電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器
【課題】フォトリソグラフィにおけるレジストへの露光時間を短くすることができる電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板１０の内側表面ＩＳ上にレジストマスク２１０ａを形成するフォトリソグラフィ工程（ｂ）に先立ち、外側表面ＯＳ上に、反射膜としてのＷＳｉ膜２０１及び酸化シリコン膜２０２を形成する（ａ）。レジスト２１０は、フォトリソグラフィ工程における露光光Ｅと、レジスト２１０を透過した後にＷＳｉ膜２０１により反射された反射光Ｒとにより露光されるため、レジスト２１０へ露光するための露光光Ｅの強度を弱くすることができる。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板１０の内側表面ＩＳ上にレジストマスク２１０ａを形成するフォトリソグラフィ工程（ｂ）に先立ち、外側表面ＯＳ上に、反射膜としてのＷＳｉ膜２０１及び酸化シリコン膜２０２を形成する（ａ）。レジスト２１０は、フォトリソグラフィ工程における露光光Ｅと、レジスト２１０を透過した後にＷＳｉ膜２０１により反射された反射光Ｒとにより露光されるため、レジスト２１０へ露光するための露光光Ｅの強度を弱くすることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器に関し、フォトリソグラフィ工程を使用する電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学装置である液晶装置の基板の製造方法として、レジストを用いたフォトリソグラフィ及びエッチング処理が一般的に使用されている。フォトリソグラフィでは、基板上にレジストを塗布し、塗布した前記レジストに露光装置により所定パターンを露光し、露光されたレジストを現像処理することでレジストマスクを形成する。
【特許文献１】特開２００１−３３９０６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、液晶装置のように透明な基板上において、レジストに所定の形状のパターンを露光する場合、レジストを透過した露光光がそのまま透明な基板を透過し裏面から出射しまうため、レジストへの露光量が落ちてしまい、十分な露光をレジストに与えることができず、露光時間が長くなってしまうと言う問題がある。
【０００４】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、フォトリソグラフィにおけるレジストへの露光時間を短くすることができる電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、互いに対向し少なくとも一方が透光性を有する２枚の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、画像表示領域と、該画像表示領域の周辺を規定する額縁領域とを有する電気光学装置の製造方法であって、前記透光性を有する基板の他方の基板と対向しあう面とは反対側の面である第１の面上に、高融点金属又は高融点金属シリサイドからなる反射膜を形成し、さらに該反射膜上に絶縁膜を形成する反射膜形成工程と、前記透光性を有する基板の前記第１の面とは反対側となる第２の面上に、レジストを塗布し、該レジストを所定形状のパターンで露光し、露光された前記レジストを現像してレジストマスクを形成するフォトリソグラフィ工程と、前記透光性を有する基板の前記第１の面上に形成された前記反射膜の少なくとも一部を除去する反射膜除去工程とを有することを特徴とする。
【０００６】
また、本発明に係る電気光学装置は、互いに対向し少なくとも一方が透光性を有する２枚の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、画像表示領域と、該画像表示領域の周辺を規定する額縁領域とを有する電気光学装置であって、前記透光性を有する基板の、他方の基板と対向しあう面とは反対側の面上の前記額縁領域の少なくとも一部に、高融点金属又は高融点金属シリサイドからなる反射膜と、該反射膜上に形成された絶縁膜とが形成されていることを特徴とする。
【０００７】
本発明のこのような構成によれば、フォトレジスト工程において、レジストを透過した露光光を、透明な基板のレジストとは反対側となる裏面に形成された反射膜により反射することにより、レジストの露光に寄与させることが可能となる。したがって、従来に比してレジストにより効率よく露光を与えることが可能となるため、少ない露光量、すなわち短時間でレジストの露光工程を終えることができる。
【０００８】
また、本発明は、前記透光性を有する基板の前記第１の面上に形成された前記反射膜の一部を除去することで、前記第１の面上に残された前記反射膜を遮光膜として形成することが好ましい。
【０００９】
このような構成によれば、電気光学装置の製造におけるフォトレジスト工程の露光時間の短縮のために用いた反射膜を、完成後の電気光学装置の遮光膜として使用することができるため、より少ない工数で電気光学装置を製造することができる。
【００１０】
また、本発明は、前記透光性を有する基板の前記表示領域内の前記反射膜を除去することにより、前記反射膜の残された領域を前記額縁領域を遮光する額縁遮光膜として形成することが好ましい。
【００１１】
このような構成によれば、遮光膜により額縁領域内に形成されている駆動回路への光の入射を遮ることができ、ＴＦＴの特性が劣化することがない。
【００１２】
また、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、互いに対向し少なくとも一方が透光性を有する２枚の基板間に電気光学物質が挟持されてなる電気光学装置の製造方法であって、前記透光性を有する基板の他方の基板と対向しあう面とは反対側の面である第１の面上に、アルミニウムからなる反射膜を形成する反射膜形成工程と、前記透光性を有する基板の前記第１の面とは反対側となる第２の面上に、レジストを塗布し、該レジストを所定形状のパターンで露光し、露光された前記レジストを現像してレジストマスクを形成するフォトリソグラフィ工程と、前記第１の面上に形成された前記反射膜を全て除去する反射膜除去工程とを有し、前記反射膜形成工程、前記フォトリソグラフィ工程及び前記反射膜除去工程のそれぞれの間においては、前記透光性を有する基板の温度がアルミニウムの融点以下に保たれることを特徴とする。
【００１３】
本発明のこのような構成によれば、反射膜がアルミニウムであるため光の反射率が高く、レジストに対して効率よく露光を与えることが可能となるため、少ない露光量、すなわち短時間でレジストの露光工程を終えることができる。
【００１４】
また、本発明に係る電子機器は、前記電気光学装置を備えることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態を図１から図１２を参照して説明する。
［電気光学装置の構成］
まず、本発明の第１の実施形態に係る電気光学装置の構成について、図１から図５を参照して説明する。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。ここで、図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。図Ｘは、電気光学装置をＴＦＴアレイ基板側から見た背面図である。図４は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図５は、各画素毎に形成されている画素スイッチング用のＴＦＴの断面図である。なお、本実施形態の説明に用いる各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００１６】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。本実施形態の電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０に挟持された液晶の配向や秩序を制御することにより光を変調し、画像表示領域１０ａにおいて画像の表示を行うものである。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、石英基板、ガラス基板等の透光性を有する矩形状の板状部材により構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には電気光学物質である液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００１７】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散らばって設けられている。なお、当該液晶装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれてもよい。
【００１８】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺を規定する額縁領域に、遮光性の周辺遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。なお、このような周辺遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。本実施形態においては、額縁領域とは、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のそれぞれの画像表示領域１０ａより外側となる領域のことを指す。
【００１９】
シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記周辺遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記周辺遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００２０】
また、対向基板２０上の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０上にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。上下導通材１０６及び上下導通端子によって、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間の電気的な導通がなされる。
【００２１】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜１６が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３が設けられており、更には最上層部分に配向膜２２が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００２２】
なお、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４は、画素スイッチング用のＴＦＴと同時形成された駆動回路用のＴＦＴを用いて構成されている。図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００２３】
また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【００２４】
また、本実施形態の電気光学装置では、図２及び図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の、対向基板２０と対向しあう面とは反対側の面である第１の面上の額縁領域に、遮光性を有する額縁遮光膜２００が、画像表示領域１０ａの周辺を囲うように形成されている（図３の右上がりのハッチングで示した領域）。額縁遮光膜２００は、本実施形態の電気光学装置をＴＦＴアレイ基板１０側から見た場合、額縁領域内に形成されているデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４を覆い隠す形状に形成されている。このように、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４を額縁遮光膜２００により覆うことにより、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４を構成するＴＦＴのチャネル領域に光が入射することを防ぐことができる。よって、光が入射することに起因した光電流の発生により、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４のＴＦＴの特性が劣化することがない。また、額縁遮光膜２００が存在することによって、例えば電気光学装置を固定するための筐体により反射された光等の本来の透過光ではない迷光が、画像表示領域１０ａ内へ進入することを防ぐことも可能となる。よって、画像のコントラストが向上し画像品質を向上させることが可能となる。
【００２５】
なお、額縁遮光膜２００は、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４へ入射される光を遮光する目的を有して設けられる場合、少なくともデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４を覆う領域に形成されればよい。すなわち、額縁遮光膜２００は、額縁領域の少なくとも一部に形成されていればよく、必ずしも画像表示領域１０ａを囲むように形成される必要はない。また、ＴＦＴアレイ基板１０と同様に、対向基板２０のＴＦＴアレイ基板１０と対向しあう面とは反対側の面の額縁領域に、額縁遮光膜を設けてもよい。
【００２６】
図４において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００２７】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａ及び走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで選択された走査線３ａの画素に書き込まれる。
【００２８】
画素に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９ａと対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００２９】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に容量素子７０を付加する。この容量素子７０は、走査線３ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極が、一定電位に固定された容量線３ｂに接続されている。
【００３０】
図５を参照して、以下にデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ及びＴＦＴ３０等からなる、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の具体的な構成について説明する。
電気光学装置は、前述したように、例えば、石英基板、ガラス基板等からなる透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０上には、図５に示すように、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６の他、ＴＦＴ３０等の各種の構成が積層構造をなして備えられている。ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側表面上には凹部である溝１２ｇが形成されており、この溝１２ｇの底面部上にデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ及びＴＦＴ３０等が積層されて形成されている。
【００３１】
ＴＦＴアレイ基板１０の第２の面である液晶層５０側の表面上には、下側遮光膜１１ａを有する第１層と、第１層の上に形成されＴＦＴ３０、走査線３ａ及び容量線３ｂを有する第２層と、第２層の上に形成されデータ線６ａを有する第３層と、第３層の上に形成され画素電極９ａを有する第４層とが形成されている。また、第１層と第２層との間には第１層間絶縁膜１２が、また第２層と第３層との間には第２層間絶縁膜４が、さらに第３層と第４層との間には第３層間絶縁膜７が形成されている。これら第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜４、第３層間絶縁膜７は、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜又は酸化シリコン膜により構成されている。
【００３２】
第１層の下側遮光膜１１ａは、各ＴＦＴ３０をＴＦＴアレイ基板１０側から見て覆う位置に設けられており、ＴＦＴ３０へのＴＦＴアレイ基板１０側からの戻り光に対する遮光機能を有している。下側遮光膜１１ａは、不透明な高融点金属であるＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄ等やこれらの金属シリサイド等の金属合金膜により構成され、遮光性を有する。このような材料から構成すれば、ＴＦＴアレイ基板１０上の下側遮光膜１１ａの形成工程の後に行われる画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成工程における高温処理により、下側遮光膜１１ａが破壊されたり溶融されることがない。下側遮光膜１１ａを含む第１層上には第１層間絶縁膜１２が形成されており、第１層と第２層との電気的絶縁が図られている。
【００３３】
画素スイッチング用のＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域（ソース側ＬＤＤ領域）１ｂ及び低濃度ドレイン領域（ドレイン側ＬＤＤ領域）１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは図５に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。なお、このような構造は、基本的には、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４に形成されているＴＦＴも同様に有する。
【００３４】
ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅには、複数の画素電極９ａのうちの対応する一つが、第２層間絶縁膜４及び第３層間絶縁膜７を貫通して形成されているコンタクトホール８を介して電気的に接続されている。また、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄには、データ線６ａが、第２層間絶縁膜４を貫通して形成されているコンタクトホール５を介して電気的に接続されている。また、高濃度ドレイン領域１ｅには、容量電極１ｆが電気的に接続されており、当該容量電極１ｆと容量線３ｂとにより誘電体膜としてのゲート絶縁膜２を挟持することにより、蓄積容量７０が形成されている。
【００３５】
ここで、容量線３ｂと走査線３ａとは、同一のポリシリコン膜からなり、蓄積容量７０の誘電体膜と画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２とは、同一の高温酸化膜からなり、容量電極１ｆと、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル形成領域１ａ’、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅ等とは、同一の半導体層１ａから構成されている。
一方、対向基板２０の液晶層５０側表面上には、各画素の開口領域以外の領域に設けられた遮光膜と遮光膜５３とからなる遮光膜層２３が形成されている。遮光膜層２３は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜により構成され、遮光性を有する。また、遮光膜層２３の上には、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜からなる対向電極２１が形成されている。
【００３６】
［電気光学装置の製造方法］
次に、以上のような構成を持つ電気光学装置の製造方法について、図６から図１０を参照して説明する。なお、図６から図１０は各工程におけるＴＦＴアレイ基板１０側の各層を、図５と同様の断面に対応させて示す工程図である。
【００３７】
まず、図６（ａ）に示すように、反射膜形成工程において、石英、ガラス等からなるＴＦＴアレイ基板１０の、第２の面である内側表面ＩＳとは反対側となる第１の面である外側表面ＯＳの全面に、スパッタ処理により、反射膜としてＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属膜、もしくはこれら高融点金属とシリコンとの化合物である高融点金属シリサイド膜を形成する。また、これらの高融点金属膜及び高融点金属シリサイド膜は、光を反射する性質を有するとともに、光の少なくとも一部を遮る遮光性を有する。本実施形態では、高融点金属シリサイド膜としてタングステンシリサイド（以下、ＷＳｉと称す）膜２０１を形成する。さらに、ＷＳｉ膜２０１上に、絶縁膜である酸化シリコン膜２０２を形成する。なお、本実施形態における高融点金属とは、融点１５００℃以上の金属のことを指す。また、絶縁膜は酸化シリコン膜ではなく、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜又は窒化シリコン膜により構成されてもよい。このように、反射膜として形成したＷＳｉ膜２０１上を酸化シリコン膜２０２によって覆うことにより、ＷＳｉが後の工程で形成されるＴＦＴ５０を汚染してしまうことを防止することができる。
【００３８】
次に、図６（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ工程において、ＴＦＴアレイ基板１０の対向基板２０と対向し液晶層５０側となる表面である内側表面ＩＳに、溝１２ｇのパターンに対応した形状を有するレジストマスク２１０ａを形成する。このフォトリソグラフィ工程について、図１１を参照して以下に説明する。図１１は、図５と同様の断面においてフォトリソグラフィ工程の概要を説明する説明図である。
【００３９】
フォトリソグラフィ工程では、まず、図１１（ａ）に示すように、レジスト２１０をＴＦＴアレイ基板１０の内側表面ＩＳ上に塗布する。その後、図１１（ｂ）に示すように、塗布したレジスト２１０に対して、ＴＦＴアレイ基板１０の内側表面ＩＳの方向から溝１２ｇの形状に対応する所定のパターンで露光する。そして、所定の形状のパターンに露光されたレジスト２１０を現像することにより、ＴＦＴアレイ基板１０の内側表面ＩＳ上に図７（ｂ）に示したレジストマスク２１０ａが形成されるのである。
【００４０】
上述のように、ＴＦＴアレイ基板１０の内側表面ＩＳ上のレジスト２１０を露光する場合、半導体用露光装置が用いられるため、露光光Ｅの光軸はＴＦＴアレイ基板１０の内側表面に対し略直交し、かつ露光光Ｅの主光線は光軸に対し略平行に進行する。
【００４１】
レジスト２１０は透光性を有するため、露光光Ｅの一部はＴＦＴアレイ基板１０へと透過する。ここで、ＴＦＴアレイ基板１０は透明であるため、露光光ＥはＴＦＴアレイ基板１０内を透過し、内側表面ＩＳとは反対側の外側表面ＯＳまで到達する。当該外側表面ＯＳまで到達した露光光Ｅは、反射膜であるＷＳｉ膜２０１と外側表面ＯＳとの界面で反射される（反射光Ｒ）。露光光Ｅは、ＴＦＴアレイ基板１０に略直交して入射しているため、反射光Ｒの大部分は露光光Ｅの進行方向とは反対の方向へ進行し、レジスト２１０の露光光Ｅが透過してきた箇所近傍に入射する。このため、本実施形態においては、レジスト２１０は、露光光Ｅ及び、反射光Ｒによって露光されるのである。
【００４２】
従来、透明な基板上におけるフォトリソグラフィ工程では、レジストを透過した露光光はそのまま透明な基板を透過し裏面から出射してしまっていたものであるが、本実施形態によれば、レジストを透過した露光光を、透明な基板の裏面に形成された反射膜により反射することにより、レジストの露光に寄与させることが可能となる。したがって、本実施形態の電気光学装置の製造方法によれば、従来に比してレジストにより効率よく露光を与えることが可能となるため、従来よりも少ない露光量、すなわち短時間でレジストの露光工程を終えることができる。
【００４３】
次に、図６（ｃ）に示すように、エッチング工程において、レジストマスク２１０ａが形成されていない箇所にドライ及びウェットエッチング処理を施すことにより、ＴＦＴアレイ基板１０の内側表面ＩＳにＴＦＴ３０等を形成する領域に溝１２ｇを形成する。
【００４４】
次に、図７（ｄ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０を、好ましくはＮ２（窒素）等の不活性ガス雰囲気且つ約９００〜１３００℃の高温でアニール処理し、後に実施される高温プロセスにおけるＴＦＴアレイ基板１０に生じる歪みが少なくなるように前処理する。すなわち、製造プロセスにおける最高温で高温処理される温度に合わせて、事前にＴＦＴアレイ基板１０を同じ温度かそれ以上の温度で熱処理しておく。そして、このように処理されたＴＦＴアレイ基板１０の全面に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタにより、１０００〜５０００オングストローム程度の層厚、好ましくは約２０００オングストロームの層厚で形成する。さらに、形成された金属合金膜上にフォトリソグラフィにより下側遮光膜１１ａのパターン（図２参照）に対応するレジストマスクを形成し、該レジストマスクを介して金属合金膜に対しエッチングを行うことにより、下側遮光膜１１ａを形成する。
【００４５】
次に、図７（ｅ）に示すように、下側遮光膜１１ａの上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第１層間絶縁膜１２を形成する。この第１層間絶縁膜１２の層厚は、例えば、約５０００〜２００００オングストローム、好ましくは約５０００〜１００００オングストロームとする。
【００４６】
あるいは、熱酸化膜を形成した後、更に減圧ＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜を約５００オングストロームの比較的薄い厚さに順次堆積し、厚さ約２０００オングストロームの多層構造を持つ第１層間絶縁膜１２を形成してもよい。更に、このようなシリケートガラス膜に重ねて又は代えて、ＳＯＧ（スピンオンガラス：紡糸状ガラス）をスピンコートして又はＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理を施すことにより、平坦な膜を形成してもよい。このように第１層間絶縁膜１２の上面を平坦化しておけば、後に上側にＴＦＴ３０を形成し易いという利点が得られる。なお、第１層間絶縁膜１２に対し、約９００℃のアニール処理を施すことにより、汚染を防ぐと共に平坦化してもよい。
【００４７】
次に図７（ｆ）に示すように、第１層間絶縁膜１２の上に、約４５０〜５５０℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中で、流量約４００〜６００ｃｃ／ｍｉｎのモノシランガス、ジシランガス等を用いた減圧ＣＶＤ（例えば、圧力約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）により、アモルファスシリコン膜を形成する。その後、窒素雰囲気中で、約６００〜７００℃にて約１〜７２時間、好ましくは、４〜６時間のアニール処理を施することにより、ポリシリコン膜１を約５００〜２０００オングストロームの厚さ、好ましくは約１０００オングストロームの厚さとなるまで固相成長させる。この際、ｎチャネル型のＴＦＴ３０を作成する場合には、当該チャネル領域にＳｂ（アンチモン）、Ａｓ（砒素）、Ｐ（リン）などのＶ族元素のドーパントを僅かにイオン注入等によりドープしても良い。また、ＴＦＴ３０をｐチャネル型とする場合には、Ｂ（ボロン）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）などのIII族元素のドーパントを僅かにイオン注入等によりドープしても良い。なお、アモルファスシリコン膜を経ないで、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を直接形成しても良い。或いは、減圧ＣＶＤ法等により堆積したポリシリコン膜にシリコンイオンを打ち込んで一旦非晶質化（アモルファス化）し、その後アニール処理等により再結晶化させてポリシリコン膜を形成しても良い。さらに、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、図５に示した如きチャネル領域１ａ’、容量電極１ｆ等を含む所定パターンを有する半導体層１ａを形成する。
【００４８】
次に図８（ｇ）に示すように、ＴＦＴ３０を構成するチャネル領域１ａ’及び蓄積容量７０を構成する容量電極１ｆ等を含む半導体層１ａを、約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約１０００℃の温度により熱酸化することにより、約３００オングストロームの比較的薄い厚さの熱酸化シリコン膜を形成し、更に減圧ＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜を約５００オングストロームの比較的薄い厚さに堆積し、多層構造を持つＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２と共に蓄積容量７０用の絶縁膜２を形成する。この結果、半導体層１ａの厚さは、約３００〜１５００オングストロームの厚さ、好ましくは約３５０〜５００オングストロームの厚さとなり、絶縁膜２の厚さは、約２００〜１５００オングストロームの厚さ、好ましくは約３００〜１０００オングストロームの厚さとなる。このように高温熱酸化時間を短くすることにより、特に８インチ程度の大型ウエーハを使用する場合に熱によるそりを防止することができる。但し、半導体層１ａを熱酸化することのみにより、単一層構造を持つ絶縁膜２を形成してもよい。
【００４９】
なお、工程（５）において特に限定されないが、容量電極１ｆとなる半導体層１ａ部分に、例えば、Ｐイオンをドーズ量約３×１０１２／ｃｍ２でドープして、低抵抗化させてもよい。
【００５０】
次に図８（ｈ）に示すように、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を堆積した後、リン（Ｐ）を熱拡散し、このポリシリコン膜を導電化する。又は、Ｐイオンをポリシリコン膜の成膜と同時に導入したドープトシリコン膜を用いてもよい。
【００５１】
そして、このように堆積されたポリシリコン膜に対して、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等を施して、図２に示した如き所定パターンの走査線３ａと共に容量線３ｂを形成する。これらの容量線３ｂ及び走査線３ａの層厚は、例えば、約３５００オングストロームとされる。
【００５２】
但し、走査線３ａや容量線３ｂを、ポリシリコン膜ではなく、Ａｌ等の金属膜又は金属シリサイド膜から形成してもよいし、若しくはこれらの金属膜又は金属シリサイド膜とポリシリコン膜とを組み合わせて多層に形成してもよい。この場合、走査線３ａを、下側遮光膜１１ａが覆う領域の一分又は全部に対応する遮光膜として配置すれば、金属膜や金属シリサイド膜の持つ遮光性により、対向基板２０側の遮光膜２３の一部を書略することも可能となる。この場合特に、対向基板２０とＴＦＴアレイ基板１０との張り合わせずれに画素開口率の低下を防ぐことが出来る利点がある。
【００５３】
続いて、図５に示した画素スイッチング用ＴＦＴ３０をＬＤＤ構造を持つｎチャネル型のＴＦＴとする場合、半導体層１ａに、先ず低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成するために、走査線３ａ（ゲート電極）を拡散マスクとして、ＰなどのＶ族元素のドーパントを低濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０１３／ｃｍ２のドーズ量にて）ドープする。これにより走査線３ａ下の半導体層１ａはチャネル領域１ａ’となる。この不純物のドープにより容量線３ｂ及び走査線３ａも低抵抗化される。
【００５４】
さらに、ＴＦＴ３０を構成する高濃度ソース領域１ｂ及び高濃度ドレイン領域１ｃを形成するために、走査線３ａよりも幅の広いマスクでレジストを走査線３ａ上に形成した後、同じくＰなどのＶ族元素のドーパントを高濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０１５／ｃｍ２のドーズ量にて）ドープする。また、ＴＦＴ３０をｐチャネル型とする場合、半導体層１ａに、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成するために、ＢなどのIII族元素のドーパントを用いてドープする。
【００５５】
このように低濃度及び高濃度の２段階のドープにより、ＴＦＴ３０をＬＤＤ構造とすれば、ショートチャネル効果を低減できる利点が得られる。但し、２段階に分けてドープを行わなくてもよい。例えば、低濃度のドープを行わずに、オフセット構造のＴＦＴとしてもよく、走査線３ａをマスクとして、Ｐイオン、Ｂイオン等を用いたイオン注入技術によりセルフアライン型のＴＦＴとしてもよい。この不純物のドープにより容量線３ｂ及び走査線３ａも更に低抵抗化される。
【００５６】
また、これらのＴＦＴ３０の素子形成工程と並行して、ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴから構成される相補型構造を持つデータ線駆動回路、走査線駆動回路等の周辺回路（図示せず）をＴＦＴアレイ基板１０上の周辺部に形成してもよい。このように、本実施形態において画素スイッチング用のＴＦＴ３０は半導体層をポリシリコンで形成するので、画素スイッチング用のＴＦＴ３０の形成時にほぼ同一工程で、周辺回路を形成することができ、製造上有利である。
【００５７】
次に、図８（ｉ）に示すように、絶縁膜２、走査線３ａ及び容量線３ｂを覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第２層間絶縁膜４を形成する。第２層間絶縁膜４の層厚は、約５０００〜１５０００オングストロームが好ましい。そして、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを活性化するために約１０００℃のアニール処理を２０分程度行った後、データ線６ａに対するコンタクトホール５を反応性エッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより開孔する。
【００５８】
次に、図９（ｊ）に示すように、第２層間絶縁膜４の上に、スパッタ処理等により、遮光性のＡｌ等の低抵抗金属や金属シリサイド等を、約１０００〜５０００オングストロームの厚さ、好ましくは約３０００オングストロームに堆積した後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等を施すことにより、データ線６ａを形成する。
【００５９】
次に、図９（ｋ）に示すように、データ線６ａ上を覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第３層間絶縁膜７を形成する。第３層間絶縁膜７の層厚は、約５０００〜１５０００オングストロームが好ましい。なお、第３層間絶縁膜７の形成に際し、シリケートガラス膜等の表面にＣＭＰ処理を施したり、シリケートガラス膜等に代えて又は重ねて有機膜やＳＯＧを形成して、第３層間絶縁膜７の上面を平坦化してもよい。このように平坦化すれば、第３層間絶縁膜７の表面の凹凸により引き起こされる液晶のディスクリネーション（配向不良）を低減できる。
【００６０】
その後、画素電極９ａと高濃度ドレイン領域１ｅとを電気的接続するためのコンタクトホール８を、反応性エッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより形成する。
【００６１】
次に、図９（ｌ）に示すように、第３層間絶縁膜７の上に、スパッタ処理等により、ＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜を、約５００〜２０００オングストロームの厚さに堆積し、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、画素電極９ａを形成する。なお、当該液晶装置を反射型の液晶装置に用いる場合には、Ａｌ等の反射率の高い不透明な材料から画素電極９ａを形成してもよい。
【００６２】
続いて、画素電極９ａの上にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜１６（図５参照）が形成される。
【００６３】
そして、図１０（ｍ）に示すように、反射膜除去工程において、ＴＦＴアレイ基板１０の外側表面ＯＳに形成されている反射膜であるＷＳｉ膜２０１とその上に形成された酸化シリコン膜２０２との画像表示領域１０ａ内にあたる領域をフォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により除去することで、額縁遮光膜２００を形成する。すなわち、反射膜除去工程後に、遮光性を有する反射膜であるＷＳｉ膜２０１とその上に形成された酸化シリコン膜２０２との残された領域が、電気光学装置の額縁領域を遮光する額縁遮光膜２００となる。
【００６４】
他方、図５に示した対向基板２０については、石英、ガラス基板等がまず用意され、遮光膜２３及び周辺見切りとしての周辺遮光膜５３が、例えば金属クロムをスパッタした後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程を経て形成される。なお、これらの遮光膜２３及び周辺遮光膜５３は、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌなどの金属材料の他、カーボンやＴｉをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどの材料から構成されてもよい。
【００６５】
その後、対向基板２０の全面にスパッタ処理等により、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜を、約５００〜２０００オングストロームの厚さに堆積することにより、対向電極２１を形成する。更に、対向電極２１の全面にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜２２が形成される。
【００６６】
最後に、上述のように各層が形成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、配向膜１６及び２２が対面するようにシール材５２により貼り合わされ、真空吸引等により、両基板間の空間に、例えば複数種類のネマティック液晶を混合してなる液晶が吸引されて、所定層厚の液晶層５０が形成される。
以上の結果、図１から図５に示した本実施形態の電気光学装置が製造される。
【００６７】
なお、上述のように、本実施形態の電気光学装置の製造方法によれば、レジストにより効率よく露光を与えることが可能となるため、短時間でレジストの露光工程を終えることができるものである。本実施形態では、一例としてＴＦＴアレイ基板１０に溝１２ｇを形成する場合においての効果を説明しているが、これ以外のフォトリソグラフィ工程においても同様な効果があることは言うまでもない。
【００６８】
また、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の外側表面ＯＳ上に反射膜であるＷＳｉ膜２０１を形成しているが、反射膜は対向基板２０に形成してもよい。例えば、対向基板２０の製造工程において、フォトリソグラフィ工程が行われる場合は、レジストの露光工程に先立ち、レジストとは反対側の表面に反射膜を形成しておくことにより、レジストの露光工程にかかる時間を短縮することが可能となる。
【００６９】
また、本実施形態では、反射膜除去工程において、反射膜であるＷＳｉ膜２０１と絶縁膜である酸化シリコン膜２０２との一部を除去することで額縁遮光膜２００を形成しているが、必要に応じてＷＳｉ膜２０１及び酸化シリコン膜２０２全部を除去してしまっても構わない。
【００７０】
［電子機器］
次に、以上詳細に説明した電気光学装置たる液晶装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。図１２は、投射型カラー表示装置の構成例を示す断面図である。図１２において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェ クタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【００７１】
なお、本実施形態に係る電気光学装置は、図１２を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型コンピュータ、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末又はタッチパネル等の各種電子機器に適用可能である。
【００７２】
また、本発明に係る電気光学装置は、本実施形態に係るアクティブマトリクス駆動の液晶装置の他に、電子ペーパなどの電気泳動装置、ＥＬ（ Electro-Luminescence ）表示装置、電子放出回路素子を備えた装置（ Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display ）等の電気光学装置の技術分野に属するものである。
【００７３】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態を図１３を参照して説明する。図１３は各工程におけるＴＦＴアレイ基板１０側の各層を、図５と同様の断面に対応させて示す工程図である。第２の実施形態の電気光学装置は、第１の実施形態の電気光学装置に対し、露光光を反射する反射膜の材料が異なる。なお、本実施形態では、第１の実施形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、その説明を適宜に省略するものとする。
【００７４】
第２の実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の外側表面ＯＳ上に、反射膜としてアルミニウム膜２０３が形成される。第２の実施の形態に係る電気光学装置の製造方法について以下に説明する。
【００７５】
まず、図１３（ａ）に示すように、反射膜形成工程において、石英、ガラス等からなるＴＦＴアレイ基板１０の外側表面ＯＳの全面に、スパッタ処理により、アルミニウム膜２０３が形成される。
【００７６】
次に、図１３（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ工程において、ＴＦＴアレイ基板１０の内側表面ＩＳに、溝１２ｇのパターンに対応した形状を有するレジストマスク２１０ａを形成する。
【００７７】
ここで、ＴＦＴアレイ基板１０の外側表面ＯＳにアルミニウム膜２０３が形成されていることによる第１の実施形態と同様の効果により、レジストを露光する工程を短時間に行うことが可能となる。特に、アルミニウムは光の反射率が高いため、第１の実施形態に対してより少ない露光量でレジストの露光を完了させることが可能となるのである。
【００７８】
次に図１３（ｃ）に示すように、エッチング工程において、レジストマスク２１０ａが形成されていない箇所にドライ及びウェットエッチング処理を施すことにより、ＴＦＴアレイ基板１０の内側表面ＩＳにＴＦＴ３０等を形成する領域に溝１２ｇを形成する。
【００７９】
次に図１３（ｄ）に示すように、反射膜除去工程において、ＴＦＴアレイ基板１０の外側表面ＯＳに形成されているアルミニウム膜２０３を全て除去する。
以降の工程は、第１の実施形態において図７（ｄ）以降を参照して説明した工程と同様であるため省略する。
【００８０】
すなわち、本実施形態では、反射膜であるアルミニウム膜２０３は、ＴＦＴアレイ基板１０に対してアニール処理等の高温の処理が施される熱工程の前に除去される。これは、アルミニウムの融点が、およそ６６０℃とタングステンに比べて低いためである。なお、便宜的にアルミニウム膜２０３の温度が６００度以上となる工程を熱工程と称する。つまり、本実施形態では、アルミニウム膜２０３が形成され、フォトリソグラフィ工程のレジスト露光工程が完了し、アルミニウム膜２０３が除去されるまでの間に、ＴＦＴアレイ基板１０に熱工程が施されなければよい。このため、ＴＦＴアレイ基板１０に熱工程が施された後であり、かつフォトリソグラフィ工程のレジスト露光工程の前にアルミニウム膜２０３を形成し、さらにレジスト露光工程後であり、かつ熱工程前にアルミニウム膜２０３を除去すればよいのである。アルミニウム膜２０３は単層でよく、またレジストの露光量が少なくて済むため、例えば、図１３を用いて説明した工程のみでアルミニウム膜２０３を形成するのであれば、第１の実施形態よりも短い時間で電気光学装置を製造することが可能となる。
【００８１】
また、アルミニウム膜２０３を形成した後にＴＦＴアレイ基板１０に熱工程が施されないのであれば、レジスト露光工程後に、アルミニウム膜２０３の一部のみを除去することにより、額縁遮光膜２００を形成してもよい。
【００８２】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法及び電気光学装置、並びにこれを備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】電気光学装置の平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【図３】電気光学装置の背面図である。
【図４】画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【図５】各画素毎に形成されている画素スイッチング用のＴＦＴの断面図である。
【図６】各工程におけるＴＦＴアレイ基板の各層を示す工程図である。
【図７】各工程におけるＴＦＴアレイ基板の各層を示す工程図である。
【図８】各工程におけるＴＦＴアレイ基板の各層を示す工程図である。
【図９】各工程におけるＴＦＴアレイ基板の各層を示す工程図である。
【図１０】各工程におけるＴＦＴアレイ基板の各層を示す工程図である。
【図１１】図５と同様の断面においてフォトリソグラフィ工程の概要を説明する説明図である。
【図１２】投射型カラー表示装置の構成例を示す断面図である。
【図１３】第２の実施形態の各工程におけるＴＦＴアレイ基板の各層を示す工程図である。
【符号の説明】
【００８４】
１０ ＴＦＴアレイ基板、 １０ｇ 溝、 ２０１ ＷＳｉ膜、 ２０２ 酸化シリコン膜、 ２１０ａ レジストマスク、 ＩＳ 内側表面、 ＯＳ 外側表面、 Ｅ 露光光、 Ｒ 反射光
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器に関し、フォトリソグラフィ工程を使用する電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学装置である液晶装置の基板の製造方法として、レジストを用いたフォトリソグラフィ及びエッチング処理が一般的に使用されている。フォトリソグラフィでは、基板上にレジストを塗布し、塗布した前記レジストに露光装置により所定パターンを露光し、露光されたレジストを現像処理することでレジストマスクを形成する。
【特許文献１】特開２００１−３３９０６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、液晶装置のように透明な基板上において、レジストに所定の形状のパターンを露光する場合、レジストを透過した露光光がそのまま透明な基板を透過し裏面から出射しまうため、レジストへの露光量が落ちてしまい、十分な露光をレジストに与えることができず、露光時間が長くなってしまうと言う問題がある。
【０００４】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、フォトリソグラフィにおけるレジストへの露光時間を短くすることができる電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、互いに対向し少なくとも一方が透光性を有する２枚の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、画像表示領域と、該画像表示領域の周辺を規定する額縁領域とを有する電気光学装置の製造方法であって、前記透光性を有する基板の他方の基板と対向しあう面とは反対側の面である第１の面上に、高融点金属又は高融点金属シリサイドからなる反射膜を形成し、さらに該反射膜上に絶縁膜を形成する反射膜形成工程と、前記透光性を有する基板の前記第１の面とは反対側となる第２の面上に、レジストを塗布し、該レジストを所定形状のパターンで露光し、露光された前記レジストを現像してレジストマスクを形成するフォトリソグラフィ工程と、前記透光性を有する基板の前記第１の面上に形成された前記反射膜の少なくとも一部を除去する反射膜除去工程とを有することを特徴とする。
【０００６】
また、本発明に係る電気光学装置は、互いに対向し少なくとも一方が透光性を有する２枚の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、画像表示領域と、該画像表示領域の周辺を規定する額縁領域とを有する電気光学装置であって、前記透光性を有する基板の、他方の基板と対向しあう面とは反対側の面上の前記額縁領域の少なくとも一部に、高融点金属又は高融点金属シリサイドからなる反射膜と、該反射膜上に形成された絶縁膜とが形成されていることを特徴とする。
【０００７】
本発明のこのような構成によれば、フォトレジスト工程において、レジストを透過した露光光を、透明な基板のレジストとは反対側となる裏面に形成された反射膜により反射することにより、レジストの露光に寄与させることが可能となる。したがって、従来に比してレジストにより効率よく露光を与えることが可能となるため、少ない露光量、すなわち短時間でレジストの露光工程を終えることができる。
【０００８】
また、本発明は、前記透光性を有する基板の前記第１の面上に形成された前記反射膜の一部を除去することで、前記第１の面上に残された前記反射膜を遮光膜として形成することが好ましい。
【０００９】
このような構成によれば、電気光学装置の製造におけるフォトレジスト工程の露光時間の短縮のために用いた反射膜を、完成後の電気光学装置の遮光膜として使用することができるため、より少ない工数で電気光学装置を製造することができる。
【００１０】
また、本発明は、前記透光性を有する基板の前記表示領域内の前記反射膜を除去することにより、前記反射膜の残された領域を前記額縁領域を遮光する額縁遮光膜として形成することが好ましい。
【００１１】
このような構成によれば、遮光膜により額縁領域内に形成されている駆動回路への光の入射を遮ることができ、ＴＦＴの特性が劣化することがない。
【００１２】
また、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、互いに対向し少なくとも一方が透光性を有する２枚の基板間に電気光学物質が挟持されてなる電気光学装置の製造方法であって、前記透光性を有する基板の他方の基板と対向しあう面とは反対側の面である第１の面上に、アルミニウムからなる反射膜を形成する反射膜形成工程と、前記透光性を有する基板の前記第１の面とは反対側となる第２の面上に、レジストを塗布し、該レジストを所定形状のパターンで露光し、露光された前記レジストを現像してレジストマスクを形成するフォトリソグラフィ工程と、前記第１の面上に形成された前記反射膜を全て除去する反射膜除去工程とを有し、前記反射膜形成工程、前記フォトリソグラフィ工程及び前記反射膜除去工程のそれぞれの間においては、前記透光性を有する基板の温度がアルミニウムの融点以下に保たれることを特徴とする。
【００１３】
本発明のこのような構成によれば、反射膜がアルミニウムであるため光の反射率が高く、レジストに対して効率よく露光を与えることが可能となるため、少ない露光量、すなわち短時間でレジストの露光工程を終えることができる。
【００１４】
また、本発明に係る電子機器は、前記電気光学装置を備えることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態を図１から図１２を参照して説明する。
［電気光学装置の構成］
まず、本発明の第１の実施形態に係る電気光学装置の構成について、図１から図５を参照して説明する。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。ここで、図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。図Ｘは、電気光学装置をＴＦＴアレイ基板側から見た背面図である。図４は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図５は、各画素毎に形成されている画素スイッチング用のＴＦＴの断面図である。なお、本実施形態の説明に用いる各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００１６】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。本実施形態の電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０に挟持された液晶の配向や秩序を制御することにより光を変調し、画像表示領域１０ａにおいて画像の表示を行うものである。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、石英基板、ガラス基板等の透光性を有する矩形状の板状部材により構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には電気光学物質である液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００１７】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散らばって設けられている。なお、当該液晶装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれてもよい。
【００１８】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺を規定する額縁領域に、遮光性の周辺遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。なお、このような周辺遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。本実施形態においては、額縁領域とは、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０のそれぞれの画像表示領域１０ａより外側となる領域のことを指す。
【００１９】
シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記周辺遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記周辺遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００２０】
また、対向基板２０上の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０上にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。上下導通材１０６及び上下導通端子によって、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間の電気的な導通がなされる。
【００２１】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜１６が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３が設けられており、更には最上層部分に配向膜２２が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００２２】
なお、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４は、画素スイッチング用のＴＦＴと同時形成された駆動回路用のＴＦＴを用いて構成されている。図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００２３】
また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【００２４】
また、本実施形態の電気光学装置では、図２及び図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の、対向基板２０と対向しあう面とは反対側の面である第１の面上の額縁領域に、遮光性を有する額縁遮光膜２００が、画像表示領域１０ａの周辺を囲うように形成されている（図３の右上がりのハッチングで示した領域）。額縁遮光膜２００は、本実施形態の電気光学装置をＴＦＴアレイ基板１０側から見た場合、額縁領域内に形成されているデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４を覆い隠す形状に形成されている。このように、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４を額縁遮光膜２００により覆うことにより、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４を構成するＴＦＴのチャネル領域に光が入射することを防ぐことができる。よって、光が入射することに起因した光電流の発生により、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４のＴＦＴの特性が劣化することがない。また、額縁遮光膜２００が存在することによって、例えば電気光学装置を固定するための筐体により反射された光等の本来の透過光ではない迷光が、画像表示領域１０ａ内へ進入することを防ぐことも可能となる。よって、画像のコントラストが向上し画像品質を向上させることが可能となる。
【００２５】
なお、額縁遮光膜２００は、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４へ入射される光を遮光する目的を有して設けられる場合、少なくともデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４を覆う領域に形成されればよい。すなわち、額縁遮光膜２００は、額縁領域の少なくとも一部に形成されていればよく、必ずしも画像表示領域１０ａを囲むように形成される必要はない。また、ＴＦＴアレイ基板１０と同様に、対向基板２０のＴＦＴアレイ基板１０と対向しあう面とは反対側の面の額縁領域に、額縁遮光膜を設けてもよい。
【００２６】
図４において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００２７】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａ及び走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで選択された走査線３ａの画素に書き込まれる。
【００２８】
画素に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９ａと対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００２９】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に容量素子７０を付加する。この容量素子７０は、走査線３ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極が、一定電位に固定された容量線３ｂに接続されている。
【００３０】
図５を参照して、以下にデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ及びＴＦＴ３０等からなる、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の具体的な構成について説明する。
電気光学装置は、前述したように、例えば、石英基板、ガラス基板等からなる透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０上には、図５に示すように、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６の他、ＴＦＴ３０等の各種の構成が積層構造をなして備えられている。ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側表面上には凹部である溝１２ｇが形成されており、この溝１２ｇの底面部上にデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ及びＴＦＴ３０等が積層されて形成されている。
【００３１】
ＴＦＴアレイ基板１０の第２の面である液晶層５０側の表面上には、下側遮光膜１１ａを有する第１層と、第１層の上に形成されＴＦＴ３０、走査線３ａ及び容量線３ｂを有する第２層と、第２層の上に形成されデータ線６ａを有する第３層と、第３層の上に形成され画素電極９ａを有する第４層とが形成されている。また、第１層と第２層との間には第１層間絶縁膜１２が、また第２層と第３層との間には第２層間絶縁膜４が、さらに第３層と第４層との間には第３層間絶縁膜７が形成されている。これら第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜４、第３層間絶縁膜７は、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜又は酸化シリコン膜により構成されている。
【００３２】
第１層の下側遮光膜１１ａは、各ＴＦＴ３０をＴＦＴアレイ基板１０側から見て覆う位置に設けられており、ＴＦＴ３０へのＴＦＴアレイ基板１０側からの戻り光に対する遮光機能を有している。下側遮光膜１１ａは、不透明な高融点金属であるＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄ等やこれらの金属シリサイド等の金属合金膜により構成され、遮光性を有する。このような材料から構成すれば、ＴＦＴアレイ基板１０上の下側遮光膜１１ａの形成工程の後に行われる画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成工程における高温処理により、下側遮光膜１１ａが破壊されたり溶融されることがない。下側遮光膜１１ａを含む第１層上には第１層間絶縁膜１２が形成されており、第１層と第２層との電気的絶縁が図られている。
【００３３】
画素スイッチング用のＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域（ソース側ＬＤＤ領域）１ｂ及び低濃度ドレイン領域（ドレイン側ＬＤＤ領域）１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは図５に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。なお、このような構造は、基本的には、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４に形成されているＴＦＴも同様に有する。
【００３４】
ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅには、複数の画素電極９ａのうちの対応する一つが、第２層間絶縁膜４及び第３層間絶縁膜７を貫通して形成されているコンタクトホール８を介して電気的に接続されている。また、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄには、データ線６ａが、第２層間絶縁膜４を貫通して形成されているコンタクトホール５を介して電気的に接続されている。また、高濃度ドレイン領域１ｅには、容量電極１ｆが電気的に接続されており、当該容量電極１ｆと容量線３ｂとにより誘電体膜としてのゲート絶縁膜２を挟持することにより、蓄積容量７０が形成されている。
【００３５】
ここで、容量線３ｂと走査線３ａとは、同一のポリシリコン膜からなり、蓄積容量７０の誘電体膜と画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２とは、同一の高温酸化膜からなり、容量電極１ｆと、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル形成領域１ａ’、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅ等とは、同一の半導体層１ａから構成されている。
一方、対向基板２０の液晶層５０側表面上には、各画素の開口領域以外の領域に設けられた遮光膜と遮光膜５３とからなる遮光膜層２３が形成されている。遮光膜層２３は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜により構成され、遮光性を有する。また、遮光膜層２３の上には、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜からなる対向電極２１が形成されている。
【００３６】
［電気光学装置の製造方法］
次に、以上のような構成を持つ電気光学装置の製造方法について、図６から図１０を参照して説明する。なお、図６から図１０は各工程におけるＴＦＴアレイ基板１０側の各層を、図５と同様の断面に対応させて示す工程図である。
【００３７】
まず、図６（ａ）に示すように、反射膜形成工程において、石英、ガラス等からなるＴＦＴアレイ基板１０の、第２の面である内側表面ＩＳとは反対側となる第１の面である外側表面ＯＳの全面に、スパッタ処理により、反射膜としてＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属膜、もしくはこれら高融点金属とシリコンとの化合物である高融点金属シリサイド膜を形成する。また、これらの高融点金属膜及び高融点金属シリサイド膜は、光を反射する性質を有するとともに、光の少なくとも一部を遮る遮光性を有する。本実施形態では、高融点金属シリサイド膜としてタングステンシリサイド（以下、ＷＳｉと称す）膜２０１を形成する。さらに、ＷＳｉ膜２０１上に、絶縁膜である酸化シリコン膜２０２を形成する。なお、本実施形態における高融点金属とは、融点１５００℃以上の金属のことを指す。また、絶縁膜は酸化シリコン膜ではなく、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜又は窒化シリコン膜により構成されてもよい。このように、反射膜として形成したＷＳｉ膜２０１上を酸化シリコン膜２０２によって覆うことにより、ＷＳｉが後の工程で形成されるＴＦＴ５０を汚染してしまうことを防止することができる。
【００３８】
次に、図６（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ工程において、ＴＦＴアレイ基板１０の対向基板２０と対向し液晶層５０側となる表面である内側表面ＩＳに、溝１２ｇのパターンに対応した形状を有するレジストマスク２１０ａを形成する。このフォトリソグラフィ工程について、図１１を参照して以下に説明する。図１１は、図５と同様の断面においてフォトリソグラフィ工程の概要を説明する説明図である。
【００３９】
フォトリソグラフィ工程では、まず、図１１（ａ）に示すように、レジスト２１０をＴＦＴアレイ基板１０の内側表面ＩＳ上に塗布する。その後、図１１（ｂ）に示すように、塗布したレジスト２１０に対して、ＴＦＴアレイ基板１０の内側表面ＩＳの方向から溝１２ｇの形状に対応する所定のパターンで露光する。そして、所定の形状のパターンに露光されたレジスト２１０を現像することにより、ＴＦＴアレイ基板１０の内側表面ＩＳ上に図７（ｂ）に示したレジストマスク２１０ａが形成されるのである。
【００４０】
上述のように、ＴＦＴアレイ基板１０の内側表面ＩＳ上のレジスト２１０を露光する場合、半導体用露光装置が用いられるため、露光光Ｅの光軸はＴＦＴアレイ基板１０の内側表面に対し略直交し、かつ露光光Ｅの主光線は光軸に対し略平行に進行する。
【００４１】
レジスト２１０は透光性を有するため、露光光Ｅの一部はＴＦＴアレイ基板１０へと透過する。ここで、ＴＦＴアレイ基板１０は透明であるため、露光光ＥはＴＦＴアレイ基板１０内を透過し、内側表面ＩＳとは反対側の外側表面ＯＳまで到達する。当該外側表面ＯＳまで到達した露光光Ｅは、反射膜であるＷＳｉ膜２０１と外側表面ＯＳとの界面で反射される（反射光Ｒ）。露光光Ｅは、ＴＦＴアレイ基板１０に略直交して入射しているため、反射光Ｒの大部分は露光光Ｅの進行方向とは反対の方向へ進行し、レジスト２１０の露光光Ｅが透過してきた箇所近傍に入射する。このため、本実施形態においては、レジスト２１０は、露光光Ｅ及び、反射光Ｒによって露光されるのである。
【００４２】
従来、透明な基板上におけるフォトリソグラフィ工程では、レジストを透過した露光光はそのまま透明な基板を透過し裏面から出射してしまっていたものであるが、本実施形態によれば、レジストを透過した露光光を、透明な基板の裏面に形成された反射膜により反射することにより、レジストの露光に寄与させることが可能となる。したがって、本実施形態の電気光学装置の製造方法によれば、従来に比してレジストにより効率よく露光を与えることが可能となるため、従来よりも少ない露光量、すなわち短時間でレジストの露光工程を終えることができる。
【００４３】
次に、図６（ｃ）に示すように、エッチング工程において、レジストマスク２１０ａが形成されていない箇所にドライ及びウェットエッチング処理を施すことにより、ＴＦＴアレイ基板１０の内側表面ＩＳにＴＦＴ３０等を形成する領域に溝１２ｇを形成する。
【００４４】
次に、図７（ｄ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０を、好ましくはＮ２（窒素）等の不活性ガス雰囲気且つ約９００〜１３００℃の高温でアニール処理し、後に実施される高温プロセスにおけるＴＦＴアレイ基板１０に生じる歪みが少なくなるように前処理する。すなわち、製造プロセスにおける最高温で高温処理される温度に合わせて、事前にＴＦＴアレイ基板１０を同じ温度かそれ以上の温度で熱処理しておく。そして、このように処理されたＴＦＴアレイ基板１０の全面に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタにより、１０００〜５０００オングストローム程度の層厚、好ましくは約２０００オングストロームの層厚で形成する。さらに、形成された金属合金膜上にフォトリソグラフィにより下側遮光膜１１ａのパターン（図２参照）に対応するレジストマスクを形成し、該レジストマスクを介して金属合金膜に対しエッチングを行うことにより、下側遮光膜１１ａを形成する。
【００４５】
次に、図７（ｅ）に示すように、下側遮光膜１１ａの上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第１層間絶縁膜１２を形成する。この第１層間絶縁膜１２の層厚は、例えば、約５０００〜２００００オングストローム、好ましくは約５０００〜１００００オングストロームとする。
【００４６】
あるいは、熱酸化膜を形成した後、更に減圧ＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜を約５００オングストロームの比較的薄い厚さに順次堆積し、厚さ約２０００オングストロームの多層構造を持つ第１層間絶縁膜１２を形成してもよい。更に、このようなシリケートガラス膜に重ねて又は代えて、ＳＯＧ（スピンオンガラス：紡糸状ガラス）をスピンコートして又はＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理を施すことにより、平坦な膜を形成してもよい。このように第１層間絶縁膜１２の上面を平坦化しておけば、後に上側にＴＦＴ３０を形成し易いという利点が得られる。なお、第１層間絶縁膜１２に対し、約９００℃のアニール処理を施すことにより、汚染を防ぐと共に平坦化してもよい。
【００４７】
次に図７（ｆ）に示すように、第１層間絶縁膜１２の上に、約４５０〜５５０℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中で、流量約４００〜６００ｃｃ／ｍｉｎのモノシランガス、ジシランガス等を用いた減圧ＣＶＤ（例えば、圧力約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）により、アモルファスシリコン膜を形成する。その後、窒素雰囲気中で、約６００〜７００℃にて約１〜７２時間、好ましくは、４〜６時間のアニール処理を施することにより、ポリシリコン膜１を約５００〜２０００オングストロームの厚さ、好ましくは約１０００オングストロームの厚さとなるまで固相成長させる。この際、ｎチャネル型のＴＦＴ３０を作成する場合には、当該チャネル領域にＳｂ（アンチモン）、Ａｓ（砒素）、Ｐ（リン）などのＶ族元素のドーパントを僅かにイオン注入等によりドープしても良い。また、ＴＦＴ３０をｐチャネル型とする場合には、Ｂ（ボロン）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）などのIII族元素のドーパントを僅かにイオン注入等によりドープしても良い。なお、アモルファスシリコン膜を経ないで、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を直接形成しても良い。或いは、減圧ＣＶＤ法等により堆積したポリシリコン膜にシリコンイオンを打ち込んで一旦非晶質化（アモルファス化）し、その後アニール処理等により再結晶化させてポリシリコン膜を形成しても良い。さらに、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、図５に示した如きチャネル領域１ａ’、容量電極１ｆ等を含む所定パターンを有する半導体層１ａを形成する。
【００４８】
次に図８（ｇ）に示すように、ＴＦＴ３０を構成するチャネル領域１ａ’及び蓄積容量７０を構成する容量電極１ｆ等を含む半導体層１ａを、約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約１０００℃の温度により熱酸化することにより、約３００オングストロームの比較的薄い厚さの熱酸化シリコン膜を形成し、更に減圧ＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜を約５００オングストロームの比較的薄い厚さに堆積し、多層構造を持つＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２と共に蓄積容量７０用の絶縁膜２を形成する。この結果、半導体層１ａの厚さは、約３００〜１５００オングストロームの厚さ、好ましくは約３５０〜５００オングストロームの厚さとなり、絶縁膜２の厚さは、約２００〜１５００オングストロームの厚さ、好ましくは約３００〜１０００オングストロームの厚さとなる。このように高温熱酸化時間を短くすることにより、特に８インチ程度の大型ウエーハを使用する場合に熱によるそりを防止することができる。但し、半導体層１ａを熱酸化することのみにより、単一層構造を持つ絶縁膜２を形成してもよい。
【００４９】
なお、工程（５）において特に限定されないが、容量電極１ｆとなる半導体層１ａ部分に、例えば、Ｐイオンをドーズ量約３×１０１２／ｃｍ２でドープして、低抵抗化させてもよい。
【００５０】
次に図８（ｈ）に示すように、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を堆積した後、リン（Ｐ）を熱拡散し、このポリシリコン膜を導電化する。又は、Ｐイオンをポリシリコン膜の成膜と同時に導入したドープトシリコン膜を用いてもよい。
【００５１】
そして、このように堆積されたポリシリコン膜に対して、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等を施して、図２に示した如き所定パターンの走査線３ａと共に容量線３ｂを形成する。これらの容量線３ｂ及び走査線３ａの層厚は、例えば、約３５００オングストロームとされる。
【００５２】
但し、走査線３ａや容量線３ｂを、ポリシリコン膜ではなく、Ａｌ等の金属膜又は金属シリサイド膜から形成してもよいし、若しくはこれらの金属膜又は金属シリサイド膜とポリシリコン膜とを組み合わせて多層に形成してもよい。この場合、走査線３ａを、下側遮光膜１１ａが覆う領域の一分又は全部に対応する遮光膜として配置すれば、金属膜や金属シリサイド膜の持つ遮光性により、対向基板２０側の遮光膜２３の一部を書略することも可能となる。この場合特に、対向基板２０とＴＦＴアレイ基板１０との張り合わせずれに画素開口率の低下を防ぐことが出来る利点がある。
【００５３】
続いて、図５に示した画素スイッチング用ＴＦＴ３０をＬＤＤ構造を持つｎチャネル型のＴＦＴとする場合、半導体層１ａに、先ず低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成するために、走査線３ａ（ゲート電極）を拡散マスクとして、ＰなどのＶ族元素のドーパントを低濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０１３／ｃｍ２のドーズ量にて）ドープする。これにより走査線３ａ下の半導体層１ａはチャネル領域１ａ’となる。この不純物のドープにより容量線３ｂ及び走査線３ａも低抵抗化される。
【００５４】
さらに、ＴＦＴ３０を構成する高濃度ソース領域１ｂ及び高濃度ドレイン領域１ｃを形成するために、走査線３ａよりも幅の広いマスクでレジストを走査線３ａ上に形成した後、同じくＰなどのＶ族元素のドーパントを高濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０１５／ｃｍ２のドーズ量にて）ドープする。また、ＴＦＴ３０をｐチャネル型とする場合、半導体層１ａに、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成するために、ＢなどのIII族元素のドーパントを用いてドープする。
【００５５】
このように低濃度及び高濃度の２段階のドープにより、ＴＦＴ３０をＬＤＤ構造とすれば、ショートチャネル効果を低減できる利点が得られる。但し、２段階に分けてドープを行わなくてもよい。例えば、低濃度のドープを行わずに、オフセット構造のＴＦＴとしてもよく、走査線３ａをマスクとして、Ｐイオン、Ｂイオン等を用いたイオン注入技術によりセルフアライン型のＴＦＴとしてもよい。この不純物のドープにより容量線３ｂ及び走査線３ａも更に低抵抗化される。
【００５６】
また、これらのＴＦＴ３０の素子形成工程と並行して、ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴから構成される相補型構造を持つデータ線駆動回路、走査線駆動回路等の周辺回路（図示せず）をＴＦＴアレイ基板１０上の周辺部に形成してもよい。このように、本実施形態において画素スイッチング用のＴＦＴ３０は半導体層をポリシリコンで形成するので、画素スイッチング用のＴＦＴ３０の形成時にほぼ同一工程で、周辺回路を形成することができ、製造上有利である。
【００５７】
次に、図８（ｉ）に示すように、絶縁膜２、走査線３ａ及び容量線３ｂを覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第２層間絶縁膜４を形成する。第２層間絶縁膜４の層厚は、約５０００〜１５０００オングストロームが好ましい。そして、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを活性化するために約１０００℃のアニール処理を２０分程度行った後、データ線６ａに対するコンタクトホール５を反応性エッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより開孔する。
【００５８】
次に、図９（ｊ）に示すように、第２層間絶縁膜４の上に、スパッタ処理等により、遮光性のＡｌ等の低抵抗金属や金属シリサイド等を、約１０００〜５０００オングストロームの厚さ、好ましくは約３０００オングストロームに堆積した後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等を施すことにより、データ線６ａを形成する。
【００５９】
次に、図９（ｋ）に示すように、データ線６ａ上を覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第３層間絶縁膜７を形成する。第３層間絶縁膜７の層厚は、約５０００〜１５０００オングストロームが好ましい。なお、第３層間絶縁膜７の形成に際し、シリケートガラス膜等の表面にＣＭＰ処理を施したり、シリケートガラス膜等に代えて又は重ねて有機膜やＳＯＧを形成して、第３層間絶縁膜７の上面を平坦化してもよい。このように平坦化すれば、第３層間絶縁膜７の表面の凹凸により引き起こされる液晶のディスクリネーション（配向不良）を低減できる。
【００６０】
その後、画素電極９ａと高濃度ドレイン領域１ｅとを電気的接続するためのコンタクトホール８を、反応性エッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより形成する。
【００６１】
次に、図９（ｌ）に示すように、第３層間絶縁膜７の上に、スパッタ処理等により、ＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜を、約５００〜２０００オングストロームの厚さに堆積し、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、画素電極９ａを形成する。なお、当該液晶装置を反射型の液晶装置に用いる場合には、Ａｌ等の反射率の高い不透明な材料から画素電極９ａを形成してもよい。
【００６２】
続いて、画素電極９ａの上にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜１６（図５参照）が形成される。
【００６３】
そして、図１０（ｍ）に示すように、反射膜除去工程において、ＴＦＴアレイ基板１０の外側表面ＯＳに形成されている反射膜であるＷＳｉ膜２０１とその上に形成された酸化シリコン膜２０２との画像表示領域１０ａ内にあたる領域をフォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により除去することで、額縁遮光膜２００を形成する。すなわち、反射膜除去工程後に、遮光性を有する反射膜であるＷＳｉ膜２０１とその上に形成された酸化シリコン膜２０２との残された領域が、電気光学装置の額縁領域を遮光する額縁遮光膜２００となる。
【００６４】
他方、図５に示した対向基板２０については、石英、ガラス基板等がまず用意され、遮光膜２３及び周辺見切りとしての周辺遮光膜５３が、例えば金属クロムをスパッタした後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程を経て形成される。なお、これらの遮光膜２３及び周辺遮光膜５３は、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌなどの金属材料の他、カーボンやＴｉをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどの材料から構成されてもよい。
【００６５】
その後、対向基板２０の全面にスパッタ処理等により、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜を、約５００〜２０００オングストロームの厚さに堆積することにより、対向電極２１を形成する。更に、対向電極２１の全面にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜２２が形成される。
【００６６】
最後に、上述のように各層が形成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、配向膜１６及び２２が対面するようにシール材５２により貼り合わされ、真空吸引等により、両基板間の空間に、例えば複数種類のネマティック液晶を混合してなる液晶が吸引されて、所定層厚の液晶層５０が形成される。
以上の結果、図１から図５に示した本実施形態の電気光学装置が製造される。
【００６７】
なお、上述のように、本実施形態の電気光学装置の製造方法によれば、レジストにより効率よく露光を与えることが可能となるため、短時間でレジストの露光工程を終えることができるものである。本実施形態では、一例としてＴＦＴアレイ基板１０に溝１２ｇを形成する場合においての効果を説明しているが、これ以外のフォトリソグラフィ工程においても同様な効果があることは言うまでもない。
【００６８】
また、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の外側表面ＯＳ上に反射膜であるＷＳｉ膜２０１を形成しているが、反射膜は対向基板２０に形成してもよい。例えば、対向基板２０の製造工程において、フォトリソグラフィ工程が行われる場合は、レジストの露光工程に先立ち、レジストとは反対側の表面に反射膜を形成しておくことにより、レジストの露光工程にかかる時間を短縮することが可能となる。
【００６９】
また、本実施形態では、反射膜除去工程において、反射膜であるＷＳｉ膜２０１と絶縁膜である酸化シリコン膜２０２との一部を除去することで額縁遮光膜２００を形成しているが、必要に応じてＷＳｉ膜２０１及び酸化シリコン膜２０２全部を除去してしまっても構わない。
【００７０】
［電子機器］
次に、以上詳細に説明した電気光学装置たる液晶装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。図１２は、投射型カラー表示装置の構成例を示す断面図である。図１２において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェ クタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【００７１】
なお、本実施形態に係る電気光学装置は、図１２を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型コンピュータ、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末又はタッチパネル等の各種電子機器に適用可能である。
【００７２】
また、本発明に係る電気光学装置は、本実施形態に係るアクティブマトリクス駆動の液晶装置の他に、電子ペーパなどの電気泳動装置、ＥＬ（ Electro-Luminescence ）表示装置、電子放出回路素子を備えた装置（ Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display ）等の電気光学装置の技術分野に属するものである。
【００７３】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態を図１３を参照して説明する。図１３は各工程におけるＴＦＴアレイ基板１０側の各層を、図５と同様の断面に対応させて示す工程図である。第２の実施形態の電気光学装置は、第１の実施形態の電気光学装置に対し、露光光を反射する反射膜の材料が異なる。なお、本実施形態では、第１の実施形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、その説明を適宜に省略するものとする。
【００７４】
第２の実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の外側表面ＯＳ上に、反射膜としてアルミニウム膜２０３が形成される。第２の実施の形態に係る電気光学装置の製造方法について以下に説明する。
【００７５】
まず、図１３（ａ）に示すように、反射膜形成工程において、石英、ガラス等からなるＴＦＴアレイ基板１０の外側表面ＯＳの全面に、スパッタ処理により、アルミニウム膜２０３が形成される。
【００７６】
次に、図１３（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ工程において、ＴＦＴアレイ基板１０の内側表面ＩＳに、溝１２ｇのパターンに対応した形状を有するレジストマスク２１０ａを形成する。
【００７７】
ここで、ＴＦＴアレイ基板１０の外側表面ＯＳにアルミニウム膜２０３が形成されていることによる第１の実施形態と同様の効果により、レジストを露光する工程を短時間に行うことが可能となる。特に、アルミニウムは光の反射率が高いため、第１の実施形態に対してより少ない露光量でレジストの露光を完了させることが可能となるのである。
【００７８】
次に図１３（ｃ）に示すように、エッチング工程において、レジストマスク２１０ａが形成されていない箇所にドライ及びウェットエッチング処理を施すことにより、ＴＦＴアレイ基板１０の内側表面ＩＳにＴＦＴ３０等を形成する領域に溝１２ｇを形成する。
【００７９】
次に図１３（ｄ）に示すように、反射膜除去工程において、ＴＦＴアレイ基板１０の外側表面ＯＳに形成されているアルミニウム膜２０３を全て除去する。
以降の工程は、第１の実施形態において図７（ｄ）以降を参照して説明した工程と同様であるため省略する。
【００８０】
すなわち、本実施形態では、反射膜であるアルミニウム膜２０３は、ＴＦＴアレイ基板１０に対してアニール処理等の高温の処理が施される熱工程の前に除去される。これは、アルミニウムの融点が、およそ６６０℃とタングステンに比べて低いためである。なお、便宜的にアルミニウム膜２０３の温度が６００度以上となる工程を熱工程と称する。つまり、本実施形態では、アルミニウム膜２０３が形成され、フォトリソグラフィ工程のレジスト露光工程が完了し、アルミニウム膜２０３が除去されるまでの間に、ＴＦＴアレイ基板１０に熱工程が施されなければよい。このため、ＴＦＴアレイ基板１０に熱工程が施された後であり、かつフォトリソグラフィ工程のレジスト露光工程の前にアルミニウム膜２０３を形成し、さらにレジスト露光工程後であり、かつ熱工程前にアルミニウム膜２０３を除去すればよいのである。アルミニウム膜２０３は単層でよく、またレジストの露光量が少なくて済むため、例えば、図１３を用いて説明した工程のみでアルミニウム膜２０３を形成するのであれば、第１の実施形態よりも短い時間で電気光学装置を製造することが可能となる。
【００８１】
また、アルミニウム膜２０３を形成した後にＴＦＴアレイ基板１０に熱工程が施されないのであれば、レジスト露光工程後に、アルミニウム膜２０３の一部のみを除去することにより、額縁遮光膜２００を形成してもよい。
【００８２】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法及び電気光学装置、並びにこれを備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】電気光学装置の平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【図３】電気光学装置の背面図である。
【図４】画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【図５】各画素毎に形成されている画素スイッチング用のＴＦＴの断面図である。
【図６】各工程におけるＴＦＴアレイ基板の各層を示す工程図である。
【図７】各工程におけるＴＦＴアレイ基板の各層を示す工程図である。
【図８】各工程におけるＴＦＴアレイ基板の各層を示す工程図である。
【図９】各工程におけるＴＦＴアレイ基板の各層を示す工程図である。
【図１０】各工程におけるＴＦＴアレイ基板の各層を示す工程図である。
【図１１】図５と同様の断面においてフォトリソグラフィ工程の概要を説明する説明図である。
【図１２】投射型カラー表示装置の構成例を示す断面図である。
【図１３】第２の実施形態の各工程におけるＴＦＴアレイ基板の各層を示す工程図である。
【符号の説明】
【００８４】
１０ ＴＦＴアレイ基板、 １０ｇ 溝、 ２０１ ＷＳｉ膜、 ２０２ 酸化シリコン膜、 ２１０ａ レジストマスク、 ＩＳ 内側表面、 ＯＳ 外側表面、 Ｅ 露光光、 Ｒ 反射光
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向し少なくとも一方が透光性を有する２枚の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、画像表示領域と、該画像表示領域の周辺を規定する額縁領域とを有する電気光学装置の製造方法であって、
前記透光性を有する基板の他方の基板と対向しあう面とは反対側の面である第１の面上に、高融点金属又は高融点金属シリサイドからなる反射膜を形成し、さらに該反射膜上に絶縁膜を形成する反射膜形成工程と、
前記透光性を有する基板の前記第１の面とは反対側となる第２の面上に、レジストを塗布し、該レジストを所定形状のパターンで露光し、露光された前記レジストを現像してレジストマスクを形成するフォトリソグラフィ工程と、
前記透光性を有する基板の前記第１の面上に形成された前記反射膜の少なくとも一部を除去する反射膜除去工程とを有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記透光性を有する基板の前記第１の面上に形成された前記反射膜の一部を除去することで、前記第１の面上に残された前記反射膜を遮光膜として形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記透光性を有する基板の前記表示領域内の前記反射膜を除去することにより、前記反射膜の残された領域を前記額縁領域を遮光する額縁遮光膜として形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
互いに対向し少なくとも一方が透光性を有する２枚の基板間に電気光学物質が挟持されてなる電気光学装置の製造方法であって、
前記透光性を有する基板の他方の基板と対向しあう面とは反対側の面である第１の面上に、アルミニウムからなる反射膜を形成する反射膜形成工程と、
前記透光性を有する基板の前記第１の面とは反対側となる第２の面上に、レジストを塗布し、該レジストを所定形状のパターンで露光し、露光された前記レジストを現像してレジストマスクを形成するフォトリソグラフィ工程と、
前記第１の面上に形成された前記反射膜を全て除去する反射膜除去工程とを有し、
前記反射膜形成工程、前記フォトリソグラフィ工程及び前記反射膜除去工程のそれぞれの間においては、前記透光性を有する基板の温度がアルミニウムの融点以下に保たれることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
互いに対向し少なくとも一方が透光性を有する２枚の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、画像表示領域と、該画像表示領域の周辺を規定する額縁領域とを有する電気光学装置であって、
前記透光性を有する基板の、他方の基板と対向しあう面とは反対側の面上の前記額縁領域の少なくとも一部に、高融点金属又は高融点金属シリサイドからなる反射膜と、該反射膜上に形成された絶縁膜とが形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置を備えた電子機器。
【請求項１】
互いに対向し少なくとも一方が透光性を有する２枚の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、画像表示領域と、該画像表示領域の周辺を規定する額縁領域とを有する電気光学装置の製造方法であって、
前記透光性を有する基板の他方の基板と対向しあう面とは反対側の面である第１の面上に、高融点金属又は高融点金属シリサイドからなる反射膜を形成し、さらに該反射膜上に絶縁膜を形成する反射膜形成工程と、
前記透光性を有する基板の前記第１の面とは反対側となる第２の面上に、レジストを塗布し、該レジストを所定形状のパターンで露光し、露光された前記レジストを現像してレジストマスクを形成するフォトリソグラフィ工程と、
前記透光性を有する基板の前記第１の面上に形成された前記反射膜の少なくとも一部を除去する反射膜除去工程とを有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記透光性を有する基板の前記第１の面上に形成された前記反射膜の一部を除去することで、前記第１の面上に残された前記反射膜を遮光膜として形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記透光性を有する基板の前記表示領域内の前記反射膜を除去することにより、前記反射膜の残された領域を前記額縁領域を遮光する額縁遮光膜として形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
互いに対向し少なくとも一方が透光性を有する２枚の基板間に電気光学物質が挟持されてなる電気光学装置の製造方法であって、
前記透光性を有する基板の他方の基板と対向しあう面とは反対側の面である第１の面上に、アルミニウムからなる反射膜を形成する反射膜形成工程と、
前記透光性を有する基板の前記第１の面とは反対側となる第２の面上に、レジストを塗布し、該レジストを所定形状のパターンで露光し、露光された前記レジストを現像してレジストマスクを形成するフォトリソグラフィ工程と、
前記第１の面上に形成された前記反射膜を全て除去する反射膜除去工程とを有し、
前記反射膜形成工程、前記フォトリソグラフィ工程及び前記反射膜除去工程のそれぞれの間においては、前記透光性を有する基板の温度がアルミニウムの融点以下に保たれることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
互いに対向し少なくとも一方が透光性を有する２枚の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、画像表示領域と、該画像表示領域の周辺を規定する額縁領域とを有する電気光学装置であって、
前記透光性を有する基板の、他方の基板と対向しあう面とは反対側の面上の前記額縁領域の少なくとも一部に、高融点金属又は高融点金属シリサイドからなる反射膜と、該反射膜上に形成された絶縁膜とが形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置を備えた電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２００７−１９３２６０（Ｐ２００７−１９３２６０Ａ）
【公開日】平成１９年８月２日（２００７．８．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１３６０４（Ｐ２００６−１３６０４）
【出願日】平成１８年１月２３日（２００６．１．２３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年８月２日（２００７．８．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１月２３日（２００６．１．２３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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