静磁波素子および静磁波装置
【課題】 共振特性に優れた磁波素子および静磁波装置を提供する。
【解決手段】 素子基板３と、素子基板３の主面上に位置する磁性膜２と、一部が磁性膜２上に位置する励振電極５とを備えた静磁波素子１である。励振電極５は、素子基板３の主面上に位置した第１バスバー６と、第１バスバー６に対向するようにして素子基板３の主面上に位置した第２バスバー７と、一方端が第１バスバー６に接続されて第１バスバー６から第２バスバー７に向かう第１方向に伸びている少なくとも１つの第１電極指８と、一方端が第２バスバー７に接続されて第１方向と反対方向に伸びている少なくとも１つの第２電極指９とを含み、磁性膜２が第１領域Ｔ１にのみ設けられている。
【解決手段】 素子基板３と、素子基板３の主面上に位置する磁性膜２と、一部が磁性膜２上に位置する励振電極５とを備えた静磁波素子１である。励振電極５は、素子基板３の主面上に位置した第１バスバー６と、第１バスバー６に対向するようにして素子基板３の主面上に位置した第２バスバー７と、一方端が第１バスバー６に接続されて第１バスバー６から第２バスバー７に向かう第１方向に伸びている少なくとも１つの第１電極指８と、一方端が第２バスバー７に接続されて第１方向と反対方向に伸びている少なくとも１つの第２電極指９とを含み、磁性膜２が第１領域Ｔ１にのみ設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルタを構成する共振子などに使用される静磁波素子および静磁波装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より携帯電話をはじめとする無線通信機器などには、特定の周波数帯域の電気信号の取り出しなどを行うデバイスとして弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）を
利用したものが広く使用されている。
【０００３】
ＳＡＷデバイスは、圧電基板上にＩＤＴ（InterDigital Transducer）電極を形成した
構造をなしている。
【０００４】
近年、無線通信機器などではより高周波の電気信号を利用するようになってきており、例えば、２．５ＧＨｚ以上の周波数帯域を利用するようなものも考えられている。それに伴い携帯電話に使用されるフィルタなどにも高周波化に対応したものが求められる。
【０００５】
しかしながら、ＳＡＷを利用したデバイスにおいて、２．５ＧＨｚを超えるような高周波に対応させようとすると、ＩＤＴ電極を構成する電極指間の間隔を非常に狭くしなければならず、歩留まり良くＳＡＷデバイスを製造することが困難となってくる。また、電極指自体が小さくなることによって電気抵抗が増大し、例えば、フィルタの挿入損失などの要求特性を満たすことが困難となってくる。
【０００６】
一方、ＳＡＷを利用したものでなく磁性膜中を伝搬する静磁波を利用したデバイスが従来から知られている。静磁波を利用したデバイスは、素子基板と素子基板の主面に形成された磁性膜と、磁性膜上に形成された励振電極とから構成されている（例えば、特許文献１の図７参照）。
【０００７】
かかる静磁波を利用したデバイスは、静磁波の伝搬速度がＳＡＷよりも速いため、ＳＡＷを利用したデバイスよりも高周波化に対応しやすい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平７−２２０９２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら従来の静磁波を利用したデバイスにおいては、フィルタを構成するための共振子として使用する観点からの十分な考察がなされておらず、いずれも十分な共振特性が得られるものとはいいがたい。
【００１０】
したがって十分な共振特性が得られる静磁波素子および静磁波装置が提供されることが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様としての静磁波素子は、素子基板と、前記素子基板の主面上に位置する磁性膜と、一部が前記磁性膜上に位置する励振電極と、を備えた静磁波素子であって、前記励振電極は、前記素子基板の主面上に位置した第１バスバーと、前記第１バスバーと対
向するようにして前記素子基板の主面上に位置した第２バスバーと、一方端が前記第１バスバーに接続されて前記第１バスバーから前記第２バスバーに向かう第１方向に伸びている少なくとも１つの第１電極指と、一方端が前記第２バスバーに接続されて前記第１方向と反対方向に伸びている少なくとも１つの第２電極指とを含み、前記素子基板の主面のうち、前記第１バスバーと前記第２バスバーとの間の領域および前記第１バスバーと前記第２バスバーとの間の領域を前記第１方向と直交する第２方向に延長した領域を第１領域とし、該第１領域以外の領域を第２領域としたときに、前記磁性膜が前記第１領域にのみ設けられているものである。
【００１２】
本発明の一態様としての静磁波装置は、上記の静磁波素子と、前記静磁波素子が実装された実装基板と、前記静磁波素子を被覆する樹脂層とを備えたものである。
【発明の効果】
【００１３】
上記の構成からなる静磁波素子および静磁波装置は、磁性膜が第１バスバーと第２バスバーとの間の領域である第１領域にのみ設けられていることから、第１バスバーおよび第２バスバーの直下の領域における不要な磁気共鳴の発生、あるいは別のモードの静磁波の発生が抑制され、共振特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る静磁波素子の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図３】（ａ）から（ｃ）は、図１の静磁波素子の製造方法を説明する断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る静磁波装置の断面図である。
【図５】第１の実施形態の変形例に係る静磁波素子の平面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る静磁波素子の平面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る静磁波素子の断面図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係る静磁波素子の平面図である。
【図９】図９に示す静磁波素子のｉＸ−ｉＸ線における断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態に係る静磁波素子および静磁波装置について図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００１６】
第２の実施形態以降において、既に説明された実施形態と共通または類似する構成については、既に説明された実施形態と共通の符号を用い、図示や説明を省略することがある。
【００１７】
＜第１の実施形態＞
（静磁波素子の構成）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る共振子としての静磁波素子１の平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ’線における断面図である。
【００１８】
静磁波素子１は、素子基板３と、素子基板３の主面３ａ上に設けられた磁性膜２と、素子基板３の主面３ａおよび磁性膜２の主面２ａに設けられた励振電極５とを有している。また、素子基板３の主面３ａには、励振電極５と電気的に接続されるパッド４、励振電極５とパッド４との接続を行う接続配線１１が形成されている。なお、図１では素子基板３の主面３ａに１つの励振電極５が設けられている例を示しているが、素子基板３の主面３ａには複数の励振電極５が形成されてよい。
【００１９】
素子基板３は、例えば、シリコン基板、ガドリウム−ガリウム−ガーネット（ＧＧＧ）基板などの非磁性材料からなる基板である。素子基板３は、例えば、直方体状に形成されている。素子基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さ（Ｚ方向）は０．２ｍｍ〜０．５ｍｍであり、１辺の長さ（ｘ方向またはｙ方向）は０．５ｍｍ〜３ｍｍである。
【００２０】
素子基板３の主面３ａには、磁性膜２が形成されている。磁性膜２は、例えば、ニッケル鉄合金（パーマロイ)、イットリウム−鉄−ガーネット（ＹＩＧ)などからなる。磁性膜２の厚みは、例えば、２０ｎｍ〜１００ｎｍである。磁性膜２には所定の方向に直流磁場が印加されており、これによって磁性膜２は磁化している。
【００２１】
磁性膜２は後述するように素子基板３の主面３ａのうち特定の領域にのみ形成されている。
【００２２】
励振電極５は、例えば、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極であり、一対の櫛歯
状電極を有している。具体的には、励振電極５はｘ方向に伸びている第１バスバー６と、第１バスバー６に対向して配置され、ｘ方向に伸びている第２バスバー７と、一方端が第１バスバー６に接続されて第１バスバー６から第２バスバー７に向かう第１方向（ｙ方向）に伸びている複数の第１電極指８と、一方端が第２バスバー７に接続されて第２バスバー７から第１バスバー６に向かう方向（−ｙ方向）に伸びている複数の第２電極指９を有している。
【００２３】
静磁波素子１において、複数の第１電極指８と複数の第２電極指９とは、ｘ方向にみたときに第１電極指８と第２電極指９とが１本ずつ交互に位置するように配列されている。換言すれば、第１バスバー６および複数の第１電極指８からなる櫛歯状電極と、第２バスバー７および複数の第２電極指９からなる櫛歯状電極とが、それぞれの電極指が互いに噛み合うようにして配置されている。
【００２４】
磁性膜２を伝搬する静磁波の波長をλとすると第１電極指８と第２電極指９の中心間距離ｐは、例えば、λ／２に設定されている。具体的に中心間距離ｐは、例えば、２．５μｍ〜１２．５μｍである。また、静磁波素子１の使用時において第１バスバー６と第２バスバー７には異なる電位が印加される。
【００２５】
なお、図１などは模式図であることから数本の電極指を有する１対の櫛歯状電極を示しているが、実際にはこれよりも多数の電極指を有する複数対の櫛歯状電極が設けられてよい。
【００２６】
励振電極５は、例えば、Ａｌ、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金、Ｃｕなどの導電性材料からなる。励振電極５の厚みは、例えば、１００〜５００ｎｍである。
【００２７】
ここで素子基板３の主面３ａのうち、第１バスバー６と第２バスバー７との間の領域および第１バスバー６と第２バスバー７との間の領域をｘ方向と平行な方向に延長した領域を第１領域Ｔ１としたときに磁性膜２は、第１領域Ｔ１にのみ設けられている。第１領域Ｔ１に磁性膜２が設けられていることによって、第１電極指８および第２電極指９はそのほとんどが磁性膜２の上に配置されていることになる。
【００２８】
所定の方向に磁化された磁性膜２の主面２ａにおいて、所定の間隔で配置された複数の第１電極指８および複数の第２電極指９に電流が流れると各電極指の周りに高周波磁界が発生する。そうすると磁性膜２において、電子スピンによる磁気モーメントに歳差運動が
発生し、その歳差運動を介してｘ方向に伝搬する静磁波が発生する。
【００２９】
静磁波には、表面静磁波モード（ＭＳＳＷ：MagnetoStatic Surface Wave）、体積前進静磁波モード（ＭＳＦＶＷ：MagnetoStatic Forward Volume Wave）、体積後退静磁波モ
ード（ＭＳＢＶＷ：MagnetoStatic Backward Volume Wave）の３つの基本モードが存在するが、直流磁場の方向を選択することによっていずれかのモードを選択することができる。具体的には、直流磁場の方向を磁性膜２の膜面（ｘｙ平面）に平行で、かつ静磁波の伝搬方向（ｘ方向）に対し垂直な方向（ｙ方向）に選ぶとＭＳＳＷの静磁波が発生する。また、直流磁場の方向を膜面に対し垂直で、かつ静磁波の伝搬方向に対しても垂直な方向（ｚ方向）に選ぶとＭＳＦＶＷの静磁波が発生する。また、直流磁場の方向を膜面に対し平行で、かつ静磁波の伝搬方向に対しても平行な方向（ｘ方向）に選ぶとＭＳＢＶＷの静磁波が発生する。
【００３０】
静磁波素子１においてはＭＳＳＷを利用している。すなわち直流磁場はｙ方向に印加されている。直流磁場は、例えば、静磁波素子１の製造プロセスにおいて磁性膜２に対して印加される。あるいは静磁波素子１を搭載した静磁波装置に磁性膜２を挟む位置に一対の磁石を設けるようにしてもよい。
【００３１】
静磁波素子１では、磁性膜２が第１領域Ｔ１にのみ形成されていることから、第１バスバー６および第２バスバー７は素子基板３の主面３ａのうち第１領域Ｔ１以外の領域である第２領域Ｔ２に位置することになる。すなわち、第１バスバー６と第２バスバー７の下には磁性膜２が存在しない。仮に第１バスバー６および第２バスバー７の下にも磁性膜２が形成されているとすると、その部分の磁性膜２にはＭＳＳＷとは異なるモードの静磁波が発生したり、不要な磁気共鳴が発生したりすることが懸念される。ＭＳＳＷとは異なるモードの静磁波や不要な磁気共鳴は、リップルなどの発生要因となり共振特性の劣化を招く。
【００３２】
これに対し、静磁波素子１によれば磁性膜２が第１領域Ｔ１にのみ形成されていることから、第１、第２バスバーの直下領域においてＭＳＳＷとは異なるモードの静磁波の発生、あるいは不要な磁気共鳴の発生が抑制されるため共振特性の劣化を抑制することができる。よってこのような静磁波素子１を用いてフィルタを構成することによって損失を小さく抑えることができるなどフィルタの特性を向上させることができる。
【００３３】
また磁性膜２のｘ方向における端部は、複数の第１電極指８および複数の第２電極指９のうちｘ方向において端に位置する電極指の中心からλ／４だけ外側に位置している。すなわち、図１における距離ｄはλ／４である。これによって磁性膜２のｘ方向における端において定在波が発生しやすいように静磁波の反射が起こり、静磁波素子１の共振を大きくすることができる。なお、距離ｄはλ／４＋ｎλ（ｎは正の整数）の範囲で変更されてよい。
【００３４】
図２は図１のＡ−Ａ’線における断面図である。同図に示すように励振電極５は保護層１０によって被覆されている。保護層１０は、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素、またはシリコンによって形成されている。保護層１０の厚さは、例えば、励振電極５の厚さの１／１０程度（１０〜３０ｎｍ）、または励振電極５よりも厚く、２００ｎｍ〜１５００ｎｍである。これによって励振電極５の腐食等が抑制される。
【００３５】
（静磁波素子の製造方法）
図３（ａ）乃至図３（ｃ）は、静磁波素子１の製造方法を説明する断面図である。なお、図３（ａ）乃至図３（ｃ）の断面図は、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【００３６】
静磁波素子１の製造方法に対応する図３（ａ）乃至図３（ｃ）の工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって素子基板３となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、多数個分の静磁波素子１が形成される。ただし、図３（ａ）乃至図３（ｃ）では、１つの静磁波素子１に対応する部分のみを図示する。
【００３７】
図３（ａ）に示すように、まず、素子基板３の主面３ａ上には、磁性膜２が形成される。例えば、素子基板３がシリコンからなり、磁性膜２がパーマロイからなる場合には、磁性膜２に対応する開口部を有するレジスト層を素子基板３の主面３ａに形成し、その上からスパッタリング法、蒸着法などの薄膜形成方法によって、パーマロイの膜を形成する。その後、レジスト層を除去することにより磁性膜２が形成される。なお磁性膜２の形成方法はこれに限らず、メタルマスクを使用する方法、ドライエッチングを利用する方法なども可能である。
【００３８】
このように磁性膜２を形成した段階において、素子基板３を例えば一対の電磁石の間に配置するなどして磁性膜２の磁化を行う。このときに印加される磁場の大きさは、例えば、２Ｏｅ〜１０００Ｏｅである。
【００３９】
次に、図３（ｂ）に示すように、励振電極５が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などの薄膜形成法に
よって、素子基板３の主面３ａおよび磁性膜２の主面２ａに金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置とを用いたフォトリソグラフィー法などによりパターニングが行われる。これにより、素子基板３の主面３ａに第１バスバー６および第２バスバー７が形成され、磁性膜２の主面２ａに第１電極指８および第２電極指９が形成され、励振電極５が完成する。なお、励振電極５の形成と同時にパッド４および接続配線１１の形成も行なわれる。
【００４０】
次に、図３（ｃ）に示すように、保護層１０が形成される。具体的には、まず、適宜な薄膜形成法により保護層１０となる薄膜が形成される。薄膜形成法は、例えば、スパッタリング法もしくはＣＶＤである。次に、パッド４が露出するようにＲＩＥ等によって薄膜の一部が除去される。これにより保護層１０が形成される。以上の工程を経て静磁波素子１が完成する。
【００４１】
（静磁波装置の構成）
図４は、静磁波素子１が実装された本発明の第１実施形態に係る静磁波装置５１を示す断面図である。
【００４２】
静磁波装置５１は、実装基板５３と、実装基板５３の実装面上に設けられたパッド５５と、パッド５５上に配置されたバンプ５７と、バンプ５７を介して実装面に実装された静磁波素子１と、静磁波素子１を封止する樹脂層５９とを有している。静磁波装置５１は、静磁波素子１によって構成されるフィルタを少なくとも１つ備えたデュプレクサを構成している。
【００４３】
実装基板５３は、例えば、セラミック基板、プリント配線板などからなり、１層板であってもよいし、２層以上の多層板であってもよい。実装基板５３の内部には内部配線５２が形成されている。内部配線５２は、例えば、インダクタンス、キャパシタンスなどを形成している。このインダクタンスおよびキャパシタンスは、例えば、デュプレクサの整合回路を構成する。
【００４４】
実装基板５３の下面には、外部接続端子５６が設けられている。外部接続端子５６と静磁波素子１とは、実装基板５３の内部に形成されたビア導体５４などを介して電気的に接続されている。
【００４５】
バンプ５７は、静磁波素子１のパッド４および実装基板５３のパッド５５の両方に当接している。バンプ５７は、加熱によって溶融してパッド４に接着される金属によって形成されている。バンプ５７は、例えば、はんだからなる。はんだは、Ｐｂ−Ｓｎ合金はんだ等の鉛を用いたはんだであってもよいし、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ、Ａｕ−Ｇｅ合金はんだ、Ｓｎ−Ａｇ合金はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ合金はんだ等の鉛フリーはんだであってもよい。
【００４６】
樹脂層５９は、例えば、エポキシ樹脂、硬化材およびフィラーを主成分としている。樹脂層５９は、静磁波素子全体を覆うようにして、静磁波素子１と実装基板５３との間にも充填されている。
【００４７】
なお、静磁波装置５１としては、例えば、実装基板５３に静磁波素子１以外にもＩＣ等が実装されることによってデュプレクサモジュールを構成してもよい。
【００４８】
（変形例）
図５は第１の実施形態における静磁波素子１の変形例を示す平面図である。
【００４９】
この変形例にかかる静磁波素子１は、第１電極指８の他方端が第２バスバー７に接続され、第２電極指９の他方端が第１バスバー６に接続されている。よって、励振電極５は全体でみるとはしご型の形状になっている。このときの第１電極指８と第２電極指９との中心間距離ｐ４はλ（λは静磁波の波長）に設定され、例えば、４μｍである。
【００５０】
＜第２の実施形態＞
図６は、第２の実施形態の静磁波素子２０を示す平面図である。静磁波素子２０は、磁性膜２の形成領域が第１の実施形態の静磁波素子１とは異なっている。
【００５１】
具体的には、静磁波素子２０では、磁性膜２が第１領域Ｔ１の中の第１電極指８と第２電極指９との交差領域Ｔ３にのみ設けられている。このように磁性膜２を交差領域Ｔ３にのみ形成することによって、第１電極指８と第２電極指９との非交差領域（第１領域Ｔ１から交差領域Ｔ３を除いた領域）において所望のモード（静磁波素子２０ではＭＳＳＷ）と異なるモードの静磁波が発生するのが抑制され、共振特性をより向上させることができる。なお、交差領域とは、第１電極指８を静磁波の伝搬方向（ｘ方向）に延長したときに第２電極指９と重なる領域のこという。
【００５２】
＜第３の実施形態＞
図７は、第３の実施形態の静磁波素子３０を示す、図２に対応する断面図である。
【００５３】
静磁波素子３０は、第１電極指８および第２電極指９と磁性膜２との間に介在した絶縁層３１をさらに有するものである。絶縁層３１は、例えば、ＳｉＯ２などの絶縁材料からなり、磁性膜２の全体を被覆している。絶縁層３１を設けることによって、第１電極指８および第２電極指９に流れる電流の磁性膜２への漏れが抑制される。これによって静磁波素子３０の共振特性を向上させることができる。かかる絶縁層３１は、磁性膜２がパーマロイなどの導電性を有する磁性材料からなる場合に特に有効である。
【００５４】
＜第４の実施形態＞
図８は、第３の実施形態の静磁波素子４０を示す平面図である。静磁波素子４０は、励振電極５のｘ方向に沿った両端に一対の枠状電極１５を有している。
【００５５】
枠状電極１５は第１電極指８および第２電極指９のうち端に位置する電極指に隣接する位置にある第１線状部１６と、第１線状部１６に隣接する第２線状部１７と、第１線状部１６と第２線状部１７との両端同士を接続する接続部１８とから構成されており、全体として閉じた枠状の電極となっている。
【００５６】
第１線状部１６および第２線状部１７のｘ方向の幅は、例えば、第１電極指８および第２電極指９の幅と同じである。また、第１線状部１６および第２線状部１７のｙ方向の長さは、例えば、第１電極指８と第２電極指９との交差幅以上である。
【００５７】
枠状電極１５の第１線状部１６は、第１線状部１６に隣接する電極指から静磁波の１波長分の間隔をあけて配置されている。この位置に第１線状部１６を配置することによって静磁波素子４０の共振特性が向上すると考えられる。この理由を図９を用いて説明する。
【００５８】
図９は図８のｉＸ−ｉＸ線に対応する部分の断面模式図である。図９において、線Ｌはある瞬間における磁性膜２を伝わる静磁波であり、磁性膜２に記した「＋」は、静磁波の山に当たる部分であり、「−」は静磁波の谷に当たる部分である。一方、第１電極指８、第２電極指９、第１線状部１６および第２線状部１７に示した「±」は、その瞬間における電流の向きであり、「＋」の向きの電流と「−」の向きの電流とは互いに反対方向に流れていることを示す。なお、第１電極指８および第２電極指９に流れる電流は交流であり、たえずその向きが交互に変化している。
【００５９】
第１電極指８とこれに隣接する第２電極指９との中心間距離ｐは、第１の実施形態と同様に、静磁波の半波長に相当する距離、すなわち、λ／２に設定されている。第１電極指８と第２電極指９とをこのように配置することによって、図９に示すように１次モードの静磁波が励振される。このとき「＋」の方向に電流が流れている電極指（図９における第２電極指９）が磁性膜中に形成する磁場は、その電極指の下に山が位置している静磁波と強く結合する。同様に「−」の方向に電流が流れている電極指（図９における第１電極指８）が磁性膜中に形成する磁場は、その電極指の下に谷が位置している静磁波と強く結合する。電極指が磁性膜２に形成する磁場と静磁波との結合が強いほど、換言すれば、電極指が磁性膜２に形成する磁場と静磁波との重なり積分が大きいほど共振が大きくなる。
【００６０】
一方、枠状電極１５の第１線状部１６には、その第１線状部１６に隣接する第２電極指９に流れる電流とは逆方向に電流が流れる。この第１線状部１６に流れる電流は、第１電極指８および第２電極指９の周囲に形成される磁場の変化による誘導電流である。
【００６１】
ここで第１線状部１６は、隣接する第２電極指９からλ（＝２ｐ）だけ離れて位置している。換言すれば、第１線状部１６と第２電極指９との中心間距離はλである。この場合には、「−」の方向に電流が流れている第１線状部１６の下には静磁波の山が位置することになり、第１線状部１６が磁性膜２に形成する磁場と静磁波との結合は弱くなる。すなわち、この部分における第１線状部１６が形成する磁場と静磁波との重なり積分は小さくなる。このような場所では磁性膜２に発生した静磁波が外部に漏れにくくなるため、伝搬損失が小さくなり、共振子の共振特性が向上すると考えられる。
【００６２】
また、第１線状部１６に接続された第２線状部１７の第１線状部１６からの間隔をλ／２（＝ｐ）としておけば、第２線状部１７の下側でも磁場と静磁波との重なり積分が小さくなるため、静磁波の漏れをさらに抑制できると考えられる。
【００６３】
図８では磁性膜２に１つの共振子が配置されている例を示したが、磁性膜２に複数の共振子を配置する場合には、隣接する共振子の間に枠状電極１５を配置しておけば、一方の
共振子の静磁波が他方の共振子側に伝搬するのを枠状電極１５で抑制することができ、共振子間において静磁波が干渉するのを抑制することができる。
【００６４】
なお、静磁波素子４０では第１線状部１６を隣接する第２電極指９からλだけ離れた位置に配置したが、ｍλ（ｍは正の整数）だけ離れた位置に配置すれば同様の効果が得られると考えられる。
【００６５】
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよく、また上述した実施形態は、適宜に組み合わされてよい。
【００６６】
例えば、第１実施形態における変形例は、第２実施形態の静磁波素子２０および第３実施形態の静磁波素子３０にも適用可能である。
【符号の説明】
【００６７】
１・・・静磁波素子
２・・・磁性膜
３・・・素子基板
４・・・パッド
５・・・励振電極
６・・・第１バスバー
７・・・第２バスバー
８・・・第１電極指
９・・・第２電極指
１０・・・保護層
Ｔ１・・・第１領域
Ｔ２・・・第２領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルタを構成する共振子などに使用される静磁波素子および静磁波装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より携帯電話をはじめとする無線通信機器などには、特定の周波数帯域の電気信号の取り出しなどを行うデバイスとして弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）を
利用したものが広く使用されている。
【０００３】
ＳＡＷデバイスは、圧電基板上にＩＤＴ（InterDigital Transducer）電極を形成した
構造をなしている。
【０００４】
近年、無線通信機器などではより高周波の電気信号を利用するようになってきており、例えば、２．５ＧＨｚ以上の周波数帯域を利用するようなものも考えられている。それに伴い携帯電話に使用されるフィルタなどにも高周波化に対応したものが求められる。
【０００５】
しかしながら、ＳＡＷを利用したデバイスにおいて、２．５ＧＨｚを超えるような高周波に対応させようとすると、ＩＤＴ電極を構成する電極指間の間隔を非常に狭くしなければならず、歩留まり良くＳＡＷデバイスを製造することが困難となってくる。また、電極指自体が小さくなることによって電気抵抗が増大し、例えば、フィルタの挿入損失などの要求特性を満たすことが困難となってくる。
【０００６】
一方、ＳＡＷを利用したものでなく磁性膜中を伝搬する静磁波を利用したデバイスが従来から知られている。静磁波を利用したデバイスは、素子基板と素子基板の主面に形成された磁性膜と、磁性膜上に形成された励振電極とから構成されている（例えば、特許文献１の図７参照）。
【０００７】
かかる静磁波を利用したデバイスは、静磁波の伝搬速度がＳＡＷよりも速いため、ＳＡＷを利用したデバイスよりも高周波化に対応しやすい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平７−２２０９２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら従来の静磁波を利用したデバイスにおいては、フィルタを構成するための共振子として使用する観点からの十分な考察がなされておらず、いずれも十分な共振特性が得られるものとはいいがたい。
【００１０】
したがって十分な共振特性が得られる静磁波素子および静磁波装置が提供されることが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様としての静磁波素子は、素子基板と、前記素子基板の主面上に位置する磁性膜と、一部が前記磁性膜上に位置する励振電極と、を備えた静磁波素子であって、前記励振電極は、前記素子基板の主面上に位置した第１バスバーと、前記第１バスバーと対
向するようにして前記素子基板の主面上に位置した第２バスバーと、一方端が前記第１バスバーに接続されて前記第１バスバーから前記第２バスバーに向かう第１方向に伸びている少なくとも１つの第１電極指と、一方端が前記第２バスバーに接続されて前記第１方向と反対方向に伸びている少なくとも１つの第２電極指とを含み、前記素子基板の主面のうち、前記第１バスバーと前記第２バスバーとの間の領域および前記第１バスバーと前記第２バスバーとの間の領域を前記第１方向と直交する第２方向に延長した領域を第１領域とし、該第１領域以外の領域を第２領域としたときに、前記磁性膜が前記第１領域にのみ設けられているものである。
【００１２】
本発明の一態様としての静磁波装置は、上記の静磁波素子と、前記静磁波素子が実装された実装基板と、前記静磁波素子を被覆する樹脂層とを備えたものである。
【発明の効果】
【００１３】
上記の構成からなる静磁波素子および静磁波装置は、磁性膜が第１バスバーと第２バスバーとの間の領域である第１領域にのみ設けられていることから、第１バスバーおよび第２バスバーの直下の領域における不要な磁気共鳴の発生、あるいは別のモードの静磁波の発生が抑制され、共振特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る静磁波素子の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図３】（ａ）から（ｃ）は、図１の静磁波素子の製造方法を説明する断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る静磁波装置の断面図である。
【図５】第１の実施形態の変形例に係る静磁波素子の平面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る静磁波素子の平面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る静磁波素子の断面図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係る静磁波素子の平面図である。
【図９】図９に示す静磁波素子のｉＸ−ｉＸ線における断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態に係る静磁波素子および静磁波装置について図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００１６】
第２の実施形態以降において、既に説明された実施形態と共通または類似する構成については、既に説明された実施形態と共通の符号を用い、図示や説明を省略することがある。
【００１７】
＜第１の実施形態＞
（静磁波素子の構成）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る共振子としての静磁波素子１の平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ’線における断面図である。
【００１８】
静磁波素子１は、素子基板３と、素子基板３の主面３ａ上に設けられた磁性膜２と、素子基板３の主面３ａおよび磁性膜２の主面２ａに設けられた励振電極５とを有している。また、素子基板３の主面３ａには、励振電極５と電気的に接続されるパッド４、励振電極５とパッド４との接続を行う接続配線１１が形成されている。なお、図１では素子基板３の主面３ａに１つの励振電極５が設けられている例を示しているが、素子基板３の主面３ａには複数の励振電極５が形成されてよい。
【００１９】
素子基板３は、例えば、シリコン基板、ガドリウム−ガリウム−ガーネット（ＧＧＧ）基板などの非磁性材料からなる基板である。素子基板３は、例えば、直方体状に形成されている。素子基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さ（Ｚ方向）は０．２ｍｍ〜０．５ｍｍであり、１辺の長さ（ｘ方向またはｙ方向）は０．５ｍｍ〜３ｍｍである。
【００２０】
素子基板３の主面３ａには、磁性膜２が形成されている。磁性膜２は、例えば、ニッケル鉄合金（パーマロイ)、イットリウム−鉄−ガーネット（ＹＩＧ)などからなる。磁性膜２の厚みは、例えば、２０ｎｍ〜１００ｎｍである。磁性膜２には所定の方向に直流磁場が印加されており、これによって磁性膜２は磁化している。
【００２１】
磁性膜２は後述するように素子基板３の主面３ａのうち特定の領域にのみ形成されている。
【００２２】
励振電極５は、例えば、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極であり、一対の櫛歯
状電極を有している。具体的には、励振電極５はｘ方向に伸びている第１バスバー６と、第１バスバー６に対向して配置され、ｘ方向に伸びている第２バスバー７と、一方端が第１バスバー６に接続されて第１バスバー６から第２バスバー７に向かう第１方向（ｙ方向）に伸びている複数の第１電極指８と、一方端が第２バスバー７に接続されて第２バスバー７から第１バスバー６に向かう方向（−ｙ方向）に伸びている複数の第２電極指９を有している。
【００２３】
静磁波素子１において、複数の第１電極指８と複数の第２電極指９とは、ｘ方向にみたときに第１電極指８と第２電極指９とが１本ずつ交互に位置するように配列されている。換言すれば、第１バスバー６および複数の第１電極指８からなる櫛歯状電極と、第２バスバー７および複数の第２電極指９からなる櫛歯状電極とが、それぞれの電極指が互いに噛み合うようにして配置されている。
【００２４】
磁性膜２を伝搬する静磁波の波長をλとすると第１電極指８と第２電極指９の中心間距離ｐは、例えば、λ／２に設定されている。具体的に中心間距離ｐは、例えば、２．５μｍ〜１２．５μｍである。また、静磁波素子１の使用時において第１バスバー６と第２バスバー７には異なる電位が印加される。
【００２５】
なお、図１などは模式図であることから数本の電極指を有する１対の櫛歯状電極を示しているが、実際にはこれよりも多数の電極指を有する複数対の櫛歯状電極が設けられてよい。
【００２６】
励振電極５は、例えば、Ａｌ、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金、Ｃｕなどの導電性材料からなる。励振電極５の厚みは、例えば、１００〜５００ｎｍである。
【００２７】
ここで素子基板３の主面３ａのうち、第１バスバー６と第２バスバー７との間の領域および第１バスバー６と第２バスバー７との間の領域をｘ方向と平行な方向に延長した領域を第１領域Ｔ１としたときに磁性膜２は、第１領域Ｔ１にのみ設けられている。第１領域Ｔ１に磁性膜２が設けられていることによって、第１電極指８および第２電極指９はそのほとんどが磁性膜２の上に配置されていることになる。
【００２８】
所定の方向に磁化された磁性膜２の主面２ａにおいて、所定の間隔で配置された複数の第１電極指８および複数の第２電極指９に電流が流れると各電極指の周りに高周波磁界が発生する。そうすると磁性膜２において、電子スピンによる磁気モーメントに歳差運動が
発生し、その歳差運動を介してｘ方向に伝搬する静磁波が発生する。
【００２９】
静磁波には、表面静磁波モード（ＭＳＳＷ：MagnetoStatic Surface Wave）、体積前進静磁波モード（ＭＳＦＶＷ：MagnetoStatic Forward Volume Wave）、体積後退静磁波モ
ード（ＭＳＢＶＷ：MagnetoStatic Backward Volume Wave）の３つの基本モードが存在するが、直流磁場の方向を選択することによっていずれかのモードを選択することができる。具体的には、直流磁場の方向を磁性膜２の膜面（ｘｙ平面）に平行で、かつ静磁波の伝搬方向（ｘ方向）に対し垂直な方向（ｙ方向）に選ぶとＭＳＳＷの静磁波が発生する。また、直流磁場の方向を膜面に対し垂直で、かつ静磁波の伝搬方向に対しても垂直な方向（ｚ方向）に選ぶとＭＳＦＶＷの静磁波が発生する。また、直流磁場の方向を膜面に対し平行で、かつ静磁波の伝搬方向に対しても平行な方向（ｘ方向）に選ぶとＭＳＢＶＷの静磁波が発生する。
【００３０】
静磁波素子１においてはＭＳＳＷを利用している。すなわち直流磁場はｙ方向に印加されている。直流磁場は、例えば、静磁波素子１の製造プロセスにおいて磁性膜２に対して印加される。あるいは静磁波素子１を搭載した静磁波装置に磁性膜２を挟む位置に一対の磁石を設けるようにしてもよい。
【００３１】
静磁波素子１では、磁性膜２が第１領域Ｔ１にのみ形成されていることから、第１バスバー６および第２バスバー７は素子基板３の主面３ａのうち第１領域Ｔ１以外の領域である第２領域Ｔ２に位置することになる。すなわち、第１バスバー６と第２バスバー７の下には磁性膜２が存在しない。仮に第１バスバー６および第２バスバー７の下にも磁性膜２が形成されているとすると、その部分の磁性膜２にはＭＳＳＷとは異なるモードの静磁波が発生したり、不要な磁気共鳴が発生したりすることが懸念される。ＭＳＳＷとは異なるモードの静磁波や不要な磁気共鳴は、リップルなどの発生要因となり共振特性の劣化を招く。
【００３２】
これに対し、静磁波素子１によれば磁性膜２が第１領域Ｔ１にのみ形成されていることから、第１、第２バスバーの直下領域においてＭＳＳＷとは異なるモードの静磁波の発生、あるいは不要な磁気共鳴の発生が抑制されるため共振特性の劣化を抑制することができる。よってこのような静磁波素子１を用いてフィルタを構成することによって損失を小さく抑えることができるなどフィルタの特性を向上させることができる。
【００３３】
また磁性膜２のｘ方向における端部は、複数の第１電極指８および複数の第２電極指９のうちｘ方向において端に位置する電極指の中心からλ／４だけ外側に位置している。すなわち、図１における距離ｄはλ／４である。これによって磁性膜２のｘ方向における端において定在波が発生しやすいように静磁波の反射が起こり、静磁波素子１の共振を大きくすることができる。なお、距離ｄはλ／４＋ｎλ（ｎは正の整数）の範囲で変更されてよい。
【００３４】
図２は図１のＡ−Ａ’線における断面図である。同図に示すように励振電極５は保護層１０によって被覆されている。保護層１０は、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ２など）、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素、またはシリコンによって形成されている。保護層１０の厚さは、例えば、励振電極５の厚さの１／１０程度（１０〜３０ｎｍ）、または励振電極５よりも厚く、２００ｎｍ〜１５００ｎｍである。これによって励振電極５の腐食等が抑制される。
【００３５】
（静磁波素子の製造方法）
図３（ａ）乃至図３（ｃ）は、静磁波素子１の製造方法を説明する断面図である。なお、図３（ａ）乃至図３（ｃ）の断面図は、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。
【００３６】
静磁波素子１の製造方法に対応する図３（ａ）乃至図３（ｃ）の工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって素子基板３となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、多数個分の静磁波素子１が形成される。ただし、図３（ａ）乃至図３（ｃ）では、１つの静磁波素子１に対応する部分のみを図示する。
【００３７】
図３（ａ）に示すように、まず、素子基板３の主面３ａ上には、磁性膜２が形成される。例えば、素子基板３がシリコンからなり、磁性膜２がパーマロイからなる場合には、磁性膜２に対応する開口部を有するレジスト層を素子基板３の主面３ａに形成し、その上からスパッタリング法、蒸着法などの薄膜形成方法によって、パーマロイの膜を形成する。その後、レジスト層を除去することにより磁性膜２が形成される。なお磁性膜２の形成方法はこれに限らず、メタルマスクを使用する方法、ドライエッチングを利用する方法なども可能である。
【００３８】
このように磁性膜２を形成した段階において、素子基板３を例えば一対の電磁石の間に配置するなどして磁性膜２の磁化を行う。このときに印加される磁場の大きさは、例えば、２Ｏｅ〜１０００Ｏｅである。
【００３９】
次に、図３（ｂ）に示すように、励振電極５が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などの薄膜形成法に
よって、素子基板３の主面３ａおよび磁性膜２の主面２ａに金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置とを用いたフォトリソグラフィー法などによりパターニングが行われる。これにより、素子基板３の主面３ａに第１バスバー６および第２バスバー７が形成され、磁性膜２の主面２ａに第１電極指８および第２電極指９が形成され、励振電極５が完成する。なお、励振電極５の形成と同時にパッド４および接続配線１１の形成も行なわれる。
【００４０】
次に、図３（ｃ）に示すように、保護層１０が形成される。具体的には、まず、適宜な薄膜形成法により保護層１０となる薄膜が形成される。薄膜形成法は、例えば、スパッタリング法もしくはＣＶＤである。次に、パッド４が露出するようにＲＩＥ等によって薄膜の一部が除去される。これにより保護層１０が形成される。以上の工程を経て静磁波素子１が完成する。
【００４１】
（静磁波装置の構成）
図４は、静磁波素子１が実装された本発明の第１実施形態に係る静磁波装置５１を示す断面図である。
【００４２】
静磁波装置５１は、実装基板５３と、実装基板５３の実装面上に設けられたパッド５５と、パッド５５上に配置されたバンプ５７と、バンプ５７を介して実装面に実装された静磁波素子１と、静磁波素子１を封止する樹脂層５９とを有している。静磁波装置５１は、静磁波素子１によって構成されるフィルタを少なくとも１つ備えたデュプレクサを構成している。
【００４３】
実装基板５３は、例えば、セラミック基板、プリント配線板などからなり、１層板であってもよいし、２層以上の多層板であってもよい。実装基板５３の内部には内部配線５２が形成されている。内部配線５２は、例えば、インダクタンス、キャパシタンスなどを形成している。このインダクタンスおよびキャパシタンスは、例えば、デュプレクサの整合回路を構成する。
【００４４】
実装基板５３の下面には、外部接続端子５６が設けられている。外部接続端子５６と静磁波素子１とは、実装基板５３の内部に形成されたビア導体５４などを介して電気的に接続されている。
【００４５】
バンプ５７は、静磁波素子１のパッド４および実装基板５３のパッド５５の両方に当接している。バンプ５７は、加熱によって溶融してパッド４に接着される金属によって形成されている。バンプ５７は、例えば、はんだからなる。はんだは、Ｐｂ−Ｓｎ合金はんだ等の鉛を用いたはんだであってもよいし、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ、Ａｕ−Ｇｅ合金はんだ、Ｓｎ−Ａｇ合金はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ合金はんだ等の鉛フリーはんだであってもよい。
【００４６】
樹脂層５９は、例えば、エポキシ樹脂、硬化材およびフィラーを主成分としている。樹脂層５９は、静磁波素子全体を覆うようにして、静磁波素子１と実装基板５３との間にも充填されている。
【００４７】
なお、静磁波装置５１としては、例えば、実装基板５３に静磁波素子１以外にもＩＣ等が実装されることによってデュプレクサモジュールを構成してもよい。
【００４８】
（変形例）
図５は第１の実施形態における静磁波素子１の変形例を示す平面図である。
【００４９】
この変形例にかかる静磁波素子１は、第１電極指８の他方端が第２バスバー７に接続され、第２電極指９の他方端が第１バスバー６に接続されている。よって、励振電極５は全体でみるとはしご型の形状になっている。このときの第１電極指８と第２電極指９との中心間距離ｐ４はλ（λは静磁波の波長）に設定され、例えば、４μｍである。
【００５０】
＜第２の実施形態＞
図６は、第２の実施形態の静磁波素子２０を示す平面図である。静磁波素子２０は、磁性膜２の形成領域が第１の実施形態の静磁波素子１とは異なっている。
【００５１】
具体的には、静磁波素子２０では、磁性膜２が第１領域Ｔ１の中の第１電極指８と第２電極指９との交差領域Ｔ３にのみ設けられている。このように磁性膜２を交差領域Ｔ３にのみ形成することによって、第１電極指８と第２電極指９との非交差領域（第１領域Ｔ１から交差領域Ｔ３を除いた領域）において所望のモード（静磁波素子２０ではＭＳＳＷ）と異なるモードの静磁波が発生するのが抑制され、共振特性をより向上させることができる。なお、交差領域とは、第１電極指８を静磁波の伝搬方向（ｘ方向）に延長したときに第２電極指９と重なる領域のこという。
【００５２】
＜第３の実施形態＞
図７は、第３の実施形態の静磁波素子３０を示す、図２に対応する断面図である。
【００５３】
静磁波素子３０は、第１電極指８および第２電極指９と磁性膜２との間に介在した絶縁層３１をさらに有するものである。絶縁層３１は、例えば、ＳｉＯ２などの絶縁材料からなり、磁性膜２の全体を被覆している。絶縁層３１を設けることによって、第１電極指８および第２電極指９に流れる電流の磁性膜２への漏れが抑制される。これによって静磁波素子３０の共振特性を向上させることができる。かかる絶縁層３１は、磁性膜２がパーマロイなどの導電性を有する磁性材料からなる場合に特に有効である。
【００５４】
＜第４の実施形態＞
図８は、第３の実施形態の静磁波素子４０を示す平面図である。静磁波素子４０は、励振電極５のｘ方向に沿った両端に一対の枠状電極１５を有している。
【００５５】
枠状電極１５は第１電極指８および第２電極指９のうち端に位置する電極指に隣接する位置にある第１線状部１６と、第１線状部１６に隣接する第２線状部１７と、第１線状部１６と第２線状部１７との両端同士を接続する接続部１８とから構成されており、全体として閉じた枠状の電極となっている。
【００５６】
第１線状部１６および第２線状部１７のｘ方向の幅は、例えば、第１電極指８および第２電極指９の幅と同じである。また、第１線状部１６および第２線状部１７のｙ方向の長さは、例えば、第１電極指８と第２電極指９との交差幅以上である。
【００５７】
枠状電極１５の第１線状部１６は、第１線状部１６に隣接する電極指から静磁波の１波長分の間隔をあけて配置されている。この位置に第１線状部１６を配置することによって静磁波素子４０の共振特性が向上すると考えられる。この理由を図９を用いて説明する。
【００５８】
図９は図８のｉＸ−ｉＸ線に対応する部分の断面模式図である。図９において、線Ｌはある瞬間における磁性膜２を伝わる静磁波であり、磁性膜２に記した「＋」は、静磁波の山に当たる部分であり、「−」は静磁波の谷に当たる部分である。一方、第１電極指８、第２電極指９、第１線状部１６および第２線状部１７に示した「±」は、その瞬間における電流の向きであり、「＋」の向きの電流と「−」の向きの電流とは互いに反対方向に流れていることを示す。なお、第１電極指８および第２電極指９に流れる電流は交流であり、たえずその向きが交互に変化している。
【００５９】
第１電極指８とこれに隣接する第２電極指９との中心間距離ｐは、第１の実施形態と同様に、静磁波の半波長に相当する距離、すなわち、λ／２に設定されている。第１電極指８と第２電極指９とをこのように配置することによって、図９に示すように１次モードの静磁波が励振される。このとき「＋」の方向に電流が流れている電極指（図９における第２電極指９）が磁性膜中に形成する磁場は、その電極指の下に山が位置している静磁波と強く結合する。同様に「−」の方向に電流が流れている電極指（図９における第１電極指８）が磁性膜中に形成する磁場は、その電極指の下に谷が位置している静磁波と強く結合する。電極指が磁性膜２に形成する磁場と静磁波との結合が強いほど、換言すれば、電極指が磁性膜２に形成する磁場と静磁波との重なり積分が大きいほど共振が大きくなる。
【００６０】
一方、枠状電極１５の第１線状部１６には、その第１線状部１６に隣接する第２電極指９に流れる電流とは逆方向に電流が流れる。この第１線状部１６に流れる電流は、第１電極指８および第２電極指９の周囲に形成される磁場の変化による誘導電流である。
【００６１】
ここで第１線状部１６は、隣接する第２電極指９からλ（＝２ｐ）だけ離れて位置している。換言すれば、第１線状部１６と第２電極指９との中心間距離はλである。この場合には、「−」の方向に電流が流れている第１線状部１６の下には静磁波の山が位置することになり、第１線状部１６が磁性膜２に形成する磁場と静磁波との結合は弱くなる。すなわち、この部分における第１線状部１６が形成する磁場と静磁波との重なり積分は小さくなる。このような場所では磁性膜２に発生した静磁波が外部に漏れにくくなるため、伝搬損失が小さくなり、共振子の共振特性が向上すると考えられる。
【００６２】
また、第１線状部１６に接続された第２線状部１７の第１線状部１６からの間隔をλ／２（＝ｐ）としておけば、第２線状部１７の下側でも磁場と静磁波との重なり積分が小さくなるため、静磁波の漏れをさらに抑制できると考えられる。
【００６３】
図８では磁性膜２に１つの共振子が配置されている例を示したが、磁性膜２に複数の共振子を配置する場合には、隣接する共振子の間に枠状電極１５を配置しておけば、一方の
共振子の静磁波が他方の共振子側に伝搬するのを枠状電極１５で抑制することができ、共振子間において静磁波が干渉するのを抑制することができる。
【００６４】
なお、静磁波素子４０では第１線状部１６を隣接する第２電極指９からλだけ離れた位置に配置したが、ｍλ（ｍは正の整数）だけ離れた位置に配置すれば同様の効果が得られると考えられる。
【００６５】
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよく、また上述した実施形態は、適宜に組み合わされてよい。
【００６６】
例えば、第１実施形態における変形例は、第２実施形態の静磁波素子２０および第３実施形態の静磁波素子３０にも適用可能である。
【符号の説明】
【００６７】
１・・・静磁波素子
２・・・磁性膜
３・・・素子基板
４・・・パッド
５・・・励振電極
６・・・第１バスバー
７・・・第２バスバー
８・・・第１電極指
９・・・第２電極指
１０・・・保護層
Ｔ１・・・第１領域
Ｔ２・・・第２領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板と、該素子基板の主面上に位置する磁性膜と、一部が該磁性膜上に位置する励振電極とを備えた静磁波素子であって、
前記励振電極は、前記素子基板の主面上に位置した第１バスバーと、該第１バスバーに対向するようにして前記素子基板の主面上に位置した第２バスバーと、一方端が前記第１バスバーに接続されて前記第１バスバーから前記第２バスバーに向かう第１方向に伸びている少なくとも１つの第１電極指と、一方端が前記第２バスバーに接続されて前記第１方向と反対方向に伸びている少なくとも１つの第２電極指とを含み、
前記素子基板の主面のうち、前記第１バスバーと前記第２バスバーとの間の領域および前記第１バスバーと前記第２バスバーとの間の領域を前記第１方向と直交する第２方向に延長した領域を第１領域とし、該第１領域以外の領域を第２領域としたときに、前記磁性膜が前記第１領域にのみ設けられている静磁波素子。
【請求項２】
前記磁性膜が、前記第１領域のうち前記第１電極指と前記第２電極指との交差領域にのみ設けられている請求項１に記載の静磁波素子。
【請求項３】
前記第１電極指と該第１電極指に隣接する第２電極指との電極指間隔がλ／２（λは前記磁性膜を伝搬する静磁波の波長）であり、前記磁性膜の前記第２方向における端部が、前記第１電極指および前記第２電極指のうち前記第２方向において端に位置する電極指からλ／４＋ｎλ（ｎは正の整数）だけ外側に位置している請求項１または２に記載の静磁波素子。
【請求項４】
前記第１電極指および前記第２電極指と前記磁性膜との間に介在した絶縁層をさらに備えた請求項１乃至３のいずれか１項に記載の静磁波素子。
【請求項５】
前記励振電極の前記第２方向における両端の少なくとも一方側に配置された枠状電極をさらに備え、
前記第１電極指と該第１電極指に隣接する第２電極指との電極指間隔がλ／２（λは前記磁性膜を伝搬する静磁波の波長）であり、
前記枠状電極は、前記第１電極指および前記第２電極指のうち該枠状電極が配置された側の端に位置する電極指に隣接するとともに前記第１方向に伸びている第１線状部を有し、該第１線状部と前記枠状電極が配置された側の端に位置する前記電極指との間隔がｍλ（ｍは正の整数）である請求項１に記載の静磁波素子。
【請求項６】
前記枠状電極は、前記第１線状部に対して前記励振電極が配置された側とは反対側に隣接するとともに前記第１方向に伸びている第２線状部を有しており、
前記第１線状部と前記第２線状部との間隔がλ／２である請求項５に記載の静磁波素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の静磁波素子と、
該静磁波素子が実装された実装基板と、
前記静磁波素子を被覆する樹脂層とを備えた静磁波装置。
【請求項１】
素子基板と、該素子基板の主面上に位置する磁性膜と、一部が該磁性膜上に位置する励振電極とを備えた静磁波素子であって、
前記励振電極は、前記素子基板の主面上に位置した第１バスバーと、該第１バスバーに対向するようにして前記素子基板の主面上に位置した第２バスバーと、一方端が前記第１バスバーに接続されて前記第１バスバーから前記第２バスバーに向かう第１方向に伸びている少なくとも１つの第１電極指と、一方端が前記第２バスバーに接続されて前記第１方向と反対方向に伸びている少なくとも１つの第２電極指とを含み、
前記素子基板の主面のうち、前記第１バスバーと前記第２バスバーとの間の領域および前記第１バスバーと前記第２バスバーとの間の領域を前記第１方向と直交する第２方向に延長した領域を第１領域とし、該第１領域以外の領域を第２領域としたときに、前記磁性膜が前記第１領域にのみ設けられている静磁波素子。
【請求項２】
前記磁性膜が、前記第１領域のうち前記第１電極指と前記第２電極指との交差領域にのみ設けられている請求項１に記載の静磁波素子。
【請求項３】
前記第１電極指と該第１電極指に隣接する第２電極指との電極指間隔がλ／２（λは前記磁性膜を伝搬する静磁波の波長）であり、前記磁性膜の前記第２方向における端部が、前記第１電極指および前記第２電極指のうち前記第２方向において端に位置する電極指からλ／４＋ｎλ（ｎは正の整数）だけ外側に位置している請求項１または２に記載の静磁波素子。
【請求項４】
前記第１電極指および前記第２電極指と前記磁性膜との間に介在した絶縁層をさらに備えた請求項１乃至３のいずれか１項に記載の静磁波素子。
【請求項５】
前記励振電極の前記第２方向における両端の少なくとも一方側に配置された枠状電極をさらに備え、
前記第１電極指と該第１電極指に隣接する第２電極指との電極指間隔がλ／２（λは前記磁性膜を伝搬する静磁波の波長）であり、
前記枠状電極は、前記第１電極指および前記第２電極指のうち該枠状電極が配置された側の端に位置する電極指に隣接するとともに前記第１方向に伸びている第１線状部を有し、該第１線状部と前記枠状電極が配置された側の端に位置する前記電極指との間隔がｍλ（ｍは正の整数）である請求項１に記載の静磁波素子。
【請求項６】
前記枠状電極は、前記第１線状部に対して前記励振電極が配置された側とは反対側に隣接するとともに前記第１方向に伸びている第２線状部を有しており、
前記第１線状部と前記第２線状部との間隔がλ／２である請求項５に記載の静磁波素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の静磁波素子と、
該静磁波素子が実装された実装基板と、
前記静磁波素子を被覆する樹脂層とを備えた静磁波装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１３−１１０７３５（Ｐ２０１３−１１０７３５Ａ）
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２１０４３６（Ｐ２０１２−２１０４３６）
【出願日】平成２４年９月２５日（２０１２．９．２５）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年９月２５日（２０１２．９．２５）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
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