【課題】シリコン単結晶インゴットの育成効率を低下させることなく、熱処理装置の大型化、煩雑化を防止し、かつ、熱処理時におけるスリップ転位の発生や不純物汚染を抑制することができ、ウェーハの表層部及びバルク部においてもＣＯＰやＢＭＤ等の欠陥を低減させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりＶ−リッチ領域からなる酸素濃度が０．８×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ｏｌｄ−ＡＳＴＭ）以下であるシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、インゴットを切断してＶ−リッチ領域からなるスライスウェーハを得る工程と、スライスウェーハの表裏面を平坦化処理し、更にエッチング処理する工程と、エッチング後のウェーハを、熱処理用部材を用いて枚葉で単数又は複数保持して酸化性ガス雰囲気中、１１５０℃以上１２００℃以下の最高到達温度で５分以上１０時間以下熱処理する工程と、酸化膜を除去する工程と、少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を鏡面研磨する工程と、を備える （もっと読む）

【課題】引き上げる単結晶の大きさに拘わらず、１．３×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の高酸素濃度を有する単結晶を有転位化させることなく育成することができる単結晶引上方法を提供する。
【解決手段】単結晶Ｃを引き上げる際、炉内圧力を４０〜８０ｔｏｒｒ、ルツボ回転数を３〜８ｒｐｍの間で制御すると共に、上下一対の電磁コイル１３，１４により印加される上部磁場と下部磁場の磁場強度比（上部磁場／下部磁場）を０．７〜０．９５の間で制御し、かつ、シリコン溶融液Ｍの液面Ｍ１を０（ｍｍ）位置とし、前記液面Ｍ１に対して垂直である鉛直方向における前記液面Ｍ１から上方向を正の方向、前記液面Ｍ１から下方向を負の方向としたとき、前記単結晶Ｃの中心軸上の前記鉛直方向における磁場強度が０（ガウス）となる０磁場水平位置を−１０〜＋１００ｍｍの間に制御する。 （もっと読む）

【課題】より簡便な方法で、ライフタイム測定までの時間を短縮し、かつ、高精度でバラツキの少ないライフタイム値を得ることができるシリコンウェーハのライフタイム評価方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハの表面にゲート酸化膜を形成して、水銀プローブ法によりライフタイムを評価する方法において、フタル酸エステル化合物を容器内に収容した後、その中に前記ウェーハを入れることにより、前記ゲート酸化膜表面にフタル酸エステル化合物を付着させた後にライフタイムの測定を行う。 （もっと読む）

【課題】炭素繊維束を多層の異なる炭素組織で充填し、炭素繊維束に界面を複数形成することにより高いすべり効果を炭素繊維束の内部に付与し、強化用繊維材料の破壊エネルギーを向上させる強化用繊維材料と強化用繊維材料を用いた繊維強化セラミックス複合材料及びこれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】炭素を含む複数本の繊維束と、繊維束の表層の繊維間に形成され、層状構造の炭素からなる層状構造炭素組織と、層状構造炭素組織の内部を充填するように形成され、樹脂を含有する炭素からなる樹脂由来炭素組織と、層状構造炭素組織と樹脂由来炭素組織との間に存在する少なくとも一つの界面と、を備えることを特徴とする強化用繊維材料。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造において、グローイン欠陥の発生を抑制すると共に、結晶の有転位化を抑制することができる単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】ルツボ３の上方に設けられ、上部と下部とが開口形成されて、引き上げられる単結晶Ｃの周囲を包囲すると共に、前記単結晶を冷却する冷却筒７を備え、前記冷却筒７の内周面側には、複数の環状凹部７ａが周方向に沿って並列状に形成されている。このような構成により、単結晶Ｃからの輻射熱は前記冷却筒７によって単結晶に向けて反射されることが無く、複数の環状凹部７ａにおいて効果的に吸収されるので、単結晶Ｃを効率よく冷却することができる。 （もっと読む）

【課題】作業時間を短縮でき、また研削面、研磨面の面精度を向上させることができる板状体の加工方法を提供する。
【解決手段】凹凸のある板状体１の裏面の三次元形状を形状測定装置により測定し、データに基づいて、板状体１の裏面の凹部のみならず凸部にも塗布され、塗布された紫外線硬化型インク３の上面が板状体１の裏面全体で一定の高さになるように、所定の厚さを有しかつ平面視上矩形形状あるいは円形形状に塗布され、所定の間隔Ｓをもって複数個形成されるように塗布しながら、紫外線照射装置によって前記インク３を固化させる塗布固化工程と、前記工程の後、板状体１裏面を下にして定盤に固定した際、定盤の上面に、固化したインク部３のみが接し、板状体１が定盤に部分的にも接しないように固定し、板状体１表面を研磨あるいは研削する工程と、前記工程の後、板状体１を上下反転して、定盤に固定し、板状体１の裏面を研磨あるいは研削する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】より高いしきい値電圧と電流コラプス改善を両立できる、ノーマリーオフ型の高耐圧デバイスに好適な窒化物半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、前記基板１の一主面上に形成されるバッファー層２と、前記バッファー層２上に形成される中間層３と、前記中間層３上に形成される電子走行層４と、前記電子走行層４上に形成される電子供給層５とを含む窒化物半導体基板１０において、前記中間層３を厚さ２００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下、炭素濃度５×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上１×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下のＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０．０５≦ｘ≦０．２４）とし、前記電子走行層４が厚さ５ｎｍ以上２００ｎｍ以下のＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ≦０．０４）とする。 （もっと読む）

【課題】冷却時における石英ガラスルツボの食い込みを抑制でき、石英ガラスルツボを破壊することなく、石英ガラスルツボを容易に取り外すことができ、更には珪化を抑制できるルツボ及びこのルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】溶融材料を収容する石英ガラスルツボを支持、保持するために用いられる、底部と、前記底部の上方に設けられた直胴部とを有するルツボであって、前記底部が黒鉛材で形成されると共に、前記直胴部が、引張弾性率が４００ＧＰａ以上９００ＧＰａ以下のピッチ系炭素繊維を用いた炭素繊維織布を含む炭素繊維強化炭素複合材から形成され、かつ常温から８００℃に昇温した際の直胴部の周方向の平均線熱膨張係数が、石英ガラスの平均線熱膨張係数以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】冷却時における石英ガラスルツボの食い込みを抑制でき、石英ガラスルツボを破壊することなく、容易に取り外すことができ、更には珪化を抑制できる、特定の物性を有する炭素繊維強化炭素複合材からなる炭素繊維強化炭素複合円筒部材及び炭素繊維強化炭素複合円筒部材の製造方法、並びに炭素繊維強化炭素複合材ルツボ及びこのルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】溶融材料を収容する石英ガラスルツボを支持、保持するために用いられ、底部２２と、前記底部の上方に設けられた直胴部（円筒部材）２１とを有する炭素繊維強化炭素複合材ルツボ２０であって、少なくとも前記直胴部（円筒部材）が、引張弾性率が４００ＧＰａ以上９００ＧＰａ以下のピッチ系炭素繊維を用いた炭素繊維織布を含む炭素繊維強化炭素複合材から形成され、かつ常温から８００℃の温度域における直胴部の周方向の平均線熱膨張係数が、石英ガラスの平均線熱膨張係数以下である。 （もっと読む）

【課題】単結晶のネック部を所定径まで拡げるクラウン工程において、結晶中のドーパント濃度の面内均一性を向上し、結晶の有転位化を抑制する。
【解決手段】種結晶Ｐをルツボ３内のシリコン融液Ｍに接触させ、前記ルツボからチョクラルスキー法によりシリコン単結晶Ｃを引き上げる単結晶引上方法であって、前記種結晶から形成した単結晶のネック部Ｐ１を所定径まで拡げたクラウン部Ｃ１を形成する工程において、前記クラウン部の径をｄ（ｍｍ）、前記クラウン部の引上方向長さをＬ（ｍｍ）とすると、結晶回転速度ｓω（ｒｐｍ）とルツボ回転速度ｃω（ｒｐｍ）とは、式（１）及び式（２）により規定する回転速度に制御される。
［数１］
ｓω＝α／（ｃω×ｄ） ・・・（１）
α＝４×１０-^４×Ｌ^４−３×１０-^７×Ｌ^３−６×１０-^５×Ｌ^２−０．００６９×Ｌ＋０．３ ・・・（２） （もっと読む）