磁気記録媒体
【課題】 摩擦係数が低く、走行性が良く、かつ、耐久性に富むカーボン系保護膜を有する磁気記録媒体を提供することである。
【解決手段】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体において、保護膜のラマンスペクトルは８００ｃｍ-1〜２０００ｃｍ-1の領域にピークを有し、ピークをガウス関数により誤差最小となるように二つのピークにピーク分離した時、０．９＜Ｓ1 ／Ｓ2 ＜１．６５但し、Ｓ1 は前記ピーク分離されたピークのうち低波数側ピークの面積強度、Ｓ2 は前記ピーク分離されたピークのうち高波数側ピークの面積強度、を満足し、又０．４＜Ｉb ／Ｉg ＜０．５５但し、Ｉb は前記ピーク分離されたピークのうち低波数側ピーク位置における蛍光線バックグラウンド、Ｉg は前記ピーク分離されたピークのうち高波数側ピークのピーク強度、を満足するようにする。
【解決手段】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体において、保護膜のラマンスペクトルは８００ｃｍ-1〜２０００ｃｍ-1の領域にピークを有し、ピークをガウス関数により誤差最小となるように二つのピークにピーク分離した時、０．９＜Ｓ1 ／Ｓ2 ＜１．６５但し、Ｓ1 は前記ピーク分離されたピークのうち低波数側ピークの面積強度、Ｓ2 は前記ピーク分離されたピークのうち高波数側ピークの面積強度、を満足し、又０．４＜Ｉb ／Ｉg ＜０．５５但し、Ｉb は前記ピーク分離されたピークのうち低波数側ピーク位置における蛍光線バックグラウンド、Ｉg は前記ピーク分離されたピークのうち高波数側ピークのピーク強度、を満足するようにする。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁気テープにおいては、高密度記録化の要請から、支持体上に設けられる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案されている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッキ手段、真空蒸着やスパッタリングあるいはイオンプレーティング等の乾式メッキ手段により磁性層を形成した磁気テープが提案されている。そして、この種の磁気テープは磁性体の充填密度が高く、高密度記録に適したものである。
【０００３】この磁気テープの金属磁性膜を保護する為に、各種の保護膜を表面に設けることが提案されている。例えば、ダイヤモンドライクカーボン膜もこれらの提案の一つである。尚、ダイヤモンドライクカーボン膜は、例えば熱フィラメントＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、ＲＦプラズマＣＶＤ装置、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置などのＣＶＤ（ケミカルベーパーデポジション）装置によって設けられている。
【０００４】しかし、これまでのダイヤモンドライクカーボン膜では、充分に満足できるものでないことが判って来た。すなわち、ダイヤモンドライクカーボン膜は、高硬度なものではあるが、摩擦などのトライポロジー性に劣り、潤滑剤などが必要となる。しかし、不活性なダイヤモンドライクカーボン膜上に潤滑剤を塗布により設けていても、潤滑剤は失われ易い。
【０００５】従って、本発明が解決しようとする課題は、摩擦係数が低く、走行性が良く、かつ、耐久性に富むカーボン系保護膜を有する磁気記録媒体を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記本発明の課題は、支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体において、前記保護膜が下記の条件（１），（２），（３），（４）を満たすものであることを特徴とする磁気記録媒体によって解決される。
【０００７】条件（１）
保護膜のラマンスペクトルは８００ｃｍ-1〜２０００ｃｍ-1の領域にピークを有する。
条件（２）
前記ピークをガウス関数により誤差最小となるように二つのピークにピーク分離した時、下記の条件（３），（４）を満足する。
【０００８】条件（３）
０．９＜Ｓ1 ／Ｓ2 ＜１．６５但し、Ｓ1 は前記ピーク分離されたピークのうち低波数側ピークの面積強度Ｓ2 は前記ピーク分離されたピークのうち高波数側ピークの面積強度条件（４）
０．４＜Ｉb ／Ｉg ＜０．５５但し、Ｉb は前記ピーク分離されたピークのうち低波数側ピーク位置における蛍光線バックグラウンドＩg は前記ピーク分離されたピークのうち高波数側ピークのピーク強度尚、０．９０≦Ｓ1 ／Ｓ2 ≦１．５を満たすのが好ましい。又、０．４０≦Ｉb ／Ｉg ≦０．５２を満たすのが好ましい。
【０００９】又、ピーク分離されたピークのうち低波数側ピークの半値幅Ｗ1 が１００ｃｍ-1〜４００ｃｍ-1（特に、１５０ｃｍ-1〜３５０ｃｍ-1）であり、ピーク分離されたピークのうち高波数側ピークの半値幅Ｗ2 が４０ｃｍ-1〜２００ｃｍ-1（特に、６０ｃｍ-1〜１８０ｃｍ-1）であるものが好ましい。すなわち、上記のような条件を満たした保護膜、特にカーボン系の保護膜は、靱性が高く、電気抵抗は比較的低く、摩擦係数が低くて、走行性及び耐久性に優れたものであった。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体において、前記保護膜が下記の条件（１），（２），（３），（４）を満たすものである。
条件（１）
保護膜のラマンスペクトルは８００ｃｍ-1〜２０００ｃｍ-1の領域にピークを有する。
【００１１】条件（２）
前記ピークをガウス関数により誤差最小となるように二つのピークにピーク分離した時、下記の条件（３），（４）を満足する。
条件（３）
０．９＜Ｓ1 ／Ｓ2 ＜１．６５但し、Ｓ1 は前記ピーク分離されたピークのうち低波数側ピークの面積強度Ｓ2 は前記ピーク分離されたピークのうち高波数側ピークの面積強度条件（４）
０．４＜Ｉb ／Ｉg ＜０．５５但し、Ｉb は前記ピーク分離されたピークのうち低波数側ピーク位置における蛍光線バックグラウンドＩg は前記ピーク分離されたピークのうち高波数側ピークのピーク強度特に、０．９０≦Ｓ1 ／Ｓ2 ≦１．５であり、０．４０≦Ｉb ／Ｉg ≦０．５２である。又、ピーク分離されたピークのうち低波数側ピークの半値幅Ｗ1 が１００ｃｍ-1〜４００ｃｍ-1（特に、１５０ｃｍ-1〜３５０ｃｍ-1）であり、ピーク分離されたピークのうち高波数側ピークの半値幅Ｗ2 が４０ｃｍ-1〜２００ｃｍ-1（特に、６０ｃｍ-1〜１８０ｃｍ-1）である。
【００１２】以下、更に説明する。図１は、本発明になる磁気記録媒体の概略図である。図１中、１は支持体である。この支持体１は、磁性を有するものでも、非磁性のものでも良い。代表的なものとして、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート、ポリエチレンビスフェノキシカルボキシレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート等の非磁性のプラスチック材料が挙げられる。勿論、これらに限定されるものではない。又、各種の処理が行われることが有る。例えば、コロナ放電、あるいはその他適宜な手段による表面処理がなされる。又、接着性向上の為のポリエステルやポリウレタンあるいはオリゴマー等が塗布されても良い。
【００１３】支持体１上に、蒸着やスパッタ等の乾式メッキ手段によって金属磁性膜２が５００〜５０００Å厚さ設けられる。金属磁性膜を形成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらに異種の金属を含有させた合金が用いられる。尚、金属磁性膜としては、前記材料の窒化物（例えば、Ｆｅ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ−Ｏ）や炭化物（例えば、Ｆｅ−Ｃ，Ｆｅ−Ｃ−Ｏ）等も挙げられる。
【００１４】金属磁性膜２上に１０〜５００Å、特に３０〜２００Å程度の保護膜３が設けられる。この保護膜３は上記特徴を有するものである。このような保護膜３は、例えばスパッタ装置やＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて成膜できる。但し、保護膜３の成膜条件として、例えば下記の条件を満たすことが大事である。
【００１５】ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いた場合真空排気度；１．０×１０-6〜１．０×１０-4Ｔｏｒｒ原料；メタン、エチレン、アセチレン、ベンゼン等の炭化水素系のガス特に、エチレンやアセチレン等の二重結合あるいは三重結合を持つ鎖状の不飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、安息香酸、ベンズアルデヒド等の環式の不飽和炭化水素（芳香族炭化水素）、又はナフタレンやアントラセン等をベンゼンやトルエンに希釈したもの等のように不飽和結合を有する炭化水素系の化合物原料供給量；真空度により規定１．２×１０-1〜１．２×１０-5Ｔｏｒｒキャンロール温度；−２０℃〜４０℃μ波振動周波数；２．４５ＧＨｚμ波出力；５０〜１０００Ｗ共鳴点磁場；８７５Ｇａｕｓｓスパッタ装置を用いた場合ターゲット；ポリグラファイト真空排気度；＜１．０×１０-4Ｔｏｒｒ混合比；Ａｒ：Ｈ2 （ＣＨ4 ）＝２：８〜８：２流量；真空度により規定１．２×１０-1〜１．２×１０-5Ｔｏｒｒキャンロール温度；−２０℃〜４０℃スパッタ電圧；２００〜６００Ｖスパッタ出力；０．５〜６ｋＷこのようにして得られた保護膜３のラマンスペクトルは次のようにして求められる。
【００１６】測定装置としては、スペックス社のトリプルスペクトロメータを用いる。光源は、３００ｍＷ出力の波長が４８８ｎｍのＡｒレーザである。そして、サンプルＳに４８８ｎｍのＡｒレーザをθ（ＡｒレーザとサンプルＳとの成す角度）が２５°の角度で照射し、サンプルＳからの散乱光のうち照射光線と９０°方向の散乱光を測定器（トリプルスペクトロメータ）で分光測定する。測定時間（積算時間）は１０分とし、少なくとも三点以上測定し、平均値を求める。ピーク強度を求める為には、先ず、ブランクレベルを調べる。すなわち、トリプルスペクトロメータにサンプルＳをセットせず、１０分間トリプルスペクトロメータを作動させ、トリプルスペクトロメータのブランクレベルを調べる。この後、トリプルスペクトロメータにサンプルＳをセットし、１０分間トリプルスペクトロメータを作動させ、ラマン分光スペクトルを得、前記ブランクレベルを基準として各領域におけるピーク点の強度（ピーク点におけるブランクレベルからピーク値までの高さ）を求める。これについて三点以上測定し、平均値を求める。
【００１７】そして、得られたラマンスペクトルのピークをガウス関数（最小二乗法）により二つのピークにピーク分離する。この結果、保護膜が上記条件（１），（２），（３），（４）を満たしているか否かを調べる。特に、上記条件以外の成膜条件で本発明の保護膜を成膜しようとする場合には、一度、特定の条件下でカーボン膜を成膜し、このカーボン膜が上記条件（１），（２），（３），（４）を満たしているか否かを調べ、満たしている場合には、以後、その条件で行う。満たしていない場合には、設定条件の幾つかを変更し、上記条件（１），（２），（３），（４）を満たしているか否かを調べ、満たすまで繰り返して試験すれば、成膜条件を見出すことが出来る。
【００１８】４はバックコート膜である。５は、必要に応じて、浸漬あるいは超音波噴霧などの手段により２０〜７０Å程度の厚さ設けられた潤滑剤の膜である。尚、保護膜上に潤滑剤が設けられたものについてトリプルスペクトロメータでラマン分光スペクトルを調べると、潤滑剤のＣ−Ｃ，Ｃ−Ｈ，Ｃ−Ｆ結合に起因するピークが認められることも有る。このような場合には、この潤滑剤のＣ−Ｃ，Ｃ−Ｈ，Ｃ−Ｆ結合に起因するピークを除去した状態におけるピークを求める。あるいは、潤滑剤を予め除去し、これについてトリプルスペクトロメータでラマン分光スペクトルを調べる。潤滑剤の除去は、パーフルオロポリエーテル等の希釈剤による洗浄や、Ａｒプラズマを用いたプラズマエッチング（例えば、反応ガス；Ａｒ。反応ガス流量；９．０×１０-6Ｔｏｒｒの真空度から２０×１０-3Ｔｏｒｒに。μ波出力；３００Ｗ。搬送速度；１ｍ／ｍｉｎの条件下でのＥＣＲ−ＣＶＤ）を行うことにより可能である。
【００１９】
【実施例１】バックコート膜及び２０００Å厚のＣｏ金属磁性膜が設けられたＰＥＴフィルム（厚さ６μｍ）をスパッタ装置に装填し、Ｃｏ金属磁性膜上に１２０Å厚のカーボン系保護膜を成膜し、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。保護膜成膜条件は次の通りである。
【００２０】ターゲット：ポリグラファイトスパッタガス：Ａｒ＋Ｈ2 （５：５）
スパッタガス供給量：３．０×１０-5Ｔｏｒｒの真空排気度のものが４．０×１０-4Ｔｏｒｒになるよう供給スパッタ電圧：４３０ｖスパッタ出力：２ｋＷキャンロール温度：５℃
【００２１】
【実施例２】実施例１において、保護膜成膜条件を下記の通りにした以外は実施例１に準じて行った。
ターゲット：ポリグラファイトスパッタガス：Ａｒ＋Ｈ2 （６：４）
スパッタガス供給量：３．０×１０-5Ｔｏｒｒの真空排気度のものが６．０×１０-4Ｔｏｒｒになるよう供給スパッタ電圧：４３０ｖスパッタ出力：２ｋＷキャンロール温度：５℃
【００２２】
【実施例３】実施例１において、保護膜成膜条件を下記の通りにした以外は実施例１に準じて行った。成膜装置はＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置である。
保護膜構成原料：Ｃ6 Ｈ6 （ベンゼン）
保護膜構成原料の供給量；１．０×１０-5Ｔｏｒｒの真空排気度のものが４．０×１０-4Ｔｏｒｒになるよう供給μ波振動周波数：２．４５ＧＨｚμ波出力：６００Ｗ共鳴点磁場（ＥＣＲ−Ｐｏｉｎｔ磁場）；８７５Ｇａｕｓｓキャンロール温度：５℃
【００２３】
【実施例４】実施例３において、保護膜成膜条件を下記の通りにした以外は実施例３に準じて行った。保護膜構成原料の供給量；１．０×１０-5Ｔｏｒｒの真空排気度のものが２．０×１０-4Ｔｏｒｒになるよう供給μ波振動周波数：２．４５ＧＨｚμ波出力：９００Ｗ共鳴点磁場（ＥＣＲ−Ｐｏｉｎｔ磁場）；８７５Ｇａｕｓｓキャンロール温度：５℃
【００２４】
【比較例１】実施例１において、保護膜成膜条件を下記の通りにした以外は実施例１に準じて行った。
ターゲット：グラファイトスパッタガス：Ａｒ＋Ｈ2 （９：１）
スパッタガス供給量：３．０×１０-5Ｔｏｒｒの真空排気度のものが９．０×１０-4Ｔｏｒｒになるよう供給スパッタ電圧：４３０ｖスパッタ出力：２ｋＷキャンロール温度：５℃
【００２５】
【比較例２】実施例１において、保護膜成膜条件を下記の通りにした以外は実施例１に準じて行った。
ターゲット：グラファイトスパッタガス：Ａｒ＋Ｈ2 （１：９）
スパッタガス供給量：３．０×１０-5Ｔｏｒｒの真空排気度のものが１．２×１０-4Ｔｏｒｒになるよう供給スパッタ電圧：４３０ｖスパッタ出力：２ｋＷキャンロール温度：５℃
【００２６】
【比較例３】実施例３において、保護膜成膜条件を下記の通りにした以外は実施例３に準じて行った。
保護膜構成原料：ＣＨ4保護膜構成原料の供給量；１．０×１０-4Ｔｏｒｒの真空排気度のものが２．０×１０-4Ｔｏｒｒになるよう供給μ波振動周波数：２．４５ＧＨｚμ波出力：６００Ｗ共鳴点磁場（ＥＣＲ−Ｐｏｉｎｔ磁場）；８７５Ｇａｕｓｓキャンロール温度：５℃
【００２７】
【特性】上記各例で得た８ｍｍＶＴＲ用磁気テープについて、その保護膜のラマンスペクトルを求めたので、図２R>２，３，４（実施例１のもの）、図５，６，７（実施例２のもの）、図８，９，１０（実施例３のもの）、図１１R>１，１２，１３（実施例４のもの）、図１４，１５，１６（比較例１のもの）、図１７，１８，１９（比較例２のもの）、図２０，２１，２２（比較例３のもの）に示す。
【００２８】そして、Ｓ1 ／Ｓ2 ，Ｉb ／Ｉg ，Ｗ1 ，Ｗ2 を求めたので、その結果を表−１に示す。更に、上記各例で得た８ｍｍＶＴＲ用磁気テープの摩擦係数μを調べたので、それを表−１に示す。又、ジッター及びスチル耐久性（２０℃、５０％ＲＨの雰囲気下でスチル再生を行い、出力が３ｄＢ低下するに要した時間）についても調べたので、その結果を併せて表−１に示す。
【００２９】
表−１ S1/S2 Ib /Ig Ｗ1 Ｗ2 μ ジッター スチル耐久性 (cm-1) (cm-1) (nsec) (hr)実施例１ 0.97 0.42 200 92 0.16 48 6.2実施例２ 1.33 0.47 220 90 0.14 44 6.4実施例３ 0.94 0.43 200 90 0.16 48 5.8実施例４ 1.41 0.45 300 92 0.15 42 6.0比較例１ 3.39 0.27 300 92 0.16 48 1.2比較例２ 0.67 0.62 180 94 0.22 62 5.2比較例３ 1.78 0.14 300 82 0.18 54 1.0この結果から、磁気テープの金属磁性膜上に設けられる保護膜が本発明になるものの場合、滑性に富み、摩擦係数が小さく、耐久性に優れたものである。更には、ジッターが少なく、記録再生特性にも優れたものである。
【００３０】
【発明の効果】走行性、及び耐久性に優れ、記録再生特性に優れたものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】磁気記録媒体の概略断面図
【図２】ブランクレベル補正前のラマンスペクトル
【図３】ブランクレベル補正後のラマンスペクトル
【図４】ピーク分離したラマンスペクトル
【図５】ブランクレベル補正前のラマンスペクトル
【図６】ブランクレベル補正後のラマンスペクトル
【図７】ピーク分離したラマンスペクトル
【図８】ブランクレベル補正前のラマンスペクトル
【図９】ブランクレベル補正後のラマンスペクトル
【図１０】ピーク分離したラマンスペクトル
【図１１】ブランクレベル補正前のラマンスペクトル
【図１２】ブランクレベル補正後のラマンスペクトル
【図１３】ピーク分離したラマンスペクトル
【図１４】ブランクレベル補正前のラマンスペクトル
【図１５】ブランクレベル補正後のラマンスペクトル
【図１６】ピーク分離したラマンスペクトル
【図１７】ブランクレベル補正前のラマンスペクトル
【図１８】ブランクレベル補正後のラマンスペクトル
【図１９】ピーク分離したラマンスペクトル
【図２０】ブランクレベル補正前のラマンスペクトル
【図２１】ブランクレベル補正後のラマンスペクトル
【図２２】ピーク分離したラマンスペクトル
【符号の説明】
１ 支持体
２ 金属磁性膜
３ 保護膜
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁気テープにおいては、高密度記録化の要請から、支持体上に設けられる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案されている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッキ手段、真空蒸着やスパッタリングあるいはイオンプレーティング等の乾式メッキ手段により磁性層を形成した磁気テープが提案されている。そして、この種の磁気テープは磁性体の充填密度が高く、高密度記録に適したものである。
【０００３】この磁気テープの金属磁性膜を保護する為に、各種の保護膜を表面に設けることが提案されている。例えば、ダイヤモンドライクカーボン膜もこれらの提案の一つである。尚、ダイヤモンドライクカーボン膜は、例えば熱フィラメントＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、ＲＦプラズマＣＶＤ装置、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置などのＣＶＤ（ケミカルベーパーデポジション）装置によって設けられている。
【０００４】しかし、これまでのダイヤモンドライクカーボン膜では、充分に満足できるものでないことが判って来た。すなわち、ダイヤモンドライクカーボン膜は、高硬度なものではあるが、摩擦などのトライポロジー性に劣り、潤滑剤などが必要となる。しかし、不活性なダイヤモンドライクカーボン膜上に潤滑剤を塗布により設けていても、潤滑剤は失われ易い。
【０００５】従って、本発明が解決しようとする課題は、摩擦係数が低く、走行性が良く、かつ、耐久性に富むカーボン系保護膜を有する磁気記録媒体を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記本発明の課題は、支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体において、前記保護膜が下記の条件（１），（２），（３），（４）を満たすものであることを特徴とする磁気記録媒体によって解決される。
【０００７】条件（１）
保護膜のラマンスペクトルは８００ｃｍ-1〜２０００ｃｍ-1の領域にピークを有する。
条件（２）
前記ピークをガウス関数により誤差最小となるように二つのピークにピーク分離した時、下記の条件（３），（４）を満足する。
【０００８】条件（３）
０．９＜Ｓ1 ／Ｓ2 ＜１．６５但し、Ｓ1 は前記ピーク分離されたピークのうち低波数側ピークの面積強度Ｓ2 は前記ピーク分離されたピークのうち高波数側ピークの面積強度条件（４）
０．４＜Ｉb ／Ｉg ＜０．５５但し、Ｉb は前記ピーク分離されたピークのうち低波数側ピーク位置における蛍光線バックグラウンドＩg は前記ピーク分離されたピークのうち高波数側ピークのピーク強度尚、０．９０≦Ｓ1 ／Ｓ2 ≦１．５を満たすのが好ましい。又、０．４０≦Ｉb ／Ｉg ≦０．５２を満たすのが好ましい。
【０００９】又、ピーク分離されたピークのうち低波数側ピークの半値幅Ｗ1 が１００ｃｍ-1〜４００ｃｍ-1（特に、１５０ｃｍ-1〜３５０ｃｍ-1）であり、ピーク分離されたピークのうち高波数側ピークの半値幅Ｗ2 が４０ｃｍ-1〜２００ｃｍ-1（特に、６０ｃｍ-1〜１８０ｃｍ-1）であるものが好ましい。すなわち、上記のような条件を満たした保護膜、特にカーボン系の保護膜は、靱性が高く、電気抵抗は比較的低く、摩擦係数が低くて、走行性及び耐久性に優れたものであった。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体において、前記保護膜が下記の条件（１），（２），（３），（４）を満たすものである。
条件（１）
保護膜のラマンスペクトルは８００ｃｍ-1〜２０００ｃｍ-1の領域にピークを有する。
【００１１】条件（２）
前記ピークをガウス関数により誤差最小となるように二つのピークにピーク分離した時、下記の条件（３），（４）を満足する。
条件（３）
０．９＜Ｓ1 ／Ｓ2 ＜１．６５但し、Ｓ1 は前記ピーク分離されたピークのうち低波数側ピークの面積強度Ｓ2 は前記ピーク分離されたピークのうち高波数側ピークの面積強度条件（４）
０．４＜Ｉb ／Ｉg ＜０．５５但し、Ｉb は前記ピーク分離されたピークのうち低波数側ピーク位置における蛍光線バックグラウンドＩg は前記ピーク分離されたピークのうち高波数側ピークのピーク強度特に、０．９０≦Ｓ1 ／Ｓ2 ≦１．５であり、０．４０≦Ｉb ／Ｉg ≦０．５２である。又、ピーク分離されたピークのうち低波数側ピークの半値幅Ｗ1 が１００ｃｍ-1〜４００ｃｍ-1（特に、１５０ｃｍ-1〜３５０ｃｍ-1）であり、ピーク分離されたピークのうち高波数側ピークの半値幅Ｗ2 が４０ｃｍ-1〜２００ｃｍ-1（特に、６０ｃｍ-1〜１８０ｃｍ-1）である。
【００１２】以下、更に説明する。図１は、本発明になる磁気記録媒体の概略図である。図１中、１は支持体である。この支持体１は、磁性を有するものでも、非磁性のものでも良い。代表的なものとして、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート、ポリエチレンビスフェノキシカルボキシレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート等の非磁性のプラスチック材料が挙げられる。勿論、これらに限定されるものではない。又、各種の処理が行われることが有る。例えば、コロナ放電、あるいはその他適宜な手段による表面処理がなされる。又、接着性向上の為のポリエステルやポリウレタンあるいはオリゴマー等が塗布されても良い。
【００１３】支持体１上に、蒸着やスパッタ等の乾式メッキ手段によって金属磁性膜２が５００〜５０００Å厚さ設けられる。金属磁性膜を形成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらに異種の金属を含有させた合金が用いられる。尚、金属磁性膜としては、前記材料の窒化物（例えば、Ｆｅ−Ｎ，Ｆｅ−Ｎ−Ｏ）や炭化物（例えば、Ｆｅ−Ｃ，Ｆｅ−Ｃ−Ｏ）等も挙げられる。
【００１４】金属磁性膜２上に１０〜５００Å、特に３０〜２００Å程度の保護膜３が設けられる。この保護膜３は上記特徴を有するものである。このような保護膜３は、例えばスパッタ装置やＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて成膜できる。但し、保護膜３の成膜条件として、例えば下記の条件を満たすことが大事である。
【００１５】ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いた場合真空排気度；１．０×１０-6〜１．０×１０-4Ｔｏｒｒ原料；メタン、エチレン、アセチレン、ベンゼン等の炭化水素系のガス特に、エチレンやアセチレン等の二重結合あるいは三重結合を持つ鎖状の不飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、安息香酸、ベンズアルデヒド等の環式の不飽和炭化水素（芳香族炭化水素）、又はナフタレンやアントラセン等をベンゼンやトルエンに希釈したもの等のように不飽和結合を有する炭化水素系の化合物原料供給量；真空度により規定１．２×１０-1〜１．２×１０-5Ｔｏｒｒキャンロール温度；−２０℃〜４０℃μ波振動周波数；２．４５ＧＨｚμ波出力；５０〜１０００Ｗ共鳴点磁場；８７５Ｇａｕｓｓスパッタ装置を用いた場合ターゲット；ポリグラファイト真空排気度；＜１．０×１０-4Ｔｏｒｒ混合比；Ａｒ：Ｈ2 （ＣＨ4 ）＝２：８〜８：２流量；真空度により規定１．２×１０-1〜１．２×１０-5Ｔｏｒｒキャンロール温度；−２０℃〜４０℃スパッタ電圧；２００〜６００Ｖスパッタ出力；０．５〜６ｋＷこのようにして得られた保護膜３のラマンスペクトルは次のようにして求められる。
【００１６】測定装置としては、スペックス社のトリプルスペクトロメータを用いる。光源は、３００ｍＷ出力の波長が４８８ｎｍのＡｒレーザである。そして、サンプルＳに４８８ｎｍのＡｒレーザをθ（ＡｒレーザとサンプルＳとの成す角度）が２５°の角度で照射し、サンプルＳからの散乱光のうち照射光線と９０°方向の散乱光を測定器（トリプルスペクトロメータ）で分光測定する。測定時間（積算時間）は１０分とし、少なくとも三点以上測定し、平均値を求める。ピーク強度を求める為には、先ず、ブランクレベルを調べる。すなわち、トリプルスペクトロメータにサンプルＳをセットせず、１０分間トリプルスペクトロメータを作動させ、トリプルスペクトロメータのブランクレベルを調べる。この後、トリプルスペクトロメータにサンプルＳをセットし、１０分間トリプルスペクトロメータを作動させ、ラマン分光スペクトルを得、前記ブランクレベルを基準として各領域におけるピーク点の強度（ピーク点におけるブランクレベルからピーク値までの高さ）を求める。これについて三点以上測定し、平均値を求める。
【００１７】そして、得られたラマンスペクトルのピークをガウス関数（最小二乗法）により二つのピークにピーク分離する。この結果、保護膜が上記条件（１），（２），（３），（４）を満たしているか否かを調べる。特に、上記条件以外の成膜条件で本発明の保護膜を成膜しようとする場合には、一度、特定の条件下でカーボン膜を成膜し、このカーボン膜が上記条件（１），（２），（３），（４）を満たしているか否かを調べ、満たしている場合には、以後、その条件で行う。満たしていない場合には、設定条件の幾つかを変更し、上記条件（１），（２），（３），（４）を満たしているか否かを調べ、満たすまで繰り返して試験すれば、成膜条件を見出すことが出来る。
【００１８】４はバックコート膜である。５は、必要に応じて、浸漬あるいは超音波噴霧などの手段により２０〜７０Å程度の厚さ設けられた潤滑剤の膜である。尚、保護膜上に潤滑剤が設けられたものについてトリプルスペクトロメータでラマン分光スペクトルを調べると、潤滑剤のＣ−Ｃ，Ｃ−Ｈ，Ｃ−Ｆ結合に起因するピークが認められることも有る。このような場合には、この潤滑剤のＣ−Ｃ，Ｃ−Ｈ，Ｃ−Ｆ結合に起因するピークを除去した状態におけるピークを求める。あるいは、潤滑剤を予め除去し、これについてトリプルスペクトロメータでラマン分光スペクトルを調べる。潤滑剤の除去は、パーフルオロポリエーテル等の希釈剤による洗浄や、Ａｒプラズマを用いたプラズマエッチング（例えば、反応ガス；Ａｒ。反応ガス流量；９．０×１０-6Ｔｏｒｒの真空度から２０×１０-3Ｔｏｒｒに。μ波出力；３００Ｗ。搬送速度；１ｍ／ｍｉｎの条件下でのＥＣＲ−ＣＶＤ）を行うことにより可能である。
【００１９】
【実施例１】バックコート膜及び２０００Å厚のＣｏ金属磁性膜が設けられたＰＥＴフィルム（厚さ６μｍ）をスパッタ装置に装填し、Ｃｏ金属磁性膜上に１２０Å厚のカーボン系保護膜を成膜し、８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。保護膜成膜条件は次の通りである。
【００２０】ターゲット：ポリグラファイトスパッタガス：Ａｒ＋Ｈ2 （５：５）
スパッタガス供給量：３．０×１０-5Ｔｏｒｒの真空排気度のものが４．０×１０-4Ｔｏｒｒになるよう供給スパッタ電圧：４３０ｖスパッタ出力：２ｋＷキャンロール温度：５℃
【００２１】
【実施例２】実施例１において、保護膜成膜条件を下記の通りにした以外は実施例１に準じて行った。
ターゲット：ポリグラファイトスパッタガス：Ａｒ＋Ｈ2 （６：４）
スパッタガス供給量：３．０×１０-5Ｔｏｒｒの真空排気度のものが６．０×１０-4Ｔｏｒｒになるよう供給スパッタ電圧：４３０ｖスパッタ出力：２ｋＷキャンロール温度：５℃
【００２２】
【実施例３】実施例１において、保護膜成膜条件を下記の通りにした以外は実施例１に準じて行った。成膜装置はＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置である。
保護膜構成原料：Ｃ6 Ｈ6 （ベンゼン）
保護膜構成原料の供給量；１．０×１０-5Ｔｏｒｒの真空排気度のものが４．０×１０-4Ｔｏｒｒになるよう供給μ波振動周波数：２．４５ＧＨｚμ波出力：６００Ｗ共鳴点磁場（ＥＣＲ−Ｐｏｉｎｔ磁場）；８７５Ｇａｕｓｓキャンロール温度：５℃
【００２３】
【実施例４】実施例３において、保護膜成膜条件を下記の通りにした以外は実施例３に準じて行った。保護膜構成原料の供給量；１．０×１０-5Ｔｏｒｒの真空排気度のものが２．０×１０-4Ｔｏｒｒになるよう供給μ波振動周波数：２．４５ＧＨｚμ波出力：９００Ｗ共鳴点磁場（ＥＣＲ−Ｐｏｉｎｔ磁場）；８７５Ｇａｕｓｓキャンロール温度：５℃
【００２４】
【比較例１】実施例１において、保護膜成膜条件を下記の通りにした以外は実施例１に準じて行った。
ターゲット：グラファイトスパッタガス：Ａｒ＋Ｈ2 （９：１）
スパッタガス供給量：３．０×１０-5Ｔｏｒｒの真空排気度のものが９．０×１０-4Ｔｏｒｒになるよう供給スパッタ電圧：４３０ｖスパッタ出力：２ｋＷキャンロール温度：５℃
【００２５】
【比較例２】実施例１において、保護膜成膜条件を下記の通りにした以外は実施例１に準じて行った。
ターゲット：グラファイトスパッタガス：Ａｒ＋Ｈ2 （１：９）
スパッタガス供給量：３．０×１０-5Ｔｏｒｒの真空排気度のものが１．２×１０-4Ｔｏｒｒになるよう供給スパッタ電圧：４３０ｖスパッタ出力：２ｋＷキャンロール温度：５℃
【００２６】
【比較例３】実施例３において、保護膜成膜条件を下記の通りにした以外は実施例３に準じて行った。
保護膜構成原料：ＣＨ4保護膜構成原料の供給量；１．０×１０-4Ｔｏｒｒの真空排気度のものが２．０×１０-4Ｔｏｒｒになるよう供給μ波振動周波数：２．４５ＧＨｚμ波出力：６００Ｗ共鳴点磁場（ＥＣＲ−Ｐｏｉｎｔ磁場）；８７５Ｇａｕｓｓキャンロール温度：５℃
【００２７】
【特性】上記各例で得た８ｍｍＶＴＲ用磁気テープについて、その保護膜のラマンスペクトルを求めたので、図２R>２，３，４（実施例１のもの）、図５，６，７（実施例２のもの）、図８，９，１０（実施例３のもの）、図１１R>１，１２，１３（実施例４のもの）、図１４，１５，１６（比較例１のもの）、図１７，１８，１９（比較例２のもの）、図２０，２１，２２（比較例３のもの）に示す。
【００２８】そして、Ｓ1 ／Ｓ2 ，Ｉb ／Ｉg ，Ｗ1 ，Ｗ2 を求めたので、その結果を表−１に示す。更に、上記各例で得た８ｍｍＶＴＲ用磁気テープの摩擦係数μを調べたので、それを表−１に示す。又、ジッター及びスチル耐久性（２０℃、５０％ＲＨの雰囲気下でスチル再生を行い、出力が３ｄＢ低下するに要した時間）についても調べたので、その結果を併せて表−１に示す。
【００２９】
表−１ S1/S2 Ib /Ig Ｗ1 Ｗ2 μ ジッター スチル耐久性 (cm-1) (cm-1) (nsec) (hr)実施例１ 0.97 0.42 200 92 0.16 48 6.2実施例２ 1.33 0.47 220 90 0.14 44 6.4実施例３ 0.94 0.43 200 90 0.16 48 5.8実施例４ 1.41 0.45 300 92 0.15 42 6.0比較例１ 3.39 0.27 300 92 0.16 48 1.2比較例２ 0.67 0.62 180 94 0.22 62 5.2比較例３ 1.78 0.14 300 82 0.18 54 1.0この結果から、磁気テープの金属磁性膜上に設けられる保護膜が本発明になるものの場合、滑性に富み、摩擦係数が小さく、耐久性に優れたものである。更には、ジッターが少なく、記録再生特性にも優れたものである。
【００３０】
【発明の効果】走行性、及び耐久性に優れ、記録再生特性に優れたものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】磁気記録媒体の概略断面図
【図２】ブランクレベル補正前のラマンスペクトル
【図３】ブランクレベル補正後のラマンスペクトル
【図４】ピーク分離したラマンスペクトル
【図５】ブランクレベル補正前のラマンスペクトル
【図６】ブランクレベル補正後のラマンスペクトル
【図７】ピーク分離したラマンスペクトル
【図８】ブランクレベル補正前のラマンスペクトル
【図９】ブランクレベル補正後のラマンスペクトル
【図１０】ピーク分離したラマンスペクトル
【図１１】ブランクレベル補正前のラマンスペクトル
【図１２】ブランクレベル補正後のラマンスペクトル
【図１３】ピーク分離したラマンスペクトル
【図１４】ブランクレベル補正前のラマンスペクトル
【図１５】ブランクレベル補正後のラマンスペクトル
【図１６】ピーク分離したラマンスペクトル
【図１７】ブランクレベル補正前のラマンスペクトル
【図１８】ブランクレベル補正後のラマンスペクトル
【図１９】ピーク分離したラマンスペクトル
【図２０】ブランクレベル補正前のラマンスペクトル
【図２１】ブランクレベル補正後のラマンスペクトル
【図２２】ピーク分離したラマンスペクトル
【符号の説明】
１ 支持体
２ 金属磁性膜
３ 保護膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体において、前記保護膜が下記の条件（１），（２），（３），（４）を満たすものであることを特徴とする磁気記録媒体。
条件（１）
保護膜のラマンスペクトルは８００ｃｍ-1〜２０００ｃｍ-1の領域にピークを有する。
条件（２）
前記ピークをガウス関数により誤差最小となるように二つのピークにピーク分離した時、下記の条件（３），（４）を満足する。
条件（３）
０．９＜Ｓ1 ／Ｓ2 ＜１．６５但し、Ｓ1 は前記ピーク分離されたピークのうち低波数側ピークの面積強度Ｓ2 は前記ピーク分離されたピークのうち高波数側ピークの面積強度条件（４）
０．４＜Ｉb ／Ｉg ＜０．５５但し、Ｉb は前記ピーク分離されたピークのうち低波数側ピーク位置における蛍光線バックグラウンドＩg は前記ピーク分離されたピークのうち高波数側ピークのピーク強度
【請求項２】 ピーク分離されたピークのうち低波数側ピークの半値幅Ｗ1が１００ｃｍ-1〜４００ｃｍ-1であり、ピーク分離されたピークのうち高波数側ピークの半値幅Ｗ2 が４０ｃｍ-1〜２００ｃｍ-1であることを特徴とする請求項１の磁気記録媒体。
【請求項３】 保護膜がカーボン膜であることを特徴とする請求項１の磁気記録媒体。
【請求項１】 支持体と磁性膜と保護膜とを有する磁気記録媒体において、前記保護膜が下記の条件（１），（２），（３），（４）を満たすものであることを特徴とする磁気記録媒体。
条件（１）
保護膜のラマンスペクトルは８００ｃｍ-1〜２０００ｃｍ-1の領域にピークを有する。
条件（２）
前記ピークをガウス関数により誤差最小となるように二つのピークにピーク分離した時、下記の条件（３），（４）を満足する。
条件（３）
０．９＜Ｓ1 ／Ｓ2 ＜１．６５但し、Ｓ1 は前記ピーク分離されたピークのうち低波数側ピークの面積強度Ｓ2 は前記ピーク分離されたピークのうち高波数側ピークの面積強度条件（４）
０．４＜Ｉb ／Ｉg ＜０．５５但し、Ｉb は前記ピーク分離されたピークのうち低波数側ピーク位置における蛍光線バックグラウンドＩg は前記ピーク分離されたピークのうち高波数側ピークのピーク強度
【請求項２】 ピーク分離されたピークのうち低波数側ピークの半値幅Ｗ1が１００ｃｍ-1〜４００ｃｍ-1であり、ピーク分離されたピークのうち高波数側ピークの半値幅Ｗ2 が４０ｃｍ-1〜２００ｃｍ-1であることを特徴とする請求項１の磁気記録媒体。
【請求項３】 保護膜がカーボン膜であることを特徴とする請求項１の磁気記録媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図６】
【図５】
【図７】
【図８】
【図１０】
【図９】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２２】
【図２０】
【図２１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図６】
【図５】
【図７】
【図８】
【図１０】
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【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２２】
【図２０】
【図２１】
【公開番号】特開平１０−９１９３５
【公開日】平成１０年（１９９８）４月１０日
【国際特許分類】
【出願番号】特願平８−２４３２２４
【出願日】平成８年（１９９６）９月１３日
【出願人】（００００００９１８）花王株式会社 (8,290)
【公開日】平成１０年（１９９８）４月１０日
【国際特許分類】
【出願日】平成８年（１９９６）９月１３日
【出願人】（００００００９１８）花王株式会社 (8,290)
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