電子部品
【課題】 電子機器では、小型化に伴って実装基板とその上部基板やシールドケース等との距離が小さくなっている。上部基板やシールドケースとの間でショートするのを防止するため、素体の底面にのみ端子を形成するか、素体の底面と端面に端子を形成する。素体の底面にのみ端子を形成した電子部品においては、素体内部の構造が複雑になり、コイルの両端を貫通ビアにて素体の底面に引き出す必要があった。また、素体の底面と側面に端子を形成した電子部品においては、コイルの巻軸が実装面と平行になり、低背化した場合、磁束通過面積が小さくなり、特性が劣化する。
【解決手段】 内部に回路素子が形成された素体と、素体の外表面に設けられた端子を備える。素体の上面には凸部が形成される。
【解決手段】 内部に回路素子が形成された素体と、素体の外表面に設けられた端子を備える。素体の上面には凸部が形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、素体内部に回路素子が形成され、この素体の外表面に外部と接続する端子が形成された電子部品に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来の電子部品に、図9と図10に示す様に、絶縁体層91と導体パターン92を積層し、素体内にコイルが形成され、素体の外表面に端子93を形成した積層型電子部品がある。
この種の電子部品が実装される電子機器では、小型化に伴って実装基板とその上部基板やシールドケース等との距離が小さくなっている。この様な電子機器の実装基板に従来の電子部品を実装した場合、上部基板やシールドケースと電子部品の上面に形成された端子が接触し、上部基板やシールドケースとの間でショートしやすかった。
この様な問題を解決するために、図11(A)に示す様に素体の底面にのみ端子113を形成する(例えば、特許文献1を参照。)か、又は、図11(B)に示す様に素体の底面と端面に端子113を形成する(例えば、特許文献2を参照。)ことが行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2007-12920号公報
【特許文献2】特開2006-114626号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、素体の底面にのみ端子を形成した従来の電子部品においては、素体内部の構造が複雑になり、コイルの両端を貫通ビアにて素体の底面に引き出す必要があった。また、素体の底面と側面に端子を形成した従来の電子部品においては、コイルの巻軸が実装面と平行になり、低背化した場合、磁束通過面積が小さくなり、特性が劣化するという問題があった。
【0005】
本発明は、素体内部の構造が複雑になったり、特性が劣化したりすることなく、上部基板やシールドケースとの間でショートするのを防止できる電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明は、内部に回路素子が形成された素体と、該素体の外表面に設けられた端子を備えた電子部品において、素体の上面に凸部を設ける。
【発明の効果】
【0007】
本発明の電子部品は、内部に回路が形成された素体の上面に凸部を設けたので、素体内部の構造が複雑になったり、特性が劣化したりすることなく、上部基板やシールドケースとの間でショートするのを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】本発明の電子部品の第1の実施例を示す分解斜視図である。
【図2】本発明の電子部品の第1の実施例を示す斜視図である。
【図3】本発明の電子部品の第2の実施例を示す斜視図である。
【図4】本発明の電子部品の第3の実施例を示す斜視図である。
【図5】本発明の電子部品の第4の実施例を示す分解斜視図である。
【図6】本発明の電子部品の第4の実施例を示す斜視図である。
【図7】本発明の電子部品の第5の実施例を示す斜視図である。
【図8】本発明の電子部品の第6の実施例を示す斜視図である。
【図9】従来の電子部品の分解斜視図である。
【図10】従来の電子部品の斜視図である。
【図11】従来の別の電子部品の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
本発明の電子部品は絶縁体層と導体パターンを積層して素体が形成される。この素体は上面に凸部が形成される。また、素体の底面と端面に端子が形成される。
従って、本発明の電子部品は、素体の上面に段差が形成されることになり、端面に形成された端子の端部が素体上面にかかった場合でも、凸部によって端子の端部が素体から突出することがない。また、本発明の電子部品は、凸部によって素体の体積が必要以上に小さくなるのを防止できる。
【実施例】
【0010】
以下、本発明の電子部品の実施例を図1乃至図8を参照して説明する。
図1は本発明の電子部品の第1の実施例を示す分解斜視図、図2は本発明の電子部品の第1の実施例を示す斜視図である。
図1において、11A〜11Fは絶縁体層、12A〜12Cは導体パターンである。
絶縁体層11A〜11Fは磁性体、非磁性体、誘電体等の絶縁体を用いて形成される。また、導体パターン12A〜12Cは、銀、銀系、金、金系、白金等の金属材料をペースト状にした導体ペーストを用いて形成される。
絶縁体層11Aの表面には、コイル用導体パターン12Aが形成される。このコイル用導体パターン12Aは1ターン未満分が形成される。コイル用導体パターン12Aの一端は絶縁体層11Aの端面まで引き出される。
絶縁体層11Bの表面には、コイル用導体パターン12Bが形成される。このコイル用導体パターン12Bは1ターン未満分が形成される。コイル用導体パターン12Bの一端は絶縁体層11Bのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン12Aの他端に接続される。
絶縁体層11Cの表面には、コイル用導体パターン12Cが形成される。このコイル用導体パターン12Cは1ターン未満分が形成される。コイル用導体パターン12Cの一端は絶縁体層11Cのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン12Bの他端に接続される。コイル用導体パターン12Cの他端は絶縁体層11Cの端面まで引き出される。この様にコイル用導体パターン12A、コイル用導体パターン12B、コイル用導体パターン12Cを螺旋状に接続することによりコイルが形成される。
この絶縁体層11C上には、絶縁体層11D、11E、11Fが積層される。絶縁体層11E、11Fは、長さ方向、幅方向ともに絶縁体層11A〜11Dの長さ方向、幅方向よりも小さく形成される。
この様に絶縁体層11A〜11Fとコイル用導体パターン12A〜12Cを積層して形成された素体の上面には絶縁体層11E、11Fによって凸部D1が形成され、凸部D1の周囲に一段低い段差が形成される。この素体の底面と端面に跨って端子23A、23Bが形成される。
【0011】
図3は本発明の電子部品の第2の実施例を示す斜視図である。
絶縁体層とコイル用導体パターンを図1の様に積層して素体が形成される。この素体の上面には、凸部D1が形成され、凸部D1の周囲に一段低い段差が形成される。
この素体の底面と端面と上面の一段低い部分に端子33A、33Bが形成される。
【0012】
図4は本発明の電子部品の第3の実施例を示す斜視図である。
絶縁体層とコイル用導体パターンを図1の様に積層して素体が形成される。この素体の上面には、凸部D1が形成され、凸部D1の周囲に一段低い段差が形成される。
この素体の底面、端面、上面の一段低い部分及び、側面に端子43A、43Bが形成される。
【0013】
図5は本発明の電子部品の第4の実施例を示す分解斜視図、図6は本発明の電子部品の第4の実施例を示す斜視図である。
図5において、51A〜51Fは絶縁体層、52A〜52Cは導体パターンである。
絶縁体層51A〜51Fは磁性体、非磁性体、誘電体等の絶縁体を用いて形成される。また、導体パターン52A〜52Cは、銀、銀系、金、金系、白金等の金属材料をペースト状にした導体ペーストを用いて形成される。
絶縁体層51Aの表面には、コイル用導体パターン52Aが形成される。このコイル用導体パターン52Aの一端は、絶縁体層51Aの端面まで引き出される。
絶縁体層51Bの表面には、コイル用導体パターン52Bが形成される。このコイル用導体パターン52Bの一端は、絶縁体層51Bのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン12Aの他端に接続される。
絶縁体層51Cの表面には、コイル用導体パターン52Cが形成される。このコイル用導体パターン52Cの一端は、絶縁体層51Cのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン52Bの他端に接続される。コイル用導体パターン52Cの他端は、絶縁体層51Cの端面まで引き出される。この様にコイル用導体パターン52A、コイル用導体パターン52B、コイル用導体パターン52Cを螺旋状に接続することによりコイルが形成される。
絶縁体層51Dの表面には、コンデンサ用導体パターン54Aが形成される。このコンデンサ用導体パターン54Aは、絶縁体層51B、51C、51Dに形成されたスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン52Aの一端に接続される。
絶縁体層51Eは、その長さ方向が絶縁体層51A〜51Dの長さ方向よりも小さく形成される。この絶縁体層51Eの表面には、コンデンサ用導体パターン54Aと対向する位置にコンデンサ用導体パターン54Bが形成される。このコンデンサ用導体パターン54Bは、絶縁体層51D、51Eに形成されたスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン52Cの他端に接続される。
この絶縁体層51E上には、絶縁体層51Eと同じ形状の絶縁体層51Fが積層される。
この様に絶縁体層51A〜51F、コイル用導体パターン52A〜52C及び、コンデンサ用導体パターン54A、54Bを積層して形成された素体の上面には、絶縁体層51E、51Fによって凸部D2が形成され、幅方向に延在する一段低い部分が形成される。 この素体の底面と端面に跨って端子53A、53Bが形成される。
【0014】
図7は本発明の電子部品の第5の実施例を示す斜視図である。
絶縁体層とコイル用導体パターン及びコンデンサ用導体パターンを図5の様に積層して素体が形成される。この素体の上面には、凸部D2が形成され、幅方向に延在する一段低い部分が形成される。
この素体の底面と端面と上面の一段低い部分に端子73A、73Bが形成される。
【0015】
図8は本発明の電子部品の第6の実施例を示す斜視図である。
絶縁体層とコイル用導体パターン及びコンデンサ用導体パターンを図5の様に積層して素体が形成される。この素体の上面には、凸部D2が形成され、幅方向に延在する一段低い部分が形成される。
この素体の底面、端面、上面の一段低い部分及び、側面に端子83A、83Bが形成される。
【符号の説明】
【0016】
11A〜11F 絶縁体層
12A〜12C 導体パターン
【技術分野】
【0001】
本発明は、素体内部に回路素子が形成され、この素体の外表面に外部と接続する端子が形成された電子部品に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来の電子部品に、図9と図10に示す様に、絶縁体層91と導体パターン92を積層し、素体内にコイルが形成され、素体の外表面に端子93を形成した積層型電子部品がある。
この種の電子部品が実装される電子機器では、小型化に伴って実装基板とその上部基板やシールドケース等との距離が小さくなっている。この様な電子機器の実装基板に従来の電子部品を実装した場合、上部基板やシールドケースと電子部品の上面に形成された端子が接触し、上部基板やシールドケースとの間でショートしやすかった。
この様な問題を解決するために、図11(A)に示す様に素体の底面にのみ端子113を形成する(例えば、特許文献1を参照。)か、又は、図11(B)に示す様に素体の底面と端面に端子113を形成する(例えば、特許文献2を参照。)ことが行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2007-12920号公報
【特許文献2】特開2006-114626号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、素体の底面にのみ端子を形成した従来の電子部品においては、素体内部の構造が複雑になり、コイルの両端を貫通ビアにて素体の底面に引き出す必要があった。また、素体の底面と側面に端子を形成した従来の電子部品においては、コイルの巻軸が実装面と平行になり、低背化した場合、磁束通過面積が小さくなり、特性が劣化するという問題があった。
【0005】
本発明は、素体内部の構造が複雑になったり、特性が劣化したりすることなく、上部基板やシールドケースとの間でショートするのを防止できる電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明は、内部に回路素子が形成された素体と、該素体の外表面に設けられた端子を備えた電子部品において、素体の上面に凸部を設ける。
【発明の効果】
【0007】
本発明の電子部品は、内部に回路が形成された素体の上面に凸部を設けたので、素体内部の構造が複雑になったり、特性が劣化したりすることなく、上部基板やシールドケースとの間でショートするのを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】本発明の電子部品の第1の実施例を示す分解斜視図である。
【図2】本発明の電子部品の第1の実施例を示す斜視図である。
【図3】本発明の電子部品の第2の実施例を示す斜視図である。
【図4】本発明の電子部品の第3の実施例を示す斜視図である。
【図5】本発明の電子部品の第4の実施例を示す分解斜視図である。
【図6】本発明の電子部品の第4の実施例を示す斜視図である。
【図7】本発明の電子部品の第5の実施例を示す斜視図である。
【図8】本発明の電子部品の第6の実施例を示す斜視図である。
【図9】従来の電子部品の分解斜視図である。
【図10】従来の電子部品の斜視図である。
【図11】従来の別の電子部品の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
本発明の電子部品は絶縁体層と導体パターンを積層して素体が形成される。この素体は上面に凸部が形成される。また、素体の底面と端面に端子が形成される。
従って、本発明の電子部品は、素体の上面に段差が形成されることになり、端面に形成された端子の端部が素体上面にかかった場合でも、凸部によって端子の端部が素体から突出することがない。また、本発明の電子部品は、凸部によって素体の体積が必要以上に小さくなるのを防止できる。
【実施例】
【0010】
以下、本発明の電子部品の実施例を図1乃至図8を参照して説明する。
図1は本発明の電子部品の第1の実施例を示す分解斜視図、図2は本発明の電子部品の第1の実施例を示す斜視図である。
図1において、11A〜11Fは絶縁体層、12A〜12Cは導体パターンである。
絶縁体層11A〜11Fは磁性体、非磁性体、誘電体等の絶縁体を用いて形成される。また、導体パターン12A〜12Cは、銀、銀系、金、金系、白金等の金属材料をペースト状にした導体ペーストを用いて形成される。
絶縁体層11Aの表面には、コイル用導体パターン12Aが形成される。このコイル用導体パターン12Aは1ターン未満分が形成される。コイル用導体パターン12Aの一端は絶縁体層11Aの端面まで引き出される。
絶縁体層11Bの表面には、コイル用導体パターン12Bが形成される。このコイル用導体パターン12Bは1ターン未満分が形成される。コイル用導体パターン12Bの一端は絶縁体層11Bのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン12Aの他端に接続される。
絶縁体層11Cの表面には、コイル用導体パターン12Cが形成される。このコイル用導体パターン12Cは1ターン未満分が形成される。コイル用導体パターン12Cの一端は絶縁体層11Cのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン12Bの他端に接続される。コイル用導体パターン12Cの他端は絶縁体層11Cの端面まで引き出される。この様にコイル用導体パターン12A、コイル用導体パターン12B、コイル用導体パターン12Cを螺旋状に接続することによりコイルが形成される。
この絶縁体層11C上には、絶縁体層11D、11E、11Fが積層される。絶縁体層11E、11Fは、長さ方向、幅方向ともに絶縁体層11A〜11Dの長さ方向、幅方向よりも小さく形成される。
この様に絶縁体層11A〜11Fとコイル用導体パターン12A〜12Cを積層して形成された素体の上面には絶縁体層11E、11Fによって凸部D1が形成され、凸部D1の周囲に一段低い段差が形成される。この素体の底面と端面に跨って端子23A、23Bが形成される。
【0011】
図3は本発明の電子部品の第2の実施例を示す斜視図である。
絶縁体層とコイル用導体パターンを図1の様に積層して素体が形成される。この素体の上面には、凸部D1が形成され、凸部D1の周囲に一段低い段差が形成される。
この素体の底面と端面と上面の一段低い部分に端子33A、33Bが形成される。
【0012】
図4は本発明の電子部品の第3の実施例を示す斜視図である。
絶縁体層とコイル用導体パターンを図1の様に積層して素体が形成される。この素体の上面には、凸部D1が形成され、凸部D1の周囲に一段低い段差が形成される。
この素体の底面、端面、上面の一段低い部分及び、側面に端子43A、43Bが形成される。
【0013】
図5は本発明の電子部品の第4の実施例を示す分解斜視図、図6は本発明の電子部品の第4の実施例を示す斜視図である。
図5において、51A〜51Fは絶縁体層、52A〜52Cは導体パターンである。
絶縁体層51A〜51Fは磁性体、非磁性体、誘電体等の絶縁体を用いて形成される。また、導体パターン52A〜52Cは、銀、銀系、金、金系、白金等の金属材料をペースト状にした導体ペーストを用いて形成される。
絶縁体層51Aの表面には、コイル用導体パターン52Aが形成される。このコイル用導体パターン52Aの一端は、絶縁体層51Aの端面まで引き出される。
絶縁体層51Bの表面には、コイル用導体パターン52Bが形成される。このコイル用導体パターン52Bの一端は、絶縁体層51Bのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン12Aの他端に接続される。
絶縁体層51Cの表面には、コイル用導体パターン52Cが形成される。このコイル用導体パターン52Cの一端は、絶縁体層51Cのスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン52Bの他端に接続される。コイル用導体パターン52Cの他端は、絶縁体層51Cの端面まで引き出される。この様にコイル用導体パターン52A、コイル用導体パターン52B、コイル用導体パターン52Cを螺旋状に接続することによりコイルが形成される。
絶縁体層51Dの表面には、コンデンサ用導体パターン54Aが形成される。このコンデンサ用導体パターン54Aは、絶縁体層51B、51C、51Dに形成されたスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン52Aの一端に接続される。
絶縁体層51Eは、その長さ方向が絶縁体層51A〜51Dの長さ方向よりも小さく形成される。この絶縁体層51Eの表面には、コンデンサ用導体パターン54Aと対向する位置にコンデンサ用導体パターン54Bが形成される。このコンデンサ用導体パターン54Bは、絶縁体層51D、51Eに形成されたスルーホール内の導体を介してコイル用導体パターン52Cの他端に接続される。
この絶縁体層51E上には、絶縁体層51Eと同じ形状の絶縁体層51Fが積層される。
この様に絶縁体層51A〜51F、コイル用導体パターン52A〜52C及び、コンデンサ用導体パターン54A、54Bを積層して形成された素体の上面には、絶縁体層51E、51Fによって凸部D2が形成され、幅方向に延在する一段低い部分が形成される。 この素体の底面と端面に跨って端子53A、53Bが形成される。
【0014】
図7は本発明の電子部品の第5の実施例を示す斜視図である。
絶縁体層とコイル用導体パターン及びコンデンサ用導体パターンを図5の様に積層して素体が形成される。この素体の上面には、凸部D2が形成され、幅方向に延在する一段低い部分が形成される。
この素体の底面と端面と上面の一段低い部分に端子73A、73Bが形成される。
【0015】
図8は本発明の電子部品の第6の実施例を示す斜視図である。
絶縁体層とコイル用導体パターン及びコンデンサ用導体パターンを図5の様に積層して素体が形成される。この素体の上面には、凸部D2が形成され、幅方向に延在する一段低い部分が形成される。
この素体の底面、端面、上面の一段低い部分及び、側面に端子83A、83Bが形成される。
【符号の説明】
【0016】
11A〜11F 絶縁体層
12A〜12C 導体パターン
【特許請求の範囲】
【請求項1】
内部に回路素子が形成された素体と、該素体の外表面に設けられた端子を備えた電子部品において、素体の上面に凸部を設けたことを特徴とする電子部品。
【請求項2】
前記素体が絶縁体層と導体パターンを積層して形成された請求項1に記載の電子部品。
【請求項3】
前記絶縁体層間の導体パターンを螺旋状に接続して素体内にコイルが形成された請求項1又は請求項2に記載の電子部品。
【請求項4】
前記導体パターンが凸部内にも形成された請求項2又は請求項3に記載の電子部品。
【請求項5】
前記端子は素体の底面から上面に亘って形成された請求項1、2、3、4のいずれかに記載の電子部品。
【請求項1】
内部に回路素子が形成された素体と、該素体の外表面に設けられた端子を備えた電子部品において、素体の上面に凸部を設けたことを特徴とする電子部品。
【請求項2】
前記素体が絶縁体層と導体パターンを積層して形成された請求項1に記載の電子部品。
【請求項3】
前記絶縁体層間の導体パターンを螺旋状に接続して素体内にコイルが形成された請求項1又は請求項2に記載の電子部品。
【請求項4】
前記導体パターンが凸部内にも形成された請求項2又は請求項3に記載の電子部品。
【請求項5】
前記端子は素体の底面から上面に亘って形成された請求項1、2、3、4のいずれかに記載の電子部品。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【公開番号】特開2012−227409(P2012−227409A)
【公開日】平成24年11月15日(2012.11.15)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−94756(P2011−94756)
【出願日】平成23年4月21日(2011.4.21)
【出願人】(000003089)東光株式会社 (243)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成24年11月15日(2012.11.15)
【国際特許分類】
【出願日】平成23年4月21日(2011.4.21)
【出願人】(000003089)東光株式会社 (243)
【Fターム(参考)】
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