【課題】複数のフリップフロップから構成されるスキャンチェインを有する被試験デバイスの試験の試験時間の短縮化を図ることを目的とする。
【解決手段】スキャン入力部１２Ａ、１２Ｂと複数のフリップフロップが接続されたスキャンチェインＦＡ、ＦＢとスキャン出力部１５Ａ、１５Ｂとを有して構成されるスキャンパスを複数備えた半導体試験装置であって、スキャンチェインＦＡ、ＦＢを複数に分割して、分割したスキャンチェインＦＡ１、ＦＡ２、ＦＢ１、ＦＢ２をそれぞれ複数のスキャン出力部１５Ａ、１５Ｂに接続する接続経路ＬＡＢ１、ＬＢＡ１、ＬＡＢ２、ＬＢＡ２と、１つのスキャンパスのスキャンチェインＦＡ１、ＦＡ２またはＦＢ１、ＦＢ２がそれぞれ異なるスキャン出力部１５Ａ、１５Ｂに接続するように接続経路の選択を行う経路選択部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ノブ操作による値設定の際の値増減単位を設定する値増減単位設定装置において、設定する値にかかわらず、容易に値の設定ができるようにする。
【解決手段】ノブ操作による値設定の際の値増減単位を設定する値増減単位設定装置であって、操作されたノブの回転量を検出する回転量検出部と、検出したノブの回転量が所定の基準値以上であるかどうかを判定する回転量判定部と、基準値以上の回転量のノブ操作が第１基準時間内で連続して行なわれた状態が、第２基準時間継続した場合に、あらかじめ定められた値増減単位段階にしたがって、値増減単位を１段階上げる値増減単位制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】被測定液中の結合塩素が指示値に与える影響を低減し、より高精度に遊離塩素濃度を測定できる遊離塩素測定方法および遊離塩素計を実現する。
【解決手段】 被測定液Ｌ中に配置された指示極２と対極３との間に加電圧Ｅｉを印加し、これらの電極間に流れる拡散電流Ｉｉに基づいて被測定液Ｌの遊離塩素濃度を測定する遊離塩素測定方法において、
結合塩素を含む試料液を測定し、結合塩素の全体量のうち指示値に誤差を与える結合塩素の割合と加電圧との関係を求める第１のステップと、
この第１のステップで求めた関係に基づいて、指示値に誤差を与える結合塩素の割合が許容範囲内となる加電圧の範囲を求める第２のステップと、
この第２のステップで求めた加電圧の範囲から指示極２と対極３との間に印加する加電圧の値を設定する第３のステップと、
この第３のステップで設定した加電圧を指示極２と対極３との間に印加して被測定液Ｌの遊離塩素濃度の測定を行う第４のステップと、
を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの強度低下を抑制し、製造性の良い半導体ウェーハ及び半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の層に形成される基板と、前記基板の一方の面から前記基板の側面にかけて形成される分離溝と、前記分離溝の底に形成される傾斜領域とを備える。 （もっと読む）

【課題】比較的短時間で高分解能の高速測定が行える光ファイバ分布型測定装置を提供すること。
【解決手段】ラマン後方散乱光を所定の周波数でサンプリングして利用する光ファイバ分布型測定装置において、前記サンプリング周波数を整数倍に引き上げることによりデータ補間を行うデータ補間手段を設けたことを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】より正確で安定した吸光スペクトル測定できる分光分析装置を実現すること。
【解決手段】 被測定対象に投光する光源と、被測定対象からの反射光である測定光又は参照光のスペクトルを測定して被測定対象を分析する分析手段を備えた分光分析装置において、前記測定光または前記参照光を前記分析手段に導く導光手段と、前記光源からの光を反射可能または反射不可能な位置に移動可能な光分岐手段と、前記光分岐手段の位置を移動制御する制御手段と、前記光分岐手段からの光を反射しこれを前記参照光とする標準反射手段とを備え、前記光分岐手段は、前記光源からの光を反射して前記標準反射手段に照射し前記標準反射手段により反射された参照光を前記導光手段に入射させる位置（以下、第１の位置という）に移動可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気エネルギを無駄にすることなくＳＯＣのバラツキを軽減して充放電を行う。
【解決手段】単位セル２０と充放電回路３０を複数個、直列接続して構成される二次電池であって、各単位セル２０に対応して設けられ各単位セル２０から放電して所定の放電電圧を出力するか、または、各単位セルに対して所定の充電電流で充電を行う充放電回路（チョッパ回路,平滑コンデンサ，制御回路）と、各単位セル２０の充電率（ＳＯＣ）を推定するとともに、該推定された充電率に基づいて、放電時は充電率の高い単位セル２０からの放電電力が充電率の低い単位セル２０からの放電電力よりも大きく、充電時は充電率の高い単位セル２０への充電電力が充電率の低い単位セル２０への充電電力よりも小さくなるように、前記充放電回路３０を動作させる制御部（スイッチ４０，作動アンプ５０，Ａ／Ｄ変換回路６０，ＭＰＵ７０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】メモリアクセスの待ち時間を削減することによってシステムの使用効率を向上させることができる記憶装置、及び当該装置を備える電子機器を提供する。
【解決手段】記憶装置１は、データの読み出しを行うリードポートＰ１とデータの書き込みを行うライトポートＰ２とを有するメモリ１２と、外部から入力されるアドレスに基づいてメモリ１２からリードポートＰ１を介して読み出されたデータを保持するリードデータ保持回路１６と、外部から入力されたアドレスをライトポートＰ２を介したデータの書き込み用のアドレスとして保持するアドレス保持回路１４と、外部から入力されるデータを保持するライトデータ保持回路１３と、リードデータ保持回路１６及びライトデータ保持回路１３に保持されたデータに基づいて、ライトポートＰ２を介してメモリ１２に書き込むデータを生成する冗長ビット生成回路１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気分解における高電流密度下の長時間連続運転ができ、高電流下での使用により生じる電圧ロスを小さくでき、使用可能電流密度の上限値を押し上げることが可能になる。また電圧ロスを最小限に抑えることにより、省エネによるエネルギー効率の向上も可能になる電解用陽極を実現する。
【解決手段】フッ化物イオンを含有する溶融塩電解浴を用いてフッ素含有物質を電解合成するために使用する電解用陽極１ａにおいて、不動態化処理により表面に不動態膜が形成可能な金属基体２と、この金属基体の少なくとも一部に被覆されたダイヤモンド構造を有する導電性炭素質皮膜３と、このダイヤモンド構造を有する導電性炭素質皮膜３で被覆されていない前記金属基体表面を被覆する不動態皮膜４とを具備したことを特徴とする電解用陽極１ａである。 （もっと読む）

【課題】カレントミラー回路の補償回路を工夫して、回路規模増を伴うことなく、ｎビッ
トのＤＡ変換器や、ＡＤ変換器等の基準電流を発生できるようにすると共に、残差アンプ
の温度に対する安定度を改善できるようにする。
【解決手段】ｎビットＡＤ変換出力をデジタルアナログ変換して、残差アンプＵ１１にア
ナログ信号を出力するｎビットＤＡ変換器ＤＡ１と、この出力をデジタルアナログ変換し
て、残差アンプＵ１２にアナログ信号を出力するｎビットＤＡ変換器ＤＡ２とに基準電流
を供給する基準電流発生部５０６を備え、所定の基準電流から、Ｕ１１の温度ドリフトに
トラッキングした基準電流を生成するカレントミラー回路１１１と、この出力電流をＤＡ
Ｃ及びＡＤＣの基準電流として仲介するカレントミラー回路１２４と、この基準電流から
、Ｕ１２の温度ドリフトにトラッキングした基準電流を生成するカレントミラー回路１３
１とを有するものである。 （もっと読む）