【課題】被研磨面の研磨レートの研磨面温度への依存性が高いＣＭＰプロセスにおいても、被研磨面の高い研磨レートを維持しながら均一な研磨プロファイルを得ることができる研磨装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの被研磨面９を研磨テーブル１の研磨面８に接触させ、被研磨面９と研磨面８の相対運動により被研磨面９を研磨する研磨装置において、研磨面８に向けて圧縮ガス等の気体を吹き出す流体吹出機構３０と、研磨面８の温度分布を測定するサーモグラフィ４０と、コントローラ５０とからなる研磨面温度制御手段２０を備えた。被研磨面９を研磨する際に、研磨面温度制御手段２０は、サーモグラフィ４０の測定結果に基づいて、気体の吹き出し流量、温度、吹付位置を決定することで、流体の吹き出しを制御し、研磨面８を所定の温度分布にすることで、被研磨面９の研磨レートを均一にする。 （もっと読む）

【課題】 四辺形基板の洗浄仕上がりの質の向上と、洗浄作業効率の向上を達成することのできる四辺形基板洗浄装置を提供することを目的とする
【解決手段】 四辺形の基板を洗浄する四辺形基板洗浄装置において、四辺形の相対する２辺で基板Ｗを支持するエル字形支持部材４０４Ａ〜Ｄであって、基板Ｗの底面Ｗ３を支持する底面支持部４１１と、側面Ｗ２を支持する側面支持部４１２とをそれぞれ有する少なくとも２個のエル字形支持部材と、基板Ｗの表面Ｗ１を洗浄する、エル字形支持部材の鉛直方向上方に配置された回転する表面洗浄ロール４０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】検査処理のスループットを向上させるとともに、検出精度を向上させることができる電子線装置を提供する。
【解決手段】一次荷電粒子を試料Wの被測定領域に照射し、試料から放出される二次荷電粒子を検出する装置において、一次荷電粒子を試料Wの被測定領域を分割した小領域単位に照射する際、１つの小領域Ｒ１１を照射後、該小領域に隣接する少なくとも１つ以上の小領域Ｒ１２をスキップし、そして、未照射の小領域Ｒ１３を照射するよう制御する。この場合、各小領域の照射は、次に照射を行うべき小領域に近い側から開始され、遠い側へ進められる。例えば、小領域Ｒ１１の場合、次に照射される小領域Ｒ１３に近い点Ｐ１１から開始され、遠い点Ｐ１２に到達すると、小領域Ｒ１３の照射を点Ｐ１３から開始する。 （もっと読む）

【課題】複数の冷凍機を用いてなる冷凍装置にあって、全負荷時の効率を高めると共に、部分負荷効率も高く維持できる冷凍装置を提供すること。
【解決手段】冷水から熱を奪って冷媒が蒸発し冷凍効果を発揮する蒸発器２１−１，２１−２と、冷媒蒸気を圧縮して高圧蒸気にする圧縮機２３−１，２３−２と、高圧蒸気を冷却水で冷却して凝縮させる凝縮器２５−１，２５−２とを有する複数の冷凍機２０−１，２０−２を具備する。冷水は複数の冷凍機２０−１，２０−２の蒸発器２１−１，２１−２に直列に接続され、順次複数の蒸発器２１−１，２１−２の冷媒の蒸発熱で冷却される。冷却水は複数の冷凍機２０−１，２０−２の凝縮器２５−１，２５−２に直列に接続され、順次複数の凝縮器２５−１，２５−２の冷媒を冷却する。 （もっと読む）

【課題】粉体を収容した複数個のコンテナ（６）を順次に貯槽（８）に接続し、コンテナから貯槽に粉体を供給し、そして貯槽内の粉体を定量供給機（１０）を通して定量的に供給する粉体供給システムであって、コンテナを移送する際にコンテナから粉体が漏出することが確実に防止され、そしてまた貯槽に接続されたコンテナから貯槽に粉体の漏出等を発生させることなく粉体を供給することができる粉体供給システムを提供する。
【解決手段】コンテナは下端に排出口が形成されている容器本体、排出口に付設されたガイド、排出口を開閉するための弁体、弁体に固着された下端から該容器本体外まで上方に延びるロッド、及びロッドを下方に偏倚して弁体を排出口を閉じる閉位置に弾性的に偏倚するばねを含む。コンテナの容器本体の排出口に付設されたガイドは貯槽の連結筒に接続される。コンテナのロッドの上端を把持し、ばねの偏倚作用に抗してロッドを昇降動して弁体を昇降動し排出口を開閉する弁開閉手段が配設されている。 （もっと読む）

【課題】紫外線ランプの保護管に付着したスケールを効果的に洗浄でき、洗浄液を容易且つ確実に供給できる紫外線ランプ保護管清掃装置及び紫外線殺菌装置を提供すること。
【解決手段】紫外線ランプ８５と、紫外線ランプ８５の保護管８７の外周表面を保護管８７の長手方向に向けて移動することで拭うワイパー部７１を設けたワイパー機構とを具備する。ワイパー部７１は保護管８７表面を拭う２つのワイパーブレード７３の間に洗浄液溜り７５を設けて構成する。洗浄液溜り７５への洗浄液の供給は洗浄液供給チューブ２０をワイパー機構に接続することで行う。洗浄液供給チューブ２０は洗浄液供給チューブ２０の動きに応じて回転するドラム１０に巻きつけられる。ワイパー機構の移動と一体に移動するワイヤー２５をドラム１０に巻きつけておくことで、ワイヤー２５の動きに応じてドラム１０を回転する。 （もっと読む）

【課題】たとえ６５ｎｍ乃至それ以降のより微細な配線構造を有する半導体デバイスであっても、基板の表面に形成した余剰な金属膜やバリア膜を、研磨速度及びその基板表面内での均一性を維持し、かつディッシングやエロージョンの発生を抑制しつつ研磨できるようにする。
【解決手段】基板表面の絶縁膜内に設けた配線用凹部以外に形成された金属膜及び／またはバリア膜を研磨除去する研磨装置５４の研磨パッド６６を初期コンディショニングするにあたり、研磨パッド６６にドレッサー３８を０．６ｐｓｉ以下の押付圧力で押付けながら第１のコンディショニングを行い、基板研磨時よりも大きい研磨圧力でダミー基板を研磨して第２のコンディショニングを行う。 （もっと読む）

【課題】圧縮機を複雑化することなく、エネルギー効率の高効率化が図れる冷凍機及び冷凍装置を提供すること。
【解決手段】冷水から熱を奪って冷媒が蒸発し冷凍効果を発揮する蒸発器１１と、冷媒蒸気を圧縮して高圧蒸気にする圧縮機１３と、高圧蒸気を冷却水で冷却して凝縮させる凝縮器１７と、凝縮した冷媒を減圧して膨張させて蒸発器１１に送る膨張機２０とを有する冷凍機１０である。膨張機２０は、凝縮器１７から蒸発器１１への冷媒の流れが持つエネルギーを回収する回転式の動力回収膨張機２０である。動力回収膨張機２０の回転速度は独立して単独で調整される。 （もっと読む）

【課題】ケア領域が小さい場合に十分にスループットを向上させることができる評価方法を提供すること。
【手段】複数のダイ２が配列されたウェーハ１に電子ビームを照射して該ウェーハの評価を行う評価方法であって、それぞれのダイ２に、評価を要する小領域３−１〜３−Ｎを設定し、ウェーハ１を載置したステージを、電子ビームが小領域３−１〜３−Ｎを照射する期間には一定の速度で走行させ、電子ビームが小領域３−１〜３−Ｎでない領域を照射し得る期間には一定の速度よりも大きな速度で走行させることにより、スループットを向上させる。表面電荷の蓄積による試料損傷がなく且つスループットを向上させる実施の形態と、光軸上に複数のビームを形成してスループットを向上させる実施の形態についても開示している。 （もっと読む）

【課題】シールパッキンの締め付け作業が容易で且つシールパッキンの外周近傍に均一に締め付け力を作用させることができる半導体ウエハのメッキ治具を提供する。
【解決手段】半導体ウエハのメッキ治具110は第１保持部材111と第２保持部材112と係止部114bを有する固定リング114とを具備する。第１保持部材111と第２保持部材112との間に半導体ウエハ116を着脱可能に保持することができる。第１保持部材111及び第２保持部材112の何れかには、固定リング114の係止部114bに係脱可能に係止することができる被係止部120が設けられている。固定リング114が固定位置にある場合には固定リング114の係止部114bと被係止部120とが係脱可能に係止することにより第１保持部材111及び第２保持部材112が固定される。 （もっと読む）