【課題】端子数を増大させることのできる光デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、発光素子または受光素子の光素子を内部に収納する筐体１０と、筐体１０の底面２２から導出された、発光素子または受光素子の光素子に電気的に接続する第１端子１２と、筐体１０の第１側面２４から導出された、発光素子または受光素子の光素子に電気的に接続する第２端子１４と、筐体１０の底面２２に設けられた、第１端子１２よりも突出した突起部１６と、を備える光デバイスである。 （もっと読む）

【課題】 ピンチオフ特性を改善しまたはチャネル層の移動度を向上させ電気的特性の良好な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１０上にＧａＮ系半導体層２０を形成する工程と、前記ＧａＮ系半導体層に開口部２８を形成する工程と、前記開口部の側面に電子走行層２２および電子供給層２６を形成する工程と、前記電子供給層の前記開口部側の側面にゲート電極３２を形成する工程と、前記ＧａＮ系半導体層上にソース電極３０を形成する工程と、前記ＧａＮ系半導体層の前記ソース電極と相対する面に接続するドレイン電極３４を形成する工程と、を具備する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 調芯作業の手間を省くことができかつ調芯精度を向上させる光軸調芯用治具、光軸調芯装置、および、光軸調芯方法を提供する。
【解決手段】 光軸調芯用治具は、台との間でジンバルを構成する光軸調芯用冶具であって、複数の光導出入口を備えるデバイスを保持するための保持部と、前記光導出入口に対向する光軸と交差する方向に前記保持部をスライド移動させるためのスライド手段とを備える。光軸調芯装置は、光軸調芯用治具と、前記光軸調芯用冶具との間でジンバルを構成する前記台と、前記台を前記光軸と交差する方向に移動する可動ステージと、を備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチに接続される回路を保護することができるスイッチ及びスイッチの制御方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のスイッチ５０は、ソースが共通端子１８と接続され、ドレインが第１端子２０と接続され、ゲートに印加される電圧によってオンオフ制御されるＦＥＴ１と、ソースが共通端子１８と接続され、ドレインが第２端子２２と接続され、ゲートに印加される電圧によってオンオフ制御されるＦＥＴ２と、を備え、ＦＥＴ１をオフするためにＦＥＴ１のゲートに印加される電圧の絶対値は、ＦＥＴ２をオフするためにＦＥＴ２のゲートに印加される電圧の絶対値に比べて小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低電源電圧を用いて高性能な電子回路を提供すること。
【解決手段】信号が入力される制御端子と第１端子と第２端子とを有する第１トランジスタＴ１と、第１トランジスタの第２端子が接続された制御端子と第１端子と第２端子とを有する第２トランジスタＴ２と、第２トランジスタの第２端子が接続された制御端子と第１端子と第２端子とを有する第３トランジスタＴ３と、第２および第３トランジスタの少なくとも一方における第１および第２端子間を経由し、経由したトランジスタよりも前段に位置するトランジスタの第２端子に直流電流を供給する第１直流経路３１と、第２および第３トランジスタの少なくとも一方における第１および第２端子間を経由し、経由したトランジスタよりも前段に位置するトランジスタの第２端子に直流電流を供給する第１直流経路とは異なる第２直流経路３２と、第１および第２直流経路の間を共通に接続する共通接続点Ｎ１と、を具備する電子回路。 （もっと読む）

【課題】光学的調心を行うことなく外部光ファイバを結合するためのスリーブの位置決めを行うことが可能で、種々の形態のスリーブに対して集光ユニットの共用を可能とすること。
【解決手段】光モジュール１は、短尺光ファイバ１４を収容するスタブ１２を内蔵するスリーブ１３と、短尺光ファイバ１４と光結合される第１の集光レンズ９が実装されるとともに、スリーブ１３を組み付ける取付端面が形成された集光ユニット２と、第１の集光レンズ９と光結合される第２の集光レンズ２６ａ、２６ｂ、および、フォトダイオード２３ａ、２３ｂが実装された送信ユニット２０ａ、２０ｂとを備え、スタブ１２の先端部はスリーブ１３の接合端面より突き出ており、集光ユニット２の取付端面にはスタブ１２の先端部を嵌合して位置決めする凹部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ドレイン電流コラプスを抑制すること。
【解決手段】窒化物半導体層１９上に形成されたソース電極２０、ゲート電極２４およびドレイン電極２２と、前記窒化物半導体層上に接して形成された窒化シリコン膜２６と、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記窒化シリコン膜の上面に接して設けられた有機絶縁膜３２と、を含む半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 ビアホール上にオーミック電極が形成された半導体装置において、装置の小型化を図ること。
【解決手段】 本半導体装置は、基板１０と、基板１０上に形成された半導体層１２と、半導体層上１２に形成されたソースまたはドレイン電極を構成するオーミック電極２０と、を備え、基板１０及び半導体層１２には、基板１０及び半導体層１２を貫通するビアホール３０が形成され、ビアホール３０は、少なくとも半導体層を貫通する第１ビアホール３２と、第１ビアホール３２下の基板１０に形成された、第１ビアホール３２より開口断面積が大きい第２ビアホール３４と、を含み、オーミック電極２０は、第１ビアホール３２の上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】互い異なる内径を有するマイクロパイプを塞いだシリコンカーバイド基板生産物を製造できるシリコンカーバイド基板生産物の製造方法、該製造方法により製造されたシリコンカーバイド基板生産物を提供する。
【解決手段】複数のマイクロパイプ１１０を有するシリコンカーバイド基板１の主面１０２に樹脂を塗布することにより、複数のマイクロパイプ１１０を樹脂で塞ぐ複数の塗布工程と、樹脂を硬化させる硬化工程とを有し、複数の塗布工程において、工程毎に樹脂の粘度を異ならせることを特徴とする。これにより、粘度の低い樹脂により内径の小さいマイクロパイプを塞ぐことができ、また、粘度の高い樹脂により内径の大きいマイクロパイプを塞ぐことができる。従って、簡易な方法により複数のマイクロパイプ１１０を塞いだシリコンカーバイド基板生産物１ａを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを抑制することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体からなるチャネル層１４と、前記チャネル層１４上に設けられた窒化物半導体からなる電子供給層１６と、前記電子供給層１６上に設けられた窒化ガリウムからなるキャップ層１８と、を形成する成長工程と、前記キャップ層１８の上面に、パワー密度が０．０１２５〜０．１５Ｗ／ｃｍ^２である酸素プラズマ処理を行う工程と、を有する半導体装置の製造方法である。本発明によれば、酸素をゲッタリングすることで、電流コラプスを抑制することが可能な半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）