【課題】被加工材とレジストのエッチングの選択比を高くすることのできるエッチング方法、、このエッチング方法により加工されたサファイア基板、及び、このサファイア基板を備える発光素子を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置を用いたエッチング方法であって、被加工材上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜に所定のパターンを形成するパターン形成工程と、前記パターンが形成された前記レジスト膜を所定の変質用条件にてプラズマに曝し、前記レジスト膜を変質させてエッチング選択比を高くするレジスト変質工程と、被加工材を変質用条件と異なるエッチング用条件にてプラズマに曝し、エッチング選択比が高くなった前記レジスト膜をマスクとして被加工材のエッチングを行う被加工材のエッチング工程と、を含むようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体層と透光性基板の間の反射を抑制して光の取り出し効率を向上させる。
【解決手段】半導体発光素子において、基板２の表面上に形成され発光層を含む半導体積層部１９と、基板の表面側に形成され発光層から発せられる光が入射し光の光学波長より大きく光のコヒーレント長より小さい周期で凹部又は凸部が形成された回折面２ａと、基板２の裏面側に形成され回折面２ａにて回折した光を反射して回折面へ再入射させる反射面２８と、を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】蛍光量子効率を向上して光の変換効率を向上させることのできる蛍光基板と、これを備えた発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置において、ドナー不純物とアクセプタ不純物とを含む６Ｈ型ＳｉＣ結晶からなる蛍光基板と、前記蛍光基板上に複数の窒化物半導体層により形成され、前記蛍光基板をドナー・アクセプタ・ペアにより発光するための励起光を発する発光部と、を備え、前記ドナー不純物の濃度をＣ_Ｄ、前記アクセプタ不純物の濃度をＣ_Ａ、アクセプタイオン化エネルギーをＥｉとしたときに、前記アクセプタ不純物のイオン化エネルギーが０．３ｅＶを超えた領域においては、Ｃ_Ｄ[ｃｍ^−３]−Ｃ_Ａ[ｃｍ^−３]≧４．７６×１０^１８×Ｅｉ[ｅＶ]−１．４３×１０^１８の関係を満たし、前記アクセプタ不純物のイオン化エネルギーが０．３ｅＶを超えない領域においては、Ｃ_Ｄ[ｃｍ^−３]−Ｃ_Ａ[ｃｍ^−３]≦４．７６×１０^１８×Ｅｉ[ｅＶ]−１．４３×１０^１８の関係を満たすようにした。 （もっと読む）

【課題】蛍光体に過大な力を加えることなく製造することができ、得られる蛍光体粉末の大きさのばらつきを抑制することのできる直方体状の蛍光体粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】蛍光体粉末を製造するにあたり、成長基板上に、所定の励起光で励起されると波長変換光を発する単結晶の蛍光体を成長させる蛍光体成長工程と、成長された単結晶の蛍光体を機械的に分割して直方体状の蛍光体粉末とする分割工程と、により、直方体状の粉末が得られるようにした。 （もっと読む）

【課題】蛍光ガラスの光学的挙動を活かした発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１において、光源３と、母体に発光中心をなす希土類イオンが含まれ、光源３から発せられる光が入射する入射面７ａと、波長変換された光を出射する出射面７ｂと、を有するガラス蛍光体７と、を備え、ガラス蛍光体７は、側面７ｃの少なくとも一部が、入射側から出射側へ向かって拡がるよう光軸７ｄに対して傾斜する傾斜面をなしている。 （もっと読む）

【課題】半導体層と透光性基板の間の反射を抑制して光の取り出し効率を向上させる。
【解決手段】半導体発光素子において、基板の表面上に形成され発光層を含む半導体積層部と、基板の表面側に形成され発光層から発せられる光が入射し当該光の光学波長より大きく当該光のコヒーレント長より小さい周期で凹部又は凸部が形成された回折面と、基板の裏面側に形成され回折面にて回折した光を反射して回折面へ再入射させる反射面と、を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】蛍光量子効率を向上して光の変換効率を向上させることのできる蛍光基板と、これを備えた発光装置を提供する。
【解決手段】蛍光基板において、６Ｈ型ＳｉＣ結晶からなり、ドナー不純物として濃度が４×１０^１９ｃｍ^−３以下の窒素を含み、アクセプタ不純物として濃度が７×１０^１８ｃｍ^−３以上のホウ素を含み、窒素の濃度が、ホウ素の濃度に対して２×１０^１８ｃｍ^−３以上高く、ホウ素の濃度の２倍に対して８×１０^１８ｃｍ^−３以上低いようにした。 （もっと読む）

【課題】量産時における色合いの制御が的確に行うことができ、出力、温度等が変化しても色合いの変化を抑制することができる発光素子を提供する。
【解決手段】単結晶基板１０１の上に少なくとも第１のｎ型半導体層１０３、活性層１０４、ｐ型半導体層１０６及び第２のｎ型半導体層１０９をこの順に有し、単結晶基板１０１は第１のドナー性不純物及び第１のアクセプタ性不純物が添加され活性層１０４から放出される光により励起されると蛍光を生じる第１蛍光領域を含み、第２のｎ型半導体層１０９は第２のドナー性不純物及び第２のアクセプタ性不純物が添加され活性層１０４から放出される光により励起されると蛍光を生じる第２蛍光領域を含んでいる。 （もっと読む）