【課題】ＰＧＭＥＡ等のエステル溶媒に対する高い溶解性に加えて、アルカリ溶媒への溶解性を有しているとともに、安価な原料のみで簡便に製造できるフラーレン誘導体並びにその溶液、及びその膜を提供する。
【解決手段】下記式（Ｉ）で表わされる
ことを特徴とするフラーレン誘導体。



（式（Ｉ）において、
Ｒ^１は１以上３以下の水酸基を含み、且つ水酸基以外の置換基を有していてもよい炭素数６〜１８の芳香族性を有する炭化水素基を表し、
ａは１以上１５以下のＲ^１の平均付加数を表し、
ｂは１以上１５以下のＨ（水素原子）の平均付加数を表し、
丸で示される構造はフラーレン骨格を表す。） （もっと読む）

【課題】超微細フォトレジストパターンを形成することができる感光性化合物およびこれを含むフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】
前記感光性化合物は下記反応工程式３に示すように、下記化学式の構造を有する。



前記化学式において、ｘは１から５の定数であり、ｙは２から６の定数であり、Ｒは炭素数２から２０の炭化水素基である。
前記フォトレジスト組成物は、前記化学式の構造を有する感光性化合物１から８５重量％と、前記化学式で示される化合物の水酸基（−ＯＨ）と反応して前記化学式で示される感光性化合物と結合する化合物１から５５重量％と、光酸発生剤１から１５重量％、および有機溶媒１２から９７重量％を含む。 （もっと読む）

【課題】ネガ型レジスト組成物用としての利用が可能な新規化合物、該化合物を合成する際の新規中間体化合物、ネガ型レジスト組成物および該ネガ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ａ−１）で表される化合物［式（Ａ−１）中、Ｚはラクトン環が加水分解されて開環したヒドロキシカルボン酸を有する基であり；Ｒ^１１〜Ｒ^１７はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基、アルケニル基または芳香族炭化水素基であって、その構造中にヘテロ原子を含んでもよく；ｇ、ｊはそれぞれ独立に１以上の整数であり、ｋ、ｑは０または１以上の整数であり；ｈは１以上の整数であり、ｌ、ｍはそれぞれ独立に０または１以上の整数であり；ｉは１以上の整数であり、ｎ、ｏはそれぞれ独立に０または１以上の整数であり；Ｘはアルキレン基、脂肪族環式基または芳香族環式基である。］。
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【課題】微細化に伴い半導体回路パターン寸法に対する要求精度がレジスト分子サイズに近づくと、レジストパターンのエッジラフネスによりデバイス性能が劣化し、システム性能に悪影響を及ぼす。
【解決手段】酸の作用によって化学変換され、アルカリ現像液に対する溶解性が減少する官能基を１分子あたり0以上6以下有する化合物の混合物であり、前記官能基以外の部分に、２個以上のトリフェニルメタン構造が非共役的に連結した構造を有し、前記官能基は多核フェノール化合物のフェノール性水酸基に結合しており、前記官能基を１分子あたり０個有する多核フェノール化合物が、重量比で１５％以下で、かつ、前記官能基を１分子あたり３個以上有する多核フェノール化合物が、重量比で４０％以下で、かつ、前記多核フェノール化合物に結合する前記官能基の数が、平均で１分子あたり２.5以下であることを特徴とするパターン形成用基材を使用する。 （もっと読む）

【課題】i線、g線等の紫外線のみならず、可視光線、KrF等のエキシマレーザー光、極端紫外線(EUV)、電子線、X線、イオンビーム等の放射線にも利用できる感放射線性レジスト組成物及びそれに用いるレジスト化合物を提供する。簡単な製造工程で、高解像度、高耐熱性かつ溶剤可溶性の非高分子系感放射線性レジスト組成物及びそれに用いるレジスト化合物を提供する。
【解決手段】(a)可視光線、紫外線、エキシマレーザー、極端紫外線(EUV)、電子線、X線、及びイオンビームからなる群から選ばれる何れかの放射線の照射により直接的又は間接的に架橋反応を起こす架橋反応性基を分子中に少なくとも１個有し、(b)分子中に、ウレア基、ウレタン基、アミド基、及びイミド基からなる群から選ばれる1種以上の官能基を有し、(c)分子量が500〜5000であり、(d)分岐構造を有する、という全ての条件を満たすレジスト化合物(A)を一種以上含むレジスト組成物、及び該レジスト化合物。 （もっと読む）

【課題】 ｎｍオーダのパターンラフネスの生成を十分に抑制できて素子特性の顕著な向上に寄与し得る基板用パターン形成方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の方法は、基板上にｐ−メチルヘプタアセトキシカリックス［７］アレーンに代表されるカリックス［７］アレーン化合物を主成分とする薄膜を形成する薄膜形成工程と、薄膜の所望領域に電子線等の高エネルギー線を照射して薄膜に潜像を形成する潜像形成工程と、潜像が形成された薄膜に対して潜像が形成された領域以外の領域を選択的に現像液に溶解させてパターンを形成するパターン形成工程とから選ばれる少なくとも１つの工程を含むものである。ｐ−メチルカリックス［７］アレーンは分子の大きさが１ｎｍ程度であり、しかも分子の対称性が低いため、１００ｎｍ以下の微細パターン形成時に生成されるパターンラフネスを極めて低いレベルまで低減することが可能となる。 （もっと読む）