【課題】優れたガス吸着性能及びガス分離性能を有する金属錯体を提供。
【解決手段】式（Ｉ）


（式中、Ｒ^１〜Ｒ^８はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基等である。）で表されるジカルボン酸化合物（Ｉ）と、周期表の２族、７〜１０族及び１２族に属する金属のイオンから選択される少なくとも１種の金属イオン（例えば、亜鉛イオン）と、該金属イオンに二座配位可能な特定な有機配位子（例えば、１，２−ビス（４−ピリジル）エタン）とからなる金属錯体の提供。 （もっと読む）

【課題】複雑な金型形状であっても成形孔内に閉じ込められたガスをスムーズに逃がし、欠肉の発生を抑えた寸法精度の良好な鍛造成形品を製造する。
【解決手段】成形時に鍛造金型の成形孔内に閉じ込められたガスを排出するためのガス抜き通路を有する鍛造用金型において、前記ガス抜き通路は、ガス流方向と垂直方向の断面積が異なる複数の段部を有し、前記成形孔壁面に臨む第１段部の開口部面積がこれに接続する第２段部の開口部面積より小さく、かつ、その開口部が型分割部からなる壁面又は一体型部からなる壁面に設けられ、前記第１段部の開口部面積より大きく、前記第２段部の開口部面積より小さい径を有する制御ピンが備えられているので、ガス抜き通路に進入した鍛造用素材が製品排出時に折れても、次の鍛造時にガスの圧力により次段まで押され、ガス抜き通路が塞がれることがない。 （もっと読む）

【課題】熱交換管の内圧に対する耐圧性を向上しうる熱交換器を提供する。
【解決手段】熱交換器１の熱交換管４は、１対の平坦壁11,12と、両平坦壁11,12の両側縁部どうしに跨る２つの側壁14を有する。熱交換管４の一方の側壁を両平坦壁11,12に一体に形成する。他方の側壁17は、上平坦壁11に一体に形成されて下側に突出した上側壁形成部16と、下平坦壁12に一体に形成されて上側に突出した第２側壁形成部17とからなる。両側壁形成部16,17の先端部に連なって内方突出壁18,19を設け、両内方突出壁18,19どうしを互いにろう付する。上内方突出壁18の先端部に連なって上側に曲げられた屈曲部23を設け、下内方突出壁19の先端部に連なって下側に曲げられた屈曲部24を設ける。両屈曲部23,24の先端部に連なって、両側壁形成部16,17側にのびかつ両平坦壁11,12内面に面接触する平坦部25,26を設け、両平坦部25,26を両平坦壁11,12にろう付する。 （もっと読む）

【課題】半導体に給電するための電極の接合性および電極の信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０、ｐ型半導体層１７０、透明導電層１７０、透明導電層１７０上に形成されるｐ電極３００、ｎ型半導体層１４０上に形成されるｎ電極４００を備える。ｐ電極３００は、Ａｕを含む金属材料で構成され、外部に露出するように設けられるｐ側第２金属層３３２と、Ａｕを含むとともにｐ側第２金属層３３２よりも硬度が高い金属材料で構成され、ｐ側第２金属層３３２よりも透明導電層１７０に近い側に、ｐ側第２金属層３３２に沿って設けられるｐ側第１金属層３３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とヒートシンクとが応力緩和材を介してろう付された放熱装置において、余剰ろう材による応力吸収空間の塞がりを防止する。
【解決手段】 絶縁基板（11）の一面側に電子素子搭載用の回路層（12）が接合され、他面側に応力緩和材（20）を介してヒートシンク（13）が接合された放熱装置（1）であって、前記応力緩和材（20）は、絶縁基板（11）側およびヒートシンク（13）側の両面に開口する少なくとも１つの応力吸収空間（21）を有し、前記応力吸収空間（21）の内壁面（22）に、絶縁基板（11）側およびヒートシンク（13）側の両方の開口部に通じて、応力緩和材（20）と絶縁基板（11）との接合部の余剰ろう材をヒートシンク（13）側に誘導する案内部（23）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】コンデンサの冷媒凝縮効率の低下を防止しうるとともに、省スペース化を図ることができる空調装置に用いられる中間熱交換器を提供する。
【解決手段】中間熱交換器10は、外管15および外管15内に間隔をおいて配置された内管16を備え、かつ外管15と内管16との間の間隙が高温側冷媒通路12となっているとともに、内管13内が低温側冷媒通路13となっている二重管11と、二重管11の高温側冷媒通路12内と通じるように設けられ、かつコンデンサから流出するとともに減圧器により減圧される前の高圧の冷媒を貯留して液相と気相とに分離する縦向きの液溜14とよりなる。二重管11は、縦向き部分20を有する。液溜14を二重管11の縦向き部分に沿うように配置する。冷媒は、縦向き部分20において、二重管11の高温側冷媒通路12から液溜14内に入り、液溜14内から高温側冷媒通路12に戻る。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子における電子輸送性の層を形成するのに適し、蒸着速度が安定した新規な化合物を提供すること。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物。


〔式（１）において、Ｒ¹は、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または水素原子を表し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ａｒは、ヘテロ原子を有していてもよい１価の置換または非置換の芳香族基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】有機系反射防止膜のプラズマによる高異方性および高選択性エッチング用のエッチングガスとして注目される重要な化合物である硫化カルボニルを効率よく簡便にかつ安価に製造する方法を提供すること。
【解決手段】有機溶媒中、塩基性有機化合物を触媒として用いて、一酸化炭素と硫黄とを反応することにより、硫化カルボニルを製造する。塩基性有機化合物として、アミジン塩基、フォスファゼン塩基、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン（ＴＢＤ）、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン（ＭＴＢＤ）、アルキル基もしくはアラルキル基で置換された４級アンモニウムハイドロオキサイド、脂肪族環状２級アミンまたは脂肪族２級アミンを用いる。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板に用いられる積層材であって、はんだ接合性が良好であり、接合界面での割れや剥離の発生を防止できる積層材を提供すること。
【解決手段】積層材1Aは、表面2aに半導体素子21が接合されるＮｉ又はＮｉ合金で形成されたＮｉ層２と、Ｎｉ層２の片側に積層状に配置されたＴｉ又はＴｉ合金で形成されたＴｉ層４と、Ｔｉ層４のＮｉ層２配置側とは反対側に積層状に配置されたＡｌ又はＡｌ合金で形成されたＡｌ層６と、を備える。Ｎｉ層２とＴｉ層４とが放電プラズマ焼結法により接合されている。Ｔｉ層４とＡｌ層６とが放電プラズマ焼結法により接合されている。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶を基板とする半導体発光チップの製造において、得られる半導体発光チップにおける半導体発光素子の欠けを抑制する。
【解決手段】表面がサファイア単結晶のＣ面で構成された基板の表面に複数の半導体発光素子が形成された素子群形成基板に対して、基板表面側から、基板表面およびサファイア単結晶のＭ面に沿う第１方向に向かう割溝を基板表面に形成し（Ｓ１０３）、基板裏面側からレーザ光を照射することで、第１方向に向かう第１改質領域および基板表面に沿いかつ第１方向とは異なる第２方向に向かう第２改質領域を基板内部に形成し（Ｓ１０４、Ｓ１０５）、第１改質領域および第２改質領域を用いて素子群形成基板を分割し（Ｓ１０６）、半導体発光チップを得る。 （もっと読む）