【課題】基板に形成されたビアホール内のメタライズを改善すること。
【解決手段】本半導体装置の製造方法は、ＳｉＣを材料とする基板１０を備える半導体装置１００の製造方法であって、フッ化炭素を含むエッチングガス及びマスク１４を用いて基板１０の裏面をエッチングし、基板１０の裏面から表面に向かって開口面積が次第に小さくなるテーパ形状を有する第１領域２２を形成する第１工程と、次いで、フッ化硫黄を含むエッチングガス及びマスク１４を用いて第１領域２２の内側をエッチングし、第２領域２４を形成する第２工程とを有し、基板１０の表面に対する第２領域２４の内壁面の傾斜角は、基板１０の表面に対する第１領域２２の内壁面の傾斜角より大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗率を低く抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、Ａｌ組成比が０．２以上のＡｌＧａＮ層をエッチングして、ＲＭＳ粗さが０．３ｎｍ未満の底面を有する凹部を形成する工程と、前記凹部の底面に接して、４ｎｍから８ｎｍの厚さの第１Ｔａ層を形成する工程と、前記第１Ｔａ層に熱処理を施して、前記ＡｌＧａＮ層にオーミック接触させる工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】工程の増大を抑制し、かつ誤差の少ない熱抵抗を測定すること。
【解決手段】基準となる半導体装置の環境温度を変化量ΔＴ_０変化させたときの前記基準となる半導体装置の順方向電圧の変化量ΔＶ_ｆ０を測定することにより、前記基準となる半導体装置のＫファクタＫ_０をＫ_０＝ΔＴ_０／ΔＶ_ｆ０とするステップ（Ｓ２２）と、基準となる半導体装置の順方向電流電圧測定から理想係数ｎ_０を測定するステップ（Ｓ２４）と、熱抵抗を測定する半導体装置に電力Ｐを印加することにより前記電力を印加する前後での順方向電圧の変化量ΔＶ_ｆを測定するステップ（Ｓ２６）と、前記熱抵抗を測定する半導体装置の順方向電流電圧測定から理想係数ｎを測定するステップ（Ｓ２８）と、前記熱抵抗を測定する半導体装置の熱抵抗Ｒ_ｔｈをＲ_ｔｈ＝ｎ_０／ｎ×Ｋ_０×ΔＶ_ｆ／Ｐから算出するステップ（Ｓ３０）と、を含む半導体装置の測定方法。 （もっと読む）

【課題】レンズを筐体の内孔に固定する際に、レンズ割れが防止でき、レンズの実装精度が確保できるとともに、作業性に優れたレンズ固定構造を有する光モジュールを提供する。
【解決手段】レンズホルダ３は、光学レンズ２を保持するレンズ保持部３ａと、内孔に圧入される圧入部３ｂと、レンズ保持部３ａと圧入部３ｂを連結する連結部３ｃとを有し、レンズ保持部３ａの外径は内孔の内径よりも小さく形成され、筐体１の内孔とレンズ保持部３ａとの間に隙間４が形成されている。また、連結部３ｃの外周に溝を形成している。光学レンズ２をレンズホルダ３に固定し、レンズホルダ３をレンズ搭載ユニット１０の筐体１の内孔に圧入する際に、光学レンズ２に圧入時の応力が直接作用しないため、光学レンズの割れが防止できる。 （もっと読む）

【課題】セラミックパッケージの外形寸法にばらつきがある場合でも、発光素子からレンズまでの光路長を適切に調整することが容易な光モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】光モジュールの製造方法は、反射体２１を吸着具３０を用いて吸着し、吸着具３０が反射体２１を吸着している吸着位置を、セラミックパッケージ１０の外形寸法に基づいて調整し、吸着位置を調整した状態を維持して、セラミックパッケージ１０に反射体２１を実装する。 （もっと読む）

【課題】挿抜容易性を保ちつつシールド性能をより高めることができる光トランシーバを提供する。
【解決手段】光トランシーバ１０は、光レセプタクル１６Ａと、光レセプタクル１６Ａに一端部が固定され、当該光トランシーバ１０がケージＣに挿入された際にケージＣの内面と接触する可撓性のフィンガ部３０ｆと、光レセプタクル１６Ａの外面上に配置された可動部材３２とを備える。可動部材３２は、ケージＣへの挿入時にケージＣの縁に当接する第一当接面３２ｂと、フィンガ部３０ｆと光レセプタクル１６Ａとの間に延びる第二当接面３２ｃとを有する。第一当接面３２ｂとケージＣとが当接することにより、可動部材３２がケージへの挿入方向と交差する軸を中心として回転し、第二当接面３２ｃがフィンガ部３０ｆの端部を押し上げる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの劈開において割れ、欠け、亀裂の発生を抑えることが可能な半導体ウエハの劈開方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体ウエハ１０の表面に設けられた第１の方向に延伸する複数の第１のスクライブ領域１８と第１の方向に交差する第２の方向に延伸する複数の第２のスクライブ領域２０との夫々に、第１のスクライブ領域１８と第２のスクライブ領域２０とが交差する交差領域３０に入り込まないように不連続線の第１のスクライブ溝２６と第２のスクライブ溝２８とを夫々形成する工程と、第１のスクライブ溝２６および第２のスクライブ溝２８に応力を与えて半導体ウエハ１０を劈開する工程と、を有する半導体ウエハの劈開方法である。 （もっと読む）

【課題】活性層と半導体基板との間に回折格子が設けられるＤＦＢレーザ素子において、発振波長と利得ピーク波長との差を小さくする。
【解決手段】本方法は、半導体基板上に回折格子を含む半導体層を形成する回折格子形成工程Ｓ１１と、半導体層上に活性層を形成する活性層形成工程Ｓ１２と、活性層の利得ピーク波長を測定する測定工程Ｓ１３と、少なくとも活性層を所定方向に延びるメサ形状に成形することにより光導波路を形成するメサ形成工程Ｓ１５とを含む。メサ形成工程Ｓ１５において、所定方向と交差する方向における活性層の幅及び回折格子の周期に依存する、当該分布帰還型半導体レーザ素子の発振波長と、測定工程において得られる活性層の利得ピーク波長との差が所定の範囲内となるように、活性層の幅を決定する。 （もっと読む）

【課題】ＡＰＤを用いる光強度測定方法において、ＡＰＤの暗電流の影響が大きい極めて小さな入力光強度を精度よく測定する。
【解決手段】この光強度測定方法は、ＡＰＤ１１が受けた入力光の強度を測定する方法であって、複数の周囲温度下でのＡＰＤ１１の暗電流量を測定する第１ステップと、入力光をＡＰＤ１１に入射させ、ＡＰＤ１１の出力電流量を測定する第２ステップと、第２ステップのときの周囲温度に対応する暗電流量を出力電流量から減算した値を求めることにより、入力光の強度を得る第３ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】誘電体基板からなるヒートシンクを用いて特性インピーダンスの調整を可能とするとともに、温度変化によりＬＤの位置変動が生じない光モジュールを提供する。
【解決手段】金属製のサブマウント２の一方の側面にセラミック誘電体からなるヒートシンク３を介して半導体レーザダイオード４を搭載した光モジュールで、ヒートシンク３は、サブマウント２の搭載面の全体を覆って接合され、ヒートシンクと同様な線膨張係数を有する補助基板７が、サブマウントの半導体レーザダイオードが搭載されていない反対側の裏面全体を覆って接合されている。なお、サブマウントの厚さは０.８５ｍｍ以下であり、ヒートシンクは窒化アルミニウムで形成され、その厚みは０.１５ｍｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）