【課題】酸に弱い素材の部品にも適用することができ、Ｓｎ及びＳｎ合金に耐酸化性を付与し、はんだ濡れ性を改善する表面処理剤を提供する。更に、Ｓｎ及びＳｎ合金のウィスカーの発生を抑制する表面処理剤を提供する。
【解決手段】接続端子部の導体表面にＳｎまたはＳｎ合金めっきを施した電子部品、はんだボール、はんだ粉末からなる群から選ばれるＳｎ及びＳｎ合金表面の表面処理を行うための、タンニン酸を０．０１ｇ／Ｌ以上含むことを特徴とする表面処理剤 （もっと読む）

【課題】折り曲げ加工性に優れたフレキシブルプリント配線板用銅箔、及び、それを用いた銅張積層板、フレキシブルプリント配線板及び電子機器を提供する。
【解決手段】結晶方位が００１方位を中心に１０°の範囲にある面積Ａの割合が１０％以上である断面を有するフレキシブルプリント配線板用銅箔。 （もっと読む）

【課題】充放電を繰り返してもクラックや破断が抑制される二次電池負極集電体用圧延銅箔、Ｌｉイオン二次電池用負極材及びＬｉイオン二次電池を提供する。
【解決手段】結晶金属組織の測定点ａに電子線照射して得られた結晶方位と、測定点ａの周囲２００ｎｍ離間した隣接測定点に電子線照射し得られた結晶方位の方位角度差平均値が０．４°未満である測定点ａを中心とし、測定点ａと各辺の距離が１００ｎｍである正六角形の面積Ａ、面積Ａの合計を面積ＡＴとし、結晶金属組織の測定点ｂに電子線照射して得られた結晶方位と、測定点ｂの周囲２００ｎｍ離間した隣接測定点に電子線照射して得られた結晶方位の方位角度差平均値が０．４°以上２．０°未満である測定点ｂを中心とし、測定点ｂと各辺の距離が１００ｎｍである正六角形の面積Ｂとし、面積Ｂの合計を面積ＢＴとし、面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）＜２０（％）を満たす二次電池負極集電体用圧延銅箔。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波発生器やテラヘルツ波検出器等のテラヘルツ帯デバイスにおいて優れた特性を発揮できるテラヘルツ帯デバイス用ＺｎＴｅ薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】テラヘルツ帯デバイス用ＺｎＴｅ薄膜において、気相成長法によって基板上に気相成長され、厚さが５〜１０μｍであり、厚さのばらつきの範囲が厚さの１０％以内である。
また、テラヘルツ帯デバイス用ＺｎＴｅ薄膜の製造方法において、基板上にＺｎＴｅ下地層を１０〜２００オングストロームの厚さで形成する工程と、前記ＺｎＴｅ下地層上にＺｎＴｅ層を５〜１０μｍの厚さで気相成長させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】コネクタ、端子、リレー、スイッチ等の導電性ばね材として好適な、優れた強度、曲げ加工性を備えたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】１．０〜４．５質量％のＮｉ及び０．２〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、ＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂａｃｋ−Ｓｃａｔｔｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ：電子後方散乱回折）測定を行い、結晶方位を解析したときに、Ｃｕｂｅ方位｛０ ０ １｝＜１ ０ ０＞の面積率が５％以上、Ｂｒａｓｓ方位｛１ １ ０｝＜１ １ ２＞の面積率が２０％以下、Ｃｏｐｐｅｒ方位｛１ １ ２｝＜１ １ １＞の面積率が２０％以下であり、加工硬化指数が０．２以下であるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金。 （もっと読む）

【課題】両面銅張積層板を製造する際に、折れを抑制することができる両面銅張積層板用圧延銅合金箔、及びそれを用いた両面銅張積層板の製造方法を提供する。
【解決手段】添加元素としてＡｇを５０〜３００質量ｐｐｍ含み、残部がＪＩＳ−Ｈ３１００-Ｃ１１００に規定するタフピッチ銅、又はＪＩＳ−Ｈ３１００-Ｃ１０２０に規格する無酸素銅からなる銅合金箔であって、１５０℃で３０分間の焼鈍を施したときに圧延方向のヤング率が９０〜１２０ＧＰａとなり、３５０℃で３０分間焼鈍を施したときに圧延方向のヤング率が６０〜７５ＧＰａとなる両面銅張積層板用圧延銅合金箔４である。アプリケーションロール１０、１１等を用いて、片面にワニス状の樹脂組成物２ａを塗布し、乾燥装置１５で硬化させた、両面銅張積層板用圧延銅合金箔４に対し、コイル状の第２の銅箔６を連続的に巻出し、加熱されたラミネートロール２０、２１の間に連続的に通箔し製造する。 （もっと読む）

【課題】ファインピッチ化に適した、裾引きが小さい断面形状の回路を製造可能なプリント配線板用銅箔及びそれを用いた積層板を提供する。
【解決手段】銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆し、且つ、Ａｕ、Ｐｔ及びＰｄからなる群から選択された１種以上を含む被覆層とを備え、前記被覆層におけるＡｕの付着量が２００μｇ／ｄｍ²以下、Ｐｔの付着量が２００μｇ／ｄｍ²以下、Ｐｄの付着量が１２０μｇ／ｄｍ²以下であるプリント配線板用銅箔。 （もっと読む）

【課題】へたりの発生が著しく抑制されたコルソン合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｉ及びＣｏのうち一種以上を０．８〜４．５質量％、Ｓｉを０．２〜１．０質量％含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、９０度方向（度は銅箔の圧延平面における圧延方向と成す角度、以下同様）のヤング率（曲げたわみ係数）が１００〜１２０ＧＰａであり、４５度方向のヤング率（曲げたわみ係数）が１４０ＧＰａ以下であるコルソン合金。 （もっと読む）

【課題】連続スパッタ時においても、ノジュールやパーティクルの発生を抑制することができるとともに、膜特性の均一性の高い膜が得られるＧＴＯスパッタリングターゲット、特にＦＰＤ用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｇａ_２Ｏ_３が１〜２０ｍｏｌ％、残部ＳｎＯ_２及び不可避的不純物からなるスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットであって、当該酸化物焼結体ターゲットの組織に観察される相において、相対密度が９７％以上、バルク抵抗率が１０００Ωｃｍ以下であることを特徴とするスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。 （もっと読む）

【課題】安価なコストで、高純度のタングステンを回収する方法を提供する。
【解決手段】タングステン成分を含有する原料混合物に対して、アルコールアミンを含有する電解液を用いて電気分解を行う工程を含むタングステンの回収方法。 （もっと読む）