説明

LED駆動回路

【課題】光源として複数のLEDを直列接続したLED列を備え、LED列を脈流で駆動するLED駆動回路において、回路電流波形に含まれる比較的低次の高調波成分を低減させる。
【解決手段】LED列120の脈流電圧を印加する端子(アノード)に接続する第1のバイパス回路110を備える。この第1のバイパス回路はLED列120に電流が流れない期間では脈流電圧とともに第1のバイパス電流を増減させる。またLED列120に電流が流れる期間では第1のバイパス電流が無くなる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、光源として複数のLEDを直列接続したLED列を備えるLED駆動回路に関する。
【背景技術】
【0002】
商用交流電源を全波整流して得られる脈流または脈流に近い電圧波形でLED(発光ダイオードともいう)を点灯させるLED駆動回路が知られている。このLED駆動回路で駆動されるLEDは、高い電圧に耐えられるよう複数のLEDを直列接続した構成をとる(以下LED列と呼ぶ)。このLED列は閾値を持ち、閾値を越えるとLED列に電流が流れ点灯するので、商用電源の実効値が100Vなら閾値を100〜120V程度にする。なお個別のLEDは順方向電圧Vfと呼ばれる閾値があり、順方向電圧Vf以上の電圧を印加すると電流が流れ点灯する。LED列の閾値はLED列に含まれる各LEDの順方向電圧Vfの和となるので、例えば順方向電圧が3Vであり、商用電源の実効値が100であれば、LED列の直列段数を40程度にする。
【0003】
単純に脈流電圧をLED列に印加すると、脈流電圧が閾値電圧を越える期間だけしかLED列が点灯しなくなる。このため、暗くなったりちらつきが目立ったりするばかりでなく、力率や歪率も悪化する。なお非点灯期間を短くしようとしてLED列の直列段数を小さくすると、LED列と直列に挿入する電流制限回路の電力損失が大きくなり好ましくない。そこでLED列に印加する電圧に応じて点灯するLED列の直列段数を切り換え、前述の課題を解決しようとしたものがある(例えば特許文献1)。
【0004】
特許文献1の図1には、発光ダイオード回路15(LED列)を6個のダイオード回路17〜22に分割し、脈流電圧にもとづいて駆動スイッチ30〜35を切り換え、点灯する発光ダイオード11の個数(直列段数)を調整する発光ダイオード点灯装置(LED駆動回路)が示されている。しかしながら特許文献1のように脈流電圧に基づいて電流経路を切り換えるLED駆動回路は、経路を切り換えた瞬間にLED列を流れる電流が大幅に減ったり、大幅に増えたりする。すなわち電流値が不連続となり、高調波ノイズの増加などさまざまな問題を起こす。
【0005】
これに対し直列段数を切り換えるときに電流値が滑らかに変化するLED駆動回路がある(例えば特許文献2)。特許文献2の図26に示されるLED駆動回路は、LED列に流れる電流を計測することにより、電流が所定値を超えたらLED列の直列段数が増え、同時に電流も連続的に増加させている。
【0006】
特許文献2の図26の回路を図4と図5で説明する。図4はLED駆動回路の回路図であり、説明のため趣旨を逸脱しない範囲で特許文献2の図26の回路を変形している。図5は、(a)が図4の回路においてLED列に印加する脈流電圧V、(b)がLED駆動回路400に流れる電流Iを示す波形図である。なお図5において(a)と(b)の時間軸tは一致している。
【0007】
まず図4の回路図を説明する。LED駆動回路400は、LED列410,430とともに、ブリッジ整流回路405、バイパス回路420、電流制限抵抗433を備えている。商用電源406はブリッジ整流回路405の交流入力端子に接続する。ブリッジ整流回路は、ダイオード401,402,403,404からなり、端子A及び端子Bがそれぞれ電流出力端子及び電流入力端子である。端子AはLED列410のアノードと接続し、端子Bはバイパス回路420の−側端子426と接続している。LED列410のカソー
ドはバイパス回路420の+側端子425とLED列430のアノードに接続している。LED列430のカソードは電流制限用の抵抗433の上端と接続し、抵抗433の下端はバイパス回路420の電流検出端子427と接続している。
【0008】
バイパス回路420において+側端子425は、バイパス回路420に含まれる抵抗421の上端とn−MOS型電界効果トランジスタ422(以後FETと呼ぶ)のドレインの接続部である。−側接続端子426は、バイパス回路420に含まれるNPNバイポーラトランジスタ423(以後トランジスタと呼ぶ)のエミッタと抵抗424の下端の接続部である。電流検出端子427はバイパス回路中のFET422のソース、トランジスタのベース並びに抵抗424の上端の接続部である。なおバイパス回路420内では抵抗421、トランジスタ423のコレクタ並びにFET422のゲートが接続している。
【0009】
商用電源406の実効値が100Vのとき、LED列410,430に含まれるLED411,412,431,432の合計の個数を40個程度にする。LED列410とLED列430からなるLED列の直列段数は40段とした場合、例えばLED列410及びLED列430の直列段数をそれぞれ20段とする。
【0010】
次に図5により図4の回路の動作を説明する。商用電源406をブリッジ整流回路405で整流すると端子Aには正弦波状の脈流電圧Vが現れる。このうち(a)には一周期分の脈流電圧Vを描いた。このとき電流Iには、電流が流れない期間t6、電流が急激に増加する期間t7,電流が一定になる期間t8,電流が正弦波状に変化する期間t9が現れる。
【0011】
期間t6では脈流電圧VがLED列410の閾値以下であるため電流Iが流れない。期間t7では脈流電圧VがLED列410の閾値を越え電流Iが急激に上昇する。なお期間t7ではまだ電流Iが小さく、トランジスタ423のベース電圧が0.6V未満であるためFET422はON状態になっている。さらに脈流電圧Vが上昇し期間t8に入るとバイパス回路420はトランジスタ423のベース電圧が0.6Vを維持するように定電流動作する。期間t8の最後の部分では脈流電圧VがLED列410の閾値とLED列430の閾値の和を越えるため、FET422に流れる電流とLED列430を流れる電流の和が一定になるよう動作する。期間t9ではさらに脈流電圧Vが上昇しトランジスタ423が飽和しFET422がカットオフする。ことのとき電流Iは電流制限抵抗433で制限されるようになり脈流電圧Vと相似した形状を示す。なお脈流電圧Vが下降するときは電流Iの波形は逆の経路で減少する。
【0012】
以上のように図4のLED駆動回路400は、商用電源406の電圧上昇(絶対値)と同期して電流も増え、さらにFET422がアナログ的にスイッチングして電流Iを滑らかに変化させることから、力率、歪率が良好で高調波ノイズが少ないという特徴がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0013】
【特許文献1】特許4581646号公報 (図1)
【特許文献2】WO2011/020007号公報 (図26)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0014】
しかしながら図5(b)に示した電流波形は、期間t7で急激に立ち上がるため高調波成分のうち比較的低い次数のものが強く現れる。例えばICE61000−3−2において25W以上の製品が満たすべき基準(クラスC)に達しないことがある。
【0015】
そこで本発明は、上記課題に鑑みて為されたものであり、光源として複数のLEDを直列接続したLED列を備えたLED駆動回路において、回路電流波形に含まれる比較的低次の高調波成分を低減させたLED駆動回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0016】
本発明のLED駆動回路は、光源として複数のLEDが直列接続したLED列を備え、該LED列に脈流電圧を印加するLED駆動回路において、
前記LED列の前記脈流電圧を印加する端子に接続する第1のバイパス回路を備え、
該第1のバイパス回路は前記LED列に電流が流れない期間では脈流電圧とともに第1のバイパス電流を増減させ、前記LED列に電流が流れる期間では前記第1のバイパス電流が無くなることを特徴とする。
【0017】
(作用)
本発明のLED駆動回路において、脈流電圧が0Vから上昇し始めると、脈流電圧ともに上昇する第1のバイパス電流が流れる。続いてLED列に電流が流れ始めると第1のバイパス電流がなくなり、回路電流はLED列を流れるものだけになる。脈流電圧が低下しLED列に流れる電流が激減すると、再び第1のバイパス電流が流れ、脈流電圧の下降ととともに減少する。この結果、電流波形は電流がない状態から急激に立ち上がる部分がなくなり全体的な形状が正弦波(絶対値)に近づため、比較的低い次数の高調波成分が減少する。
【0018】
前記第1のバイパス回路は、第1の電流検出端子を備え、前記LED列を通り前記第1の電流検出端子に流入する電流が第1の所定値を超えたら前記第1のバイパス電流をカットオフしても良い。
【0019】
前記第1のバイパス回路は、スイッチ素子と抵抗が直列接続した回路と、前記第1の電流検出端子から流入する電流の検出回路とを含み、該検出回路が前記スイッチ素子を制御しても良い。
【0020】
前記LED列が第1のLED列と第2のLED列を有し、
第2のバイパス回路が前記第1のLED列と第2のLED列の接続部と、前記第1の電流検出端子との間に挿入され、
前記第2のバイパス回路は、第2の電流検出端子を備え、前記第2のLED列を通り前記第2の電流検出端子に流入する電流が第2の所定値を超えたら第2のバイパス電流をカットオフしても良い。
【発明の効果】
【0021】
以上のように本発明のLED駆動回路は、光源として複数のLEDを直列接続したLED列を備えながらも、回路電流波形に含まれる比較的低次の高調波成分を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【図1】本発明の実施形態におけるLED駆動回路の回路図。
【図2】図1に示すLED駆動回路の動作を説明するための波形図。
【図3】図2に示す電流波形の高調波成分を示すグラフ。
【図4】従来例におけるLED駆動回路の回路図。
【図5】図4に示すLED駆動回路の動作を説明するための波形図。
【発明を実施するための形態】
【0023】
以下、添付図1〜3を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。さらに特許請求の範囲に記載した発明特定事項との関係をカッコ内に記載している。
【0024】
図1により本発明の実施形態として示すLED駆動回路100を説明する。図1はLED駆動回路100の回路図である。LED駆動回路100には、ブリッジ整流回路105、第1のバイパス回路110、第1のLED列120、第2のバイパス回路130、第2のLED列140、定電流回路150がある。商用電源106はブリッジ整流回路105の交流入力端子に接続する。ブリッジ整流回路は4個のダイオード101,102,103,104からなり、端子A及び端子Bがそれぞれ電流出力端子及び電流入力端子である。端子Aは第1のLED列120のアノードと接続し、端子Bは第1のバイパス回路110の−側端子116と接続する。なお図1に示したLED駆動回路100は、図4で示した従来例のLED駆動回路400に対し、バイパス回路110を追加し、電流制限抵抗433を定電流回路150に置き換えたものである。
【0025】
第1のバイパス回路110において+側端子115は、抵抗111の上端とn−MOS型電界効果トランジスタ112(以後FETと呼ぶ)のドレインとの接続部であり、端子A及び第1のLED列120のアノードに接続している。−側端子116は第1のバイパス回路110に含まれるNPNバイポーラトランジスタ113(以後トランジスタと呼ぶ)のエミッタと抵抗114,118の下端との接続部である。また第1のバイパス回路110の電流検出端子117(第1の電流検出端子)は、抵抗114の上端とトランジスタ113のベースの接続部であり、第2のバイパス回路130の−側端子136と接続している。第1のバイパス回路110内にはFET112(スイッチング素子)と抵抗118の直列回路がある。またFET112のゲートは、抵抗111の下端とトランジスタ123のコレクタに接続している。ここで抵抗111,114とトランジスタ113が電流の検出回路を構成し、トランジスタ113のコレクタ電圧でFET112に流れる第1のバイパス電流を制御している。
【0026】
第2のバイパス回路130において+側端子135は、抵抗131の上端とFET132のドレインの接続部であり、第1のLED列120のカソード並びに第2のLED列140のアノードと接続している。−側端子136は抵抗134の下端とトランジスタ133のエミッタとの接続部である。第2のバイパス回路130の電流検出端子137(第2の電流検出端子)は、抵抗134の上端、FET132のソース並びにトランジスタ133のベースの接続部であり、定電流回路150の−側端子156と接続している。また第2のバイパス回路130内では、FET132のゲートが抵抗131の下端及びトランジスタ133のコレクタと接続している。
【0027】
定電流回路150において+側端子155は、抵抗151の上端とFET152のドレインの接続部であり、第2のLED列140のカソードと接続している。−側端子156は抵抗154の下端とトランジスタ153のエミッタとの接続部である。また定電流回路150内では、FET152のゲート、抵抗151の下端並びにトランジスタ153のコレクタが接続している。さらに抵抗154の上端、FET152のソース並びにトランジスタ153のベースが接続している。
【0028】
商用電源106の実効値が100Vのとき、第1のLED列120及び第2のLED列140に含まれるLED121,122,141,142の合計の個数を40個程度にする。第1のLED列120と第2のLED列140からなるLED列の直列段数は40段とした場合、例えば第1のLED列120及び第2のLED列140の直列段数をそれぞれ20段とする。
【0029】
次に図2により図1のLED駆動回路100の動作を説明する。図2は、(a)が図1の回路において第1のLED列120に印加する脈流電圧V、(b)が第1のバイパス回路110がない場合に端子Aから出力される電流Iを示す波形図、(c)が第1のバイパス回路110がある場合に端子Aから出力される電流Iを示す波形図である。なお図2において(a)、(b)及び(c)の時間軸tは一致している。
【0030】
商用電源106をブリッジ整流回路105で整流すると端子Aには正弦波状の脈流電圧Vが現れる。このうち(a)には一周期分の脈流を描いた。(b)に示すように第1のバイパス回路110がないと電流Iの波形には、電流が流れない期間t1、電流が急激に増加する期間t2,電流が一定になる期間t3,電流がさらに増加しその後一定になり最後に減少する期間t4が現れる。これに対し(c)に示すように第1のバイパス回路110があると電流Iの波形には、脈流電圧Vとともに電流が増加する期間t5が現れるとともに、(b)と同様に電流Iが一定になる期間t3,電流がさらに増加しその後一定になり最後に減少する期間t4が現れる。脈流電圧Vが減少する期間では、電流Iは逆の経路をとる。
【0031】
すなわち第1のバイパス回路110があると電流Iの波形は、(b)に示した電流波形にフィレット状のバイパス電流が加わった格好になる。この結果、電流Iの波形は全体的な形状が正弦波(絶対値)に近づき比較的低い次数の高調波成分が減少する。
【0032】
図1、図2(a),(c)に基づいてLED駆動回路100の動作を詳細に説明する。期間t5では脈流電圧Vが第1のLED列120の閾値以下であるため第1のLED列には電流は流れない。このため電流検出端子117は0V(端子Bを基準にする)なのでFET112はON状態となり、電流I(このとき第1のバイパス電流と等しい)は脈流電圧Vと抵抗118の商から決まる。脈流電圧Vが第1のLED列120の閾値を越えると第1のLED列120及び第2のバイパス回路130を経由して電流が流れる。この電流(第1の所定値)により電流検出端子117の電圧が0.6Vを越えると、FET112がカットオフし第1のバイパス電流は無くなる。
【0033】
期間t3では脈流電圧Vが第1のLED列120の閾値を越え、第2のバイパス回路130に第2のバイパス電流が流れる。期間t3のほとんどの部分では、脈流電圧Vが第1のLED列120の閾値と第2のLED列140の閾値との和よりも小さい。このとき第1のバイパス電流がカットオフしており、第2のLED列140に電流が流れないため、第2のバイパス電流が電流Iとなる。またこのとき第2のバイパス回路130はトランジスタ133のベース電圧が0.6Vを維持するよう定電流動作する。期間t3の最後の部分では脈流電圧Vが第1のLED列120の閾値と第2のLED列140の閾値との和よりも大きくなり、第2のLED列140にも電流が流れ始める。このとき第2のバイパス回路130は、トランジスタ133のベース電圧が0.6Vを維持するよう、第2のバイパス電流と第2のLED列140を流れる電流の和(第2の所定値)を一定にする。
【0034】
さらに脈流電圧が上昇し期間t4に入り、第2のLED列を流れる電流が増加し、トランジスタ133が飽和すると、FET132がカットオフし第2のバイパス電流もなくなる。この結果電流Iは第2のLED列140を流れる電流と等しくなる。なお定電流回路はトランジスタ153のベース電圧が0.6Vになるよう電流Iの上限を制限する。脈流電圧Vが減少する期間は、脈流電圧Vが上昇する期間の逆の経路を辿る。
【0035】
次に図3によりLED駆動回路100により高調波成分が改善した様子を説明する。図3は図2に示す電流波形の高調波成分を示すグラフである。縦軸が高周波電流成分の割合、横軸が高調波の次数である。図中、太い実線はIEC61000−3−2のクラスCにおける限度を示している。×印は第1のバイパス回路110を備えていない図2の(b)
の高調波成分を示している。○印は第1のバイパス回路110を備えている図2の(c)の高調波成分を示している。第1のバイパス回路110を備えていないと第10次前後の高調波成分がIEC61000−3−2の規格を満たせなくなる。一方、本実施形態のLED駆動回路100のように第1のバイパス回路110を備えていればIEC61000−3−2の規格を満たせるようになる。
【0036】
なお本実施形態の第1のバイパス回路110は、第2のバイパス回路130に電流が流れ始めてからカットオフする。このため図2(c)において期間t5とt3の境界部で細いパルス状の電流増が現れる(図示せず、脈流電圧Vの下降時も同様)。しかしながらこのパルス状の電流増は高次の高調波に影響を与えるだけである。本実施形態のLED駆動回路100は、もともと第1のバイパス回路110がなくても高次の高調波成分が小さかった(図2(b)参照)ので、第1のバイパス回路を追加してこのパルス状の電流増があってもIEC61000−3−2のクラスCは満足する。
【0037】
本実施形態における第1のバイパス回路110は、スイッチ素子としてFET112を採用し、スイッチ素子と抵抗が直列接続した回路を備えていた。スイッチ素子はFET112に限られず、p−MOS型電界効果トランジスタやバイポーラトランジスタ、サイリスタ、トライアックなどであってもよい。
【0038】
本実施形態ではLED列を第1のLED列120と第2のLED列140に分割し、第2のバイパス回路130を第1のLED列120と第2のLED列140の接続部と、第1の電流検出端子117との間に挿入していた。そして第2のバイパス回路130が、第2の電流検出端子137に流入する電流に応じてバイパス電流(第2のバイパス電流)をカットオフしていた。このようにすると脈流電圧の比較的低い期間では第1のLED列120だけを点灯させ、脈流電圧の高い期間では第1及び第2のLED列120,140を同時に点灯させることことになる。このため明るくできることにくわえ、消費電力を抑えながら回路電流の変化をアナログ的に変わらせることで高次の高調波成分を低く抑えることが可能となる。しかしながらLED列は必ずしも二分割しなければならない訳ではない。例えば回路を簡単化する場合には単一のLED列と第1のバイパス回路を組合せるだけでも低次の高調波成分を低減できる。よりきめ細かく制御するときにはLED列を3個以上に分割しても良い。
【0039】
本実施形態のLED駆動回路100ではLED列120に流れる電流が増えると自動的にLED列140が点灯する。しかしながら脈流電圧を計測し、分割したLED列のうち点灯させるLED列を選択しても良い。同様に脈流電圧を計測し第1のバイパス回路を制御しても良い。
【0040】
本実施形態のLED駆動回路100では第2のLED列140のカソード側に定電流回路150を備えていた。定電流回路150は脈流電圧が不安定であっても電流の上限値を制限できるため回路全体の動作が安定する。回路の安定性が多少悪くなっても良ければ、図4に示したLED駆動回路400のように定電流回路150を電流制限抵抗に置き換えることで回路部品を減らせる。また温度補償が必要な場合はサーミスタ等を含む回路としても良い。
【符号の説明】
【0041】
100,400…LED駆動回路、
101,102,103,104,401,402,403,404…ダイオード、
105,405…ブリッジ整流回路、
106,406…商用電源、
110…第1のバイパス回路、
111,114,118,131,134,151,154,421,424,433…抵抗、
112…FET(スイッチ素子)、
113,133,153,423…トランジスタ、
115,135,155,425…+側端子、
116,136,156,426…−側端子、
117,137,427…電流検出端子、
120,140,410,430…LED列、
121,122,141,142,411,412,431,432…LED、
130…第2のバイパス回路、
132,152,422…FET、
150…定電流回路、
t1〜t9…期間。


【特許請求の範囲】
【請求項1】
光源として複数のLEDが直列接続したLED列を備え、該LED列に脈流電圧を印加するLED駆動回路において、
前記LED列の前記脈流電圧を印加する端子に接続する第1のバイパス回路を備え、
該第1のバイパス回路は前記LED列に電流が流れない期間では脈流電圧とともに第1のバイパス電流を増減させ、前記LED列に電流が流れる期間では前記第1のバイパス電流が無くなることを特徴とするLED駆動回路。
【請求項2】
前記第1のバイパス回路は、第1の電流検出端子を備え、前記LED列を通り前記第1の電流検出端子に流入する電流が第1の所定値を超えたら前記第1のバイパス電流をカットオフすることを特徴とする請求項1に記載のLED駆動回路。
【請求項3】
前記第1のバイパス回路は、スイッチ素子と抵抗が直列接続した回路と、前記第1の電流検出端子から流入する電流の検出回路とを含み、該検出回路が前記スイッチ素子を制御することを特徴とする請求項2に記載のLED駆動回路。
【請求項4】
前記LED列が第1のLED列と第2のLED列を有し、
第2のバイパス回路が前記第1のLED列と第2のLED列の接続部と、前記第1の電流検出端子との間に挿入され、
前記第2のバイパス回路は、第2の電流検出端子を備え、前記第2のLED列を通り前記第2の電流検出端子に流入する電流が第2の所定値を超えたら第2のバイパス電流をカットオフすることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のLED駆動回路。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【公開番号】特開2013−55168(P2013−55168A)
【公開日】平成25年3月21日(2013.3.21)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−191244(P2011−191244)
【出願日】平成23年9月2日(2011.9.2)
【出願人】(000001960)シチズンホールディングス株式会社 (1,939)
【出願人】(000131430)シチズン電子株式会社 (798)
【Fターム(参考)】