【課題】バックアップ後にシステムの変更やシステムのバージョンアップが行われても、バックアップ前の処理結果と同一の処理結果を得ることができるバックアップ装置およびバックアッププログラムを提供する。
【解決手段】バックアップ装置２には、各アプリケーションタイプのデータを処理するために必要な情報が記述された実行環境定義ファイルが用意される。バックアップ処理が実行されると、データバックアップ部２５２がバックアップ対象のデータファイルをバックアップするとともに、モジュールバックアップ部２５１が実行環境定義ファイルの記述内容に基づきモジュールファイルをバックアップする。また、リストア処理が実行されると、実行環境定義ファイルの記述内容に基づき、データリストア部２５５がデータファイルをリストアし、モジュールリストア部２５４がモジュールファイルをリストアする。 （もっと読む）

【課題】基板へのダメージを抑制しつつ、処理液による処理時間を短縮することができる二流体ノズル、ならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル３は、外筒２３、内筒２４および中間筒２５を含む。内筒２４の内部空間は、ＤＩＷが流通する直線状の第１処理液流路２６となっている。内筒２４と中間筒２５との間には、窒素ガスが流通する円筒状の気体流路２７が形成されおり、中間筒２５と外筒２３との間には、ＤＩＷが流通する円筒状の第２処理液流路２８が形成されている。第１処理液流路２６の下端は、ＤＩＷを吐出する円状の第１処理液吐出口３０となっており、気体流路２７の下端は、第１処理液吐出口３０を取り囲み窒素ガスを吐出する円環状の気体吐出口３１となっている。また、第２処理液流路２８の下端は、気体吐出口３１を取り囲みＤＩＷを吐出する円環状の第２処理液吐出口３４となっている。 （もっと読む）

【課題】連続して加熱処理を行う全ての基板について安定して均一な熱処理を行うことができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。
【解決手段】熱処理装置１においては、チャンバー６に搬入されて支持ピン７０に載置された半導体ウェハーＷを保持部７が上昇して受け取る。保持部７によって透光板６１に近接保持された半導体ウェハーＷはホットプレート７１によって予備加熱された後にフラッシュランプ６９からの閃光照射によってフラッシュ加熱される。その後、保持部７が下降して半導体ウェハーＷが支持ピン７０に渡されてチャンバー６から搬出され、新たな半導体ウェハーＷが搬入される。保持部７のかかる一連の昇降動作をロットの最初の半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入される前の待機状態中にも行うようにする。 （もっと読む）

【課題】動作を伴う基板や処理中の基板上のチップの温度または温度分布をインラインで計測して、基板の検査工程を行う前の段階で基板上のチップの異常を検出できる基板処理システムを提供する。
【解決手段】ホットプレート１０によって加熱処理されている基板Ｗ上の複数のチップの温度または温度分布をサーモグラフィ２８により同時に計測して監視する。基板上のチップの温度または温度分布の異常が検出されたときに、当該基板を検査工程へ移して異常のあったチップのみの検査を行ったり、それ以前の処理工程へ当該基板を戻したり、それ以後の処理工程において当該基板上の複数のチップのうち異常のあったチップのみの処理を行わないようにしたり、当該基板について異常のあったチップを順次記憶していき、当該基板について異常のあったチップの割合が所定の数値を超えたときに、当該基板を再生工程へ移したりする。 （もっと読む）

【課題】放熱フィンを容易に製造する。
【解決手段】放熱フィンの製造では、複数の吐出口を有するノズル部をベース部材の対象面に沿って相対的に移動しつつ、低軟化点ガラスフリットを含むとともに光硬化性を有するペーストが複数の吐出口から連続的に吐出され、さらに、対象面上に吐出された直後のペーストに光が照射される。これにより、微細なフィン８１を対象面上に配列形成して、ベース部材上にガラスを含む放熱フィンを容易に製造することができる。また、ベース部材上のフィンを焼成することにより、放熱フィンの大部分をガラスにて形成することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された複雑な構造（トレンチやホール）による乾燥不良を防止する。
【解決手段】処理槽３１において基板９に対する純水による洗浄処理を終了した後に、アルコール供給部３７から処理槽３１にアルコールを供給することにより、処理槽３１内の処理液９１をアルコールで置換する。また、チャンバ４０内の処理槽４１において基板９に対するフッ素系溶媒の液体による洗浄を行い、その後、処理槽４１から基板９を引き上げて、チャンバ４０内でフッ素系溶媒のガスで乾燥処理する。 （もっと読む）

【課題】処理対象に応じた処理を施すことができる二流体ノズルユニットおよびそれをそなえた基板処理装置を提供する。
【解決手段】二流体ノズルユニット３は、ＤＩＷと窒素ガスとを混合させてＤＩＷの液滴を形成する第１二流体ノズル９および第２二流体ノズル１０と、これら第１および第２二流体ノズル９，１０を一体保持するノズル保持部材１１とを有している。第１二流体ノズル９からは小流量で窒素ガスが吐出されるようになっており、パターンへのダメージを抑制した処理をウエハＷに施すことができる。また、第２二流体ノズルからは大流量で窒素ガスが吐出されるようになっており、パーティクル除去率の高い処理をウエハＷに施すことができる。第１および第２二流体ノズル９，１０から選択的にＤＩＷの液滴を吐出させることにより、ウエハＷの表面状態に応じた適切な処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板の一方面の全域に対して、薬液による処理を均一に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの上面１０の中央部には、高温（たとえば、８０℃）のＡＰＭが供給され、下面１１の中央部には、常温（たとえば、２２〜２３℃）のＤＩＷが供給される。ウエハＷの上面１０にＡＰＭが供給されると、ウエハＷの上面１０の中央部との間で熱交換が行われる。一方で、ウエハＷの下面１１に供給される低温のＤＩＷは、熱交換によりウエハＷの中央部に与えられた熱を受けて、ウエハＷの中央部を冷却する。そして、熱を受けたＤＩＷがウエハＷの中央部から周縁部に向けて流れる。ウエハＷの中央部および周縁部の温度は約４０〜４５℃で拮抗する。 （もっと読む）

【課題】気体の吐出流量を変更して処理対象に応じた処理を施すことができる二流体ノズルおよびそれをそなえた基板処理装置を提供する。
【解決手段】ＤＩＷの液滴をウエハＷに供給するための二流体ノズル３には、ＤＩＷを吐出する円状の処理液吐出口２８と、処理液吐出口２８を取り囲む第１気体吐出口２９と、第１気体吐出口２９を取り囲む第２気体吐出口３１とが形成されている。第１気体吐出口２９からは小流量で窒素ガスが吐出されるようになっており、第２気体吐出口３１からは大流量で窒素ガスが吐出されるようになっている。第１および第２気体吐出口２９，３１への窒素ガスの供給を制御装置によって制御することにより、一つの二流体ノズル３で、大流量での窒素ガスの吐出と、小流量での窒素ガスの吐出とを行うことができる。これにより、表面状態に応じた処理をウエハＷに施すことができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたシリコン窒化膜のエッチングレートを一定に維持することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】浸漬処理槽１０に貯留されているリン酸水溶液は、循環ライン２０を通して循環されている。シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜が形成された基板Ｗが浸漬処理槽１０のリン酸水溶液中に浸漬されることによってシリコン窒化膜の選択的なエッチング処理が進行する。再生ライン３０は、循環ライン２０を通して循環されるリン酸水溶液の一部を取り出して再生装置３１によりシロキサンを回収・排出してリン酸水溶液を再生する。制御部４０は、出側濃度計２４および入側濃度計３２の測定結果に基づいて流量調整弁３３を制御し、浸漬処理槽１０に貯留されているリン酸水溶液中に含まれるシロキサンの濃度が一定となるように浸漬処理槽１０に還流するリン酸水溶液の流量を調整する。 （もっと読む）