【課題】イリジウムの精製、回収に際して、比較的安価で利用できる活性炭を利用し、この活性炭に吸着させたイリジウム、ルテニウムから高効率でイリジウムを回収する。
【解決手段】本発明は、イリジウムおよびルテニウムが吸着した活性炭からイリジウムを精製、回収するイリジウムの回収方法であって、イリジウム／ルテニウムが吸着した活性炭を焼却する焼却工程（Ｓ１）と、前記焼却工程で得られた焼却灰を塩化揮発により不純物を除去する塩化揮発工程（Ｓ２）と、塩化揮発残渣のイリジウム／ルテニウムを可溶塩化する可溶塩化工程（Ｓ３）と、前記可溶塩化工程で得られた塩から水を用いてイリジウムおよびルテニウムを浸出する浸出工程（Ｓ４）と、前記浸出工程で得られた水浸出液からルテニウムを蒸留して除去するルテニウム蒸留工程（Ｓ５）と、前記ルテニウム蒸留工程で得られた蒸留後液において、イリジウムを晶析させる晶析工程（Ｓ６）と、を有する方法である。 （もっと読む）

【課題】低濃度の銀溶液から、簡易な装置で、効率的に高純度の銀を回収する方法を提供する。
【解決手段】銀濃度が１００ｍｇ／Ｌ以下の酸性水溶液から、トリブチルリン酸を抽出剤として銀を溶媒抽出した後、前記溶媒中の銀を回収する銀の回収方法で、好ましくは、銀の回収物の銀品位が５０％以上である。さらに、銀の溶媒抽出における抽出ｐＨが１．０以下に制御され、溶媒中の銀を回収する工程が、銀を含んだ溶媒から銀を逆抽出する工程と、逆抽出によって得られた銀溶液からセメンテーションにより銀を回収する工程とを含み、銅成分を用いてセメンテーションした場合、セメンテーション後の銀を分離した液を、逆抽出剤へ供給して繰り返し使用する。逆抽出剤として、銀濃度が０．５ｇ／Ｌ以上のチオ硫酸ソーダ溶液や塩酸、食塩溶液又は硝酸を用いる。 （もっと読む）

【課題】放熱性、繰返し曲げ加工性、及び、形状維持性に優れた銅合金板を提供する。
【解決手段】Ａｇを０〜１．０質量％、Ｔｉを０〜０．０８質量％、Ｎｉを０〜２．０質量％、Ｚｎを０〜３．５質量％、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｎ、及びＺｒの群から選択された一種以上を合計で０〜０．５質量％含有し、残部Ｃｕ及び不純物からなり、導電率が６０％ＩＡＣＳ以上であり、引張強さが３５０ＭＰａ以上であり、板表面の法線方向のステレオ三角に対し、ベクトル法による表示で用いられる等面積分割を行って得られたボックス番号１の結晶方位の集積度が１以上である銅合金板。 （もっと読む）

【課題】大面積のグラフェンを高品質かつ低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】表面粗さRzが0.5μｍ以下であり、表面において(111)面の割合が60%以上を占めるグラフェン製造用銅箔１０である。 （もっと読む）

【課題】大面積のグラフェンを高品質かつ低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】表面粗さＲｚが０．５μｍ以下であり、表面において（１１１）面の割合が６０％以上であり、Ｃｕめっき層及び／又はＣｕスパッタ層からなるグラフェン製造用銅箔１０であり、又、所定の室内に加熱した前記グラフェン製造用銅箔１０を配置すると共に、水素ガスと炭素含有ガスを供給し、グラフェン製造用銅箔１０の銅めっき層の表面にグラフェンを形成するグラフェン形成工程と、グラフェンの表面に転写シートを積層し、グラフェンを転写シート上に転写しながら、グラフェン製造用銅箔１０をエッチング除去するグラフェン転写工程とを有する、グラフェン２０の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高強度及び高ノッチ曲げ性を兼備したＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】０．５〜３．０質量％のＣｏ及び０．１〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、板厚方向の中央部において、板厚方向と平行にＥＢＳＤ測定を行い、結晶方位を解析したときに、Ｃｕｂｅ方位｛０ ０ １｝＜１ ０ ０＞の面積率が１０〜８０％、Ｂｒａｓｓ方位｛１ １ ０｝＜１ １ ２＞の面積率が２０％以下、Ｃｏｐｐｅｒ方位｛１ １ ２｝＜１ １ １＞の面積率が２０％以下であるＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金。 （もっと読む）

【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】純度が99.95質量％以上のＣｕからなるグラフェン製造用銅箔である。 （もっと読む）

【課題】高強度及び高ノッチ曲げ性を兼備したＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】０．５〜３．０質量％のＣｏ及び０．１〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、板厚に対し４５〜５５％の断面位置である板厚方向の中央部において、板厚方向と平行にＥＢＳＤ測定を行い、結晶方位を解析したときに、次式で定義されるＰが１〜８であるＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金：
Ｐ＝（Ｆ１＋０．２×Ｆ２）／（Ｆ３＋Ｆ４）
（ただし、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３及びＦ４は、それぞれ、｛１ ０ ０｝＜０ ０ １＞、｛０ １ ２｝＜１ ０ ０＞、｛３ ６ ２｝＜８ ５ ３＞及び｛２ ３ １｝＜３ ４ ６＞の各方位の面積率である）。 （もっと読む）

【課題】導電性、強度、及び曲げ加工性のバランスが改良されたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ系銅合金を提供する。
【解決手段】Ｎｉ：１．０〜２．５質量％、Ｃｏ：０．５〜２．５質量％、Ｓｉ：０．３〜１．２質量％を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなり、Ｓｉの質量濃度に対するＮｉとＣｏの合計質量濃度の比［Ｎｉ＋Ｃｏ］／Ｓｉが３．５≦［Ｎｉ＋Ｃｏ］／Ｓｉ≦５．５であり、圧延方向に平行な断面において粒径が１〜５０ｎｍの範囲にある第二相粒子の平均粒径が２〜１５ｎｍであり、且つ、当該第二相粒子同士の平均距離が１０〜５０ｎｍである電子材料用銅合金。 （もっと読む）

【課題】高強度及び高ノッチ曲げ性を兼備したコルソン合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｉ及びＣｏのうち一種以上を０．８〜５．０質量％、Ｓｉを０．２〜１．５質量％含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなる圧延材であり、板厚に対し４５〜５５％の断面位置である板厚方向の中央部において、板厚方向と平行にＥＢＳＤ測定を行い、結晶方位を解析したときに、Ｃｕｂｅ方位｛０ ０ １｝＜１ ０ ０＞に配向する結晶の面積率が５％以上であり、さらに＜１ １ １＞方向が圧延材の幅方向（ＴＤ）に配向する結晶の面積率が５０％以下であるコルソン合金。 （もっと読む）