することができる。
【００１２】
請求項８に記載のフォトマスクは、半導体基板に積層されたフォトレジストに所定解像度の回路パターンが転写されるように該フォトレジストに該所定解像度に対応する波長を有する所定波長光を予め定められた照射時間照射することにより前記回路パターンを前記フォトレジストに転写した後に該フォトレジストにおける現像液に対して可溶性の領域を含む所定領域を該現像液に予め定められた浸漬時間浸漬することにより前記半導体基板に前記回路パターンを形成する場合の前記フォトレジストに前記所定波長光を前記照射時間照射する際に用いられるフォトマスクであって、前記回路パターンを転写するための転写パターンを形成し、かつ該転写パターンを構成している領域の一部に前記所定解像度よりも高解像度の検査用パターンを形成したものである。これにより、現像後の余分なフォトレジストの存在を容易に把握することができる。
【００１３】
請求項１３に記載の検査支援システムは、請求項８〜請求項１２の何れか１項に記載のフォトマスクと、前記フォトマスクを介して、前記フォトレジストに前記所定波長光を前記照射時間照射することにより前記回路パターンを前記フォトレジストに転写する転写手段と、前記現像液が貯留されており、前記転写手段によって前記フォトレジストに前記回路パターンが転写された後に前記所定領域が該現像液に予め定められた浸漬時間浸漬される浸漬槽と、を含んで構成されている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、現像後の余分なフォトレジストの存在を容易に把握することができる、という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施形態に係る半導体製造システムの構成の一例を示す構成図である。
【図２】実施形態に係るフォトマスクの構成の一例を示す平面図である。
【図３】実施形態に係る半導体製造システムによって転写及び現像を行った後のレジスト付きウェハの状態の一例を示す模式図である。
【図４】実施形態に係る半導体製造システムによって転写及び現像を行った後のレジスト付きウェハが良品の場合の一例を示す断面図及び平面図である。
【図５】ウェハの表面に検査用レジスト及び薄いレジストの膜が残存している状態の一例を示す断面図及び平面図である。
【図６】ウェハの表面に検査用レジスト及び略均一に広がったレジストの膜が残存している状態の一例を示す断面図及び平面図である。
【図７】実施形態に係るフォトマスクの変形例（その１）を示す平面図である。
【図８】図７に示すフォトマスクを利用して転写して現像を行った後のレジスト付きウェハの状態の一例を示す模式図である。
【図９】図７に示すフォトマスクを利用して行ったフォトリソグラフィによって得られたウェハの表面に検査用レジスト及び薄いレジストの膜が残存している状態の一例を示す断面図及び平面図である。
【図１０】図７に示すフォトマスクを利用して行ったフォトリソグラフィによって得られたウェハの表面に検査用レジスト及び略均一に広がったレジストの膜が残存している状態の一例を示す断面図及び平面図である。
【図１１】実施形態に係るフォトマスクの変形例（その２）を示す平面図である。
【図１２】図１１に示すフォトマスクを利用して転写して現像を行った後のレジスト付きウェハの状態の一例を示す模式図である。
【図１３】図１１に示すフォトマスクを利用して行ったフォトリソグラフィによって得られたウェハの表面に検査用レジスト及び薄いレジストの膜が残存している状態の一例を示す断面図及び平面図である。
【図１４】図１１に示すフォトマスクを利用して行ったフォトリソグラフィによって得られたウェハの表面に検査用レジスト及び略均一に広がったレジストの膜が残存している状態の一例を示す断面図及び平面図である。
【図１５】従来のフォトリソグラフィを利用してウェハに回路パターンを形成する一連の工程を示す断面図であり、（ａ）はウェハの断面構造を示す図であり、（ｂ）はレジスト付きウェハの断面構造を示す図であり、（ｃ）は露光工程を示す図であり、（ｄ）は現像工程を示す図であり、（ｅ）は現像終了後のレジスト付きウェハの断面構造を示す図である。
【図１６】現像後のウェハの表面にレジストの膜が残存している状態を示すレジスト付きウェハの断面図である。
【図１７】現像後のレジスト付きウェハにおけるウェハの表面の状態を示す平面図であり、（ａ）は良品のレジスト付きウェハを示す図であり、（ｂ）は不良品のレジスト付きウェハ（その１）を示す図であり、（ｃ）は不良品のレジスト付きウェハ（その２）を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の一例について詳細に説明する。なお、以下では、本発明を、フォトリソグラフィ及び現像を行う半導体製造システムに適用した場合を例に挙げて説明する。なお、図１５に示す構成と同一の構成については同一の符号を付してその説明を省略する。また、本実施形態において用いられる「解像度」とは、露光による転写によりウェハ上に解像されるパターンの最小寸法を示す。
【００１７】
図１は、本実施形態に係る半導体製造システム１０の構成の一例を示す構成図である。同図に示すように、光源１２、コンデンサレンズ１３、フォトマスク１４、縮小投影レンズ１５及び現像液槽１６を含んで構成されている。光源１２は、光を照射する照射面１２Ａがコンデンサレンズ１３、フォトマスク１４及び縮小投影レンズ１５を介してレジスト付きウェハ１０４のレジスト１０２に対面するように配置されており、レジスト１０２にコンデンサレンズ１３、フォトマスク１４及び縮小投影レンズ１５を介して光を照射する。なお、本実施形態に係る半導体製造システム１０では、光源１２がウェハに１００に所定解像度αの回路パターンを形成するために予め定められた波長を有する紫外線を照射する場合の形態例を挙げて説明しているが、これに限らず、上記予め定められた波長を有する光であってレジスト１０２の照射された領域が可溶性になる光であれば如何なる光であってもよい。
【００１８】
現像液槽１６は、レジスト１０２における光源１２によって光が照射された領域である可溶性領域１０３を溶解する現像液が貯留された槽であり、フォトリソグラフィによって回路パターンが転写されたレジスト付きウェハ１０４が浸漬される。
【００１９】
フォトマスク１４は、フォトリソグラフィによって回路パターンをレジスト１０２に転写する際に用いられる原版であり、レジスト１０２に転写される回路パターンに相当する解像度αの転写パターン１８を有する。
【００２０】
図２は、フォトマスク１４の構成の一例を示す平面図である。同図に示すように、フォトマスク１４は、石英ガラスからなる透明基板２０を備えており、転写パターン１８は、透明基板２０にクロムをスパッタ法で堆積させることによって生成された第１遮光膜２２と第１遮光膜２２に囲まれた透光性を有する矩形状の透過部２４とを含んで構成されている。
【００２１】
透過部２４の中央部には、解像度αよりも高解像度の検査用パターン（非解像パターン）としての矩形状の第２遮光膜２６が形成されている。第２遮光膜２６も第１遮光膜２２と同様にクロムをスパッタ法で堆積させることによって生成された膜である。
【００２２】
次に、図３〜６を参照しながら本実施形態に係る半導体製造システム１０の作用を説明する。なお、図３では、コンデンサレンズ１３及び縮小投影レンズ１５の図示を省略している。
【００２３】
先ず、光源１２により、フォトマスク１４を介して、レジスト付きウェハ１０４のレジスト１０２に光を予め定められた照射時間Ｔ１（ｓ）照射し、光源１２によって光が照射されたレジスト付きウェハ１０４を現像液槽１６に予め定められた浸漬時間Ｔ２（ｓ）浸漬する。これにより、一例として図３に示すように、ウェハ１００の表面１００Ａの中央部、すなわち、ウェハ１００の表面１００Ａにおいて、フォトマスク１４の第２遮光膜２２の位置に対応する位置には、通常よりも高さの低いレジスト１０２からなる検査用レジスト１０２Ａが残存する。「通常よりも高さの低い」とは、レジスト１０２において第１遮光膜２２によって光が照射されずに不溶性が維持された領域（不溶性領域）が現像液に予め定められた浸漬時間Ｔ２（ｓ）浸漬された際にウェハ１００の表面１００Ａに残存する不溶性領域の高さよりも低いということであり、換言すると、検査用レジスト１０２Ａを直接取り囲むレジスト１０２の高さよりも低いということである。
【００２４】
そして、更に継続してレジスト付きウェハ１０４を現像液槽１６にマージンの浸漬時間として予め定められた浸漬時間Ｔ３（ｓ）浸漬する。これにより、一例として図４に示すように検査用レジスト１０２Ａが溶解して表面１００Ａから消滅していることが光学顕微鏡を利用して視認できた場合にはレジスト付きウェハ１０４は良品として扱うことが可能となる。つまり、検査用レジスト１０２Ａが溶解して表面１００Ａから消滅しているということは、検査用レジスト１０２Ａの高さよりも低い薄いレジスト１０２の膜は当然消滅しているということにもなるので、レジスト付きウェハ１０４は良品であると判断することができる。
【００２５】
これに対し、レジスト付きウェハ１０４を浸漬時間Ｔ２（ｓ）浸漬してから更に継続してレジスト付きウェハ１０４を浸漬時間Ｔ３（ｓ）浸漬しても、一例として図５及び図６に示すように検査用レジスト１０２Ａが溶解せずに残っている場合、表面１００Ａ上の検査用レジスト１０２を光学顕微鏡を利用して容易に視認することができる。表面１００Ａに検査用レジスト１０２が残存しているということは、一例として図５に示すように薄いレジスト１０２の膜が部分的に残存していたり、一例として図６に示すように表面１００Ａの所定領域の全面にほぼ均一に薄いレジスト１０２の膜が残存していたりする可能性が極めて高いということになり、不良品として判断することができる。
【００２６】
以上詳細に説明したように、本実施形態に係る半導体製造システム１０では、レジスト付きウェハ１０４のレジスト１０２に解像度αの回路パターンを転写するための転写パターン１８が形成され、かつ転写パターン１８よりも内側の領域の一部に解像度αよりも高解像度の検査用パターンとしての第２遮光膜２６が形成されたフォトマスク１４を介して、レジスト１０２に所定波長光を照射時間Ｔ１（ｓ）照射し、所定波長光がレジスト１０２に照射時間Ｔ１（ｓ）照射された後にレジスト１０２における現像液に対して可溶性領域１０３を含む所定領域を現像液に浸漬時間Ｔ２（ｓ）＋Ｔ３（ｓ）浸漬するので、ウェハ１００の表面１００Ａに検査用レジスト１０２Ａが残存しているか否かを目視だけで、ウェハ１００に形成された回路パターンのボトム部に相当する表面１００Ａにレジスト１０２の膜が残存しているか否かを容易に把握することができる。
【００２７】
なお、上記実施形態では、矩形状の第２遮光膜２６を有するフォトマスク１４を適用した場合の形態例を挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、図７に示すフォトマスク５０を適用してもよい。フォトマスク５０は、フォトマスク１４に比べ、第２遮光膜２６に代えて網目状のパターン５２を適用した点のみが異なっている。パターン５２は、各々クロムが堆積されて形成された複数の微小遮光片５２Ａがマトリクス状に配列されることによって構成されている。
【００２８】
従って、図８に示すように光源１２により、フォトマスク５０を介して、レジスト付きウェハ１０４のレジスト１０２に光を予め定められた照射時間Ｔ１（ｓ）照射し、光源１２によって光が照射されたレジスト付きウェハ１０４を現像液槽１６に予め定められた浸漬時間Ｔ２（ｓ）浸漬する。これにより、ウェハ１００の表面１００Ａの中央部、すなわち、ウェハ１００の表面１００Ａにおいて、フォトマスク５０のパターン５２の位置に対応する位置には、通常よりも高さの低いレジスト１０２からなる検査用レジスト１０２Ｂが残存する。
【００２９】
そして、更に継続してレジスト付きウェハ１０４を現像液槽１６にマージンの浸漬時間、すなわち、予め定められた浸漬時間Ｔ３（ｓ）浸漬する。これにより、一例として図４に示すように検査用レジスト１０２Ｂが溶解して表面１００Ａから消滅していることが光学顕微鏡を利用して視認できた場合にはレジスト付きウェハ１０４は良品として扱うことが可能となる。つまり、検査用レジスト１０２Ｂが溶解して表面１００Ａから消滅しているということは、検査用レジスト１０２Ｂの高さよりも低い薄いレジスト１０２の膜は当然消滅しているということにもなるので、レジスト付きウェハ１０４は良品であると判断することができる。
【００３０】
これに対し、レジスト付きウェハ１０４を浸漬時間Ｔ２（ｓ）浸漬してから更に継続してレジスト付きウェハ１０４を浸漬時間Ｔ３（ｓ）浸漬しても、一例として図９及び図１０に示すように検査用レジスト１０２Ｂが溶解せずに残っている場合、表面１００Ａ上の検査用レジスト１０２Ｂを光学顕微鏡を利用して容易に視認することができる。表面１００Ａに検査用レジスト１０２Ｂが残存しているということは、一例として図９（ａ）に示すように薄いレジスト１０２の膜が部分的に残存していたり、一例として図１０（ａ）（ｂ）に示すように表面１００Ａの所定領域の全面にほぼ均一に薄いレジスト１０２の膜が残存していたりする可能性が極めて高いということになり、不良品として判断することができる。
【００３１】
また、フォトマスク５０に代えて図１１に示すフォトマスク６０を適用してもよい。フォトマスク６０は、フォトマスク５０に比べ、パターン５２に代えてパターン６２を適用した点のみが異なっている。パターン６２は、窒化モリブデンシリサイドからなる半透明膜を利用したハーフトーンのパターンである。
【００３２】
従って、図１２に示すように光源１２により、フォトマスク６０を介して、レジスト付きウェハ１０４のレジスト１０２に光を予め定められた照射時間Ｔ１（ｓ）照射し、光源１２によって光が照射されたレジスト付きウェハ１０４を現像液槽１６に予め定められた浸漬時間Ｔ２（ｓ）浸漬する。これにより、ウェハ１００の表面１００Ａの中央部、すなわち、ウェハ１００の表面１００Ａにおいて、フォトマスク６０のパターン６２の位置に対応する位置には、通常よりも高さの低いレジスト１０２からなる検査用レジスト１０２Ｃが残存する。
【００３３】
そして、更に継続してレジスト付きウェハ１０４を現像液槽１６にマージンの浸漬時間、すなわち、予め定められた浸漬時間Ｔ３（ｓ）浸漬する。これにより、一例として図４に示すように検査用レジスト１０２Ｃが溶解して表面１００Ａから消滅していることが光学顕微鏡を利用して視認できた場合にはレジスト付きウェハ１０４は良品として扱うことが可能となる。つまり、検査用レジスト１０２Ｃが溶解して表面１００Ａから消滅しているということは、検査用レジスト１０２Ｃの高さよりも低い薄いレジスト１０２の膜は当然消滅しているということにもなるので、レジスト付きウェハ１０４は良品であると判断することができる。
【００３４】
これに対し、レジスト付きウェハ１０４を浸漬時間Ｔ２（ｓ）浸漬してから更に継続してレジスト付きウェハ１０４を浸漬時間Ｔ３（ｓ）浸漬しても、一例として図１３及び図１４に示すように検査用レジスト１０２Ｃが溶解せずに残っている場合、表面１００Ａ上の検査用レジスト１０２Ｃを光学顕微鏡を利用して容易に視認することができる。表面１００Ａに検査用レジスト１０２Ｃが残存しているということは、一例として図１３（ａ）に示すように薄いレジスト１０２の膜が部分的に残存していたり、一例として図１４（ａ）（ｂ）に示すように表面１００Ａの所定領域の全面にほぼ均一に薄いレジスト１０２の膜が残存していたりする可能性が極めて高いということになり、不良品として判断することができる。
【００３５】
このように、解像度αよりも高解像度の検査用パターンの形態は、転写パターンに含まれる領域の一部に形成される如何なる形態であってもよく、何れにしても転写工程を経てから現像工程のマージンの時間としての浸漬時間Ｔ３（ｓ）に入る前の段階では、通常よりも高さの低い検査用レジストが形成される。
【００３６】
また、上記実施形態では、ポジ型のレジスト１０２を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ネガ型のレジストを適用しても良い。この場合、上記実施形態の例では、レジストにおける可溶性領域と不溶性領域とが逆になる。よって、フォトマスク１４の透過部２４を遮光性の材料からなる遮光部に置き換えると共に、第１遮光膜２２及び第２遮光膜２６が形成された領域は各々透明基板２０の表面を露出させればよい。
【００３７】
また、上記実施形態では、回路パターンに対応する可溶性領域を現像液で溶解する上で必要な時間に加えて更にマージンの浸漬時間Ｔ３（ｓ）を適用したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、マージンの時間として、浸漬時間Ｔ３（ｓ）に代えて照射時間Ｔ４（ｓ）を適用してもよい。この場合、第２遮光膜２６によってレジスト１０２に転写されたパターンに対応する可溶性領域（検査用レジスト１０２Ａ，１０２Ｂ，１０２Ｃ）を現像液槽１６の現像液に浸漬して溶解する際に照射時間Ｔ４（ｓ）を寄与させればよい。つまり、照射時間Ｔ４（ｓ）だけ余分に光が照射されることによって検査用レジストを溶解させて消滅させることができればよい。また、これに限らず、マージンの時間として浸漬時間Ｔ５（ｓ）及び照射時間Ｔ６（ｓ）を適用してもよい。この場合、第２遮光膜２６によってレジスト１０２に転写されたパターンに対応する可溶性領域（検査用レジスト１０２Ｂ）を現像液槽１６の現像液に浸漬して溶解する際に浸漬時間Ｔ５（ｓ）及び照射時間Ｔ６（ｓ）が寄与すればよい。
【００３８】
また、上記実施形態では、第２遮光膜２６を適用したが、本発明はこれに限定されるものではなく、第２遮光膜２６に代えて光の透過を抑制する素材からなる光透過抑制膜を適用してもよい。光の透過をどの程度抑制するかによって検査用レジスト１０２Ｂを決定することができる。
【符号の説明】
【００３９】
１０ 半導体製造システム
１２ 光源
１４，５０，６０ フォトマスク
１６ 現像液槽
１８ 転写パターン
２２ 第１遮光膜
２６ 第２遮光膜
５２，６２ パターン
１００ ウェハ
１０２ レジスト
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に積層されたフォトレジストに所定解像度の回路パターンを転写するための転写パターンが形成され、かつ該転写パターンを構成している領域の一部に前記所定解像度よりも高解像度の検査用パターンが形成されたフォトマスクを介して、前記フォトレジストに前記所定解像度に対応する波長を有する所定波長光を予め定められた照射時間照射することにより前記回路パターンを前記フォトレジストに転写する転写工程と、
前記転写工程によって前記フォトレジストに前記回路パターンが転写された後に該フォトレジストにおける現像液に対して可溶性の領域を含む所定領域を該現像液に予め定められた浸漬時間浸漬する浸漬工程と、
を含む検査支援方法。
【請求項２】
前記照射時間及び前記浸漬時間の少なくとも一方を、前記転写パターンによって前記フォトレジストに転写された前記回路パターンに対応する前記可溶性の領域を現像液で溶解する上で必要な時間より所定時間長くした請求項１記載の検査支援方法。
【請求項３】
前記フォトレジストをポジ型のフォトレジストとし、
前記転写パターンを、前記所定波長光が透過する透過部及び前記所定波長光を遮る遮光部により形成し、
前記検査用パターンを、前記透過部の一部に設けられ、前記所定波長光の透過を抑制する透過抑制部とした請求項１または請求項２記載の検査支援方法。
【請求項４】
前記透過抑制部を、前記所定波長光を遮る遮光素材によって形成した請求項３記載の検査支援方法。
【請求項５】
前記透過抑制部を、前記遮光素材からなる網目状のパターンとした請求項４記載の検査支援方法。
【請求項６】
前記透過抑制部を、ハーフトーンのパターンとした請求項３記載の検査支援方法。
【請求項７】
請求項１〜請求項６の何れか１項に記載の検査支援方法と、
前記浸漬工程によって前記所定領域を前記現像液に前記浸漬時間浸漬した後に光学顕微鏡により前記回路パターンを視認する視認工程と、
を含む検査方法。
【請求項８】
半導体基板に積層されたフォトレジストに所定解像度の回路パターンが転写されるように該フォトレジストに該所定解像度に対応する波長を有する所定波長光を予め定められた照射時間照射することにより前記回路パターンを前記フォトレジストに転写した後に該フォトレジストにおける現像液に対して可溶性の領域を含む所定領域を該現像液に予め定められた浸漬時間浸漬することにより前記半導体基板に前記回路パターンを形成する場合の前記フォトレジストに前記所定波長光を前記照射時間照射する際に用いられるフォトマスクであって、
前記回路パターンを転写するための転写パターンを形成し、かつ該転写パターンを構成している領域の一部に前記所定解像度よりも高解像度の検査用パターンを形成したフォトマスク。
【請求項９】
前記フォトレジストをポジ型のフォトレジストとし、
前記転写パターンを前記所定波長光が透過する透過部及び前記所定波長光を遮る遮光部により形成し、
前記検査用パターンを、前記透過部の一部に設けられ、前記所定波長光の透過を抑制する透過抑制部とした請求項８記載のフォトマスク。
【請求項１０】
前記透過抑制部を、前記所定波長光を遮る遮光素材によって形成した請求項９記載のフォトマスク。
【請求項１１】
前記透過抑制部を、前記遮光素材からなる網目状のパターンとした請求項１０記載のフォトマスク。
【請求項１２】
前記透過抑制部を、ハーフトーンのパターンとした請求項９記載のフォトマスク。
【請求項１３】
請求項８〜請求項１２の何れか１項に記載のフォトマスクと、
前記フォトマスクを介して、前記フォトレジストに前記所定波長光を前記照射時間照射することにより前記回路パターンを前記フォトレジストに転写する転写手段と、
前記現像液が貯留されており、前記転写手段によって前記フォトレジストに前記回路パターンが転写された後に前記所定領域が該現像液に予め定められた浸漬時間浸漬される浸漬槽と、
を含む検査支援システム。
【請求項１４】
前記照射時間及び前記浸漬時間の少なくとも一方を、前記転写パターンによって前記フォトレジストに転写された前記回路パターンに対応する前記可溶性の領域を現像液で溶解する上で必要な時間より所定時間長くした請求項１３記載の検査支援システム。
【請求項１】
半導体基板に積層されたフォトレジストに所定解像度の回路パターンを転写するための転写パターンが形成され、かつ該転写パターンを構成している領域の一部に前記所定解像度よりも高解像度の検査用パターンが形成されたフォトマスクを介して、前記フォトレジストに前記所定解像度に対応する波長を有する所定波長光を予め定められた照射時間照射することにより前記回路パターンを前記フォトレジストに転写する転写工程と、
前記転写工程によって前記フォトレジストに前記回路パターンが転写された後に該フォトレジストにおける現像液に対して可溶性の領域を含む所定領域を該現像液に予め定められた浸漬時間浸漬する浸漬工程と、
を含む検査支援方法。
【請求項２】
前記照射時間及び前記浸漬時間の少なくとも一方を、前記転写パターンによって前記フォトレジストに転写された前記回路パターンに対応する前記可溶性の領域を現像液で溶解する上で必要な時間より所定時間長くした請求項１記載の検査支援方法。
【請求項３】
前記フォトレジストをポジ型のフォトレジストとし、
前記転写パターンを、前記所定波長光が透過する透過部及び前記所定波長光を遮る遮光部により形成し、
前記検査用パターンを、前記透過部の一部に設けられ、前記所定波長光の透過を抑制する透過抑制部とした請求項１または請求項２記載の検査支援方法。
【請求項４】
前記透過抑制部を、前記所定波長光を遮る遮光素材によって形成した請求項３記載の検査支援方法。
【請求項５】
前記透過抑制部を、前記遮光素材からなる網目状のパターンとした請求項４記載の検査支援方法。
【請求項６】
前記透過抑制部を、ハーフトーンのパターンとした請求項３記載の検査支援方法。
【請求項７】
請求項１〜請求項６の何れか１項に記載の検査支援方法と、
前記浸漬工程によって前記所定領域を前記現像液に前記浸漬時間浸漬した後に光学顕微鏡により前記回路パターンを視認する視認工程と、
を含む検査方法。
【請求項８】
半導体基板に積層されたフォトレジストに所定解像度の回路パターンが転写されるように該フォトレジストに該所定解像度に対応する波長を有する所定波長光を予め定められた照射時間照射することにより前記回路パターンを前記フォトレジストに転写した後に該フォトレジストにおける現像液に対して可溶性の領域を含む所定領域を該現像液に予め定められた浸漬時間浸漬することにより前記半導体基板に前記回路パターンを形成する場合の前記フォトレジストに前記所定波長光を前記照射時間照射する際に用いられるフォトマスクであって、
前記回路パターンを転写するための転写パターンを形成し、かつ該転写パターンを構成している領域の一部に前記所定解像度よりも高解像度の検査用パターンを形成したフォトマスク。
【請求項９】
前記フォトレジストをポジ型のフォトレジストとし、
前記転写パターンを前記所定波長光が透過する透過部及び前記所定波長光を遮る遮光部により形成し、
前記検査用パターンを、前記透過部の一部に設けられ、前記所定波長光の透過を抑制する透過抑制部とした請求項８記載のフォトマスク。
【請求項１０】
前記透過抑制部を、前記所定波長光を遮る遮光素材によって形成した請求項９記載のフォトマスク。
【請求項１１】
前記透過抑制部を、前記遮光素材からなる網目状のパターンとした請求項１０記載のフォトマスク。
【請求項１２】
前記透過抑制部を、ハーフトーンのパターンとした請求項９記載のフォトマスク。
【請求項１３】
請求項８〜請求項１２の何れか１項に記載のフォトマスクと、
前記フォトマスクを介して、前記フォトレジストに前記所定波長光を前記照射時間照射することにより前記回路パターンを前記フォトレジストに転写する転写手段と、
前記現像液が貯留されており、前記転写手段によって前記フォトレジストに前記回路パターンが転写された後に前記所定領域が該現像液に予め定められた浸漬時間浸漬される浸漬槽と、
を含む検査支援システム。
【請求項１４】
前記照射時間及び前記浸漬時間の少なくとも一方を、前記転写パターンによって前記フォトレジストに転写された前記回路パターンに対応する前記可溶性の領域を現像液で溶解する上で必要な時間より所定時間長くした請求項１３記載の検査支援システム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
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【図５】
【図６】
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【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１２−１０４５４１（Ｐ２０１２−１０４５４１Ａ）
【公開日】平成２４年５月３１日（２０１２．５．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２４９５８８（Ｐ２０１０−２４９５８８）
【出願日】平成２２年１１月８日（２０１０．１１．８）
【出願人】（３０８０３３７１１）ラピスセミコンダクタ株式会社 (898)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年５月３１日（２０１２．５．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１１月８日（２０１０．１１．８）
【出願人】（３０８０３３７１１）ラピスセミコンダクタ株式会社 (898)
【Ｆターム（参考）】
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