【課題】本発明の目的は、触媒の組み合わせによるメタンの芳香族化のための方法およびシステムを提供することである。
【解決手段】メタンを含む加熱反応ガスを第一の触媒および第二の触媒と接触させて、芳香族炭化水素の生成を触媒する。第一の触媒はメタンの芳香族化の触媒に関して第二の触媒よりも活性であり、第二の触媒はエタンの芳香族化の触媒に関して第一の触媒よりも活性である。反応ガスから芳香族炭化水素を生成するための反応器は、反応ガスをその内部で反応させるための反応ゾーンを画定する導管を有していてもよく、第一および第二の触媒は反応ゾーン内に配置してもよい。 （もっと読む）

【課題】低減された反射率を示すケイ素基板を製造するための方法を提供すること。
【解決手段】本開示は、ケイ素を含む基板上にナノ構造を提供する方法であって、（ａ）前記基板の表面上に遷移金属の層を堆積させるステップと、（ｂ）前記遷移金属の層をアニールして、パターン化遷移金属層を形成させるステップと、（ｃ）前記基板をエッチングして、前記基板表面上にナノ構造を形成させるステップとを含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】樹脂基材上に構造を形成するための方法を提供すること。
【解決手段】前記方法は、（ａ）一定の表面パターンを有するモールドを、光分解性アモルファスポリマー基材上に支持された紫外線（ＵＶ）硬化性樹脂基材に接触させるステップであって、前記一定の表面パターンが前記ＵＶ硬化性樹脂基材上に構造を形成するステップ；（ｂ）ＵＶ放射に前記ＵＶ硬化性樹脂を曝すことによって、前記アモルファスポリマー基材上に支持された前記ＵＶ硬化性樹脂を硬化させるステップ；及び（ｃ）前記硬化した樹脂を前記モールドから分離するステップを含む。本発明は、さらに、前記を行うための装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、反射防止階層構造を提供することにある。
【解決手段】生物模倣型反射防止階層構造、複合反射防止階層構造、および生物模倣型反射防止階層構造のパターンを含む反射防止面が提供される。反射防止階層構造は、一次構造の1つまたは複数のクラスタ、および各一次構造上に形成された複数の二次構造を含む。一次構造は、約2マイクロメートルの主寸法を有するマイクロメートル範囲の寸法を有する。各二次構造は、ピッチおよび高さが約300ナノメートルであるナノメートル範囲の寸法を有する。 （もっと読む）

【課題】エレクトロウェッティング方式が有している、液体蒸発、接触角ヒステリシス、低焦点距離調整性、及び高い駆動電圧等の問題を改良できる可変焦点マイクロレンズを提供する。
【解決手段】マイクロレンズチップ２０１は、可変焦点流体マイクロレンズ２４１及びアクチュエータ２４５を備える。アクチュエータは、マイクロレンズチップの流体チャンネル２４０の圧力を変え、この流体チャンネルは、マイクロレンズを含むアパーチャ開口部２３９に結合されている。アクチュエータに電界を印可することで、流体チャンネルの流体圧力の変化が生じ、これが、今度は、流体マイクロレンズの曲率半径（すなわち、焦点距離）を変える。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板上に形成されたシリコンベース電気光学装置における、高効率な光接続を実現し、高速動作と光伝搬損失の低減とを両立させることができる電極接続構造を提供する。
【解決手段】電気光学装置において、第１の導電型の第１のシリコン半導体層と第２の導電型の第２のシリコン半導体層との積層構造がリブ導波路形状を有して光の閉じ込め領域を構成し、リブ導波路のスラブ部分に、金属電極が接続された領域を設ける。金属電極が接続された領域においてスラブ部分の厚さをその周囲のスラブ部分の厚さよりも大きくする。金属電極が接続された領域までのリブ導波路からの距離を変化させたときにリブ導波路の０次モードの実効屈折率が変化しないようなその距離の範囲内に、金属電極が接続された領域を設定する。 （もっと読む）

部分的に分化した細胞または完全に分化した細胞において多能性を誘導する能力を獲得したかまたは該能力が亢進した変異Sox2タンパク質、変異Sox7タンパク質、および変異Sox17タンパク質が、本発明において提供される。Sox7およびSox17がSox2に一部類似するよう変異しているか、またはSox2がSox7もしくはSox17に一部類似するよう変異している。一つの局面において、Sox7またはSox17のOct4接触界面が変異している。別の局面において、Sox2の高移動度群（high mobility group）（HMG）が、Sox7またはSox17のC末端活性化ドメインに融合される。変異Sox2タンパク質、変異Sox7タンパク質、または変異Sox17タンパク質を使用した多能性の誘導に関する方法も提供される。

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式(I)または(II)で表されるポリマー鎖を含むポリマーを提供する。式(I)において、a、b、c、dおよびnは整数であり、aは0〜3であり、bは1〜5であり、cは1〜3であり、dは1〜5であり、かつnは2〜5000であり; R¹およびR²は側鎖であり; R³およびR⁴はそれぞれ独立してHまたは側鎖であり; かつaが0である場合、R³およびR⁴は側鎖である。式(II)において、a、b、c、d、eおよびnは整数であり、aは1〜3であり、bおよびcは独立して0または1であり、dおよびeは独立して1または2であり、かつnは2〜5000であり; R¹およびR²は-COOアルキルを除く側鎖であり; かつX¹、X²およびX³は独立してO、SまたはSeである。このポリマーを含む半導体およびデバイスも提供する。

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光導波路のコアが、凸部と凹部とを交互に有するグレーティング構造を有し、前記凹部におけるコアの幅が不均一である基板型光導波路デバイスの製造方法であって、高屈折率材料層を形成する高屈折率材料層形成工程と、前記高屈折率材料層の上に、フォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、位相シフト型のフォトマスクを用いて、遮光領域を前記フォトレジスト層上に形成する第１の露光工程と、バイナリ型のフォトマスクを用いて、遮光領域を前記フォトレジスト層上に形成する第２の露光工程と、前記フォトレジスト層を現像する現像工程と、前記現像工程により得られたフォトレジストパターンを用いて前記高屈折率材料層をエッチングするエッチング工程と、を有する基板型光導波路デバイスの製造方法。
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光導波路のコアの上面に、該コアより屈折率の低い低屈折率材料からなる溝部充填体で充填された溝部を有する基板型光導波路デバイスの製造方法であって、高屈折率材料層を形成する第１の高屈折率材料層形成工程と、前記高屈折率材料層の上に、前記低屈折率材料からなる低屈折率材料層を形成する低屈折率材料層形成工程と、前記低屈折率材料層の両側方を除去して前記溝部充填体を形成する溝部充填体形成工程と、前記溝部充填体の両側方を充填するように、高屈折率材料層を形成する第２の高屈折率材料層形成工程と、を有する基板型光導波路デバイスの製造方法。
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