【課題】熱ＣＶＤ法により薄膜付基板を好適に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】基板１０の薄膜を形成しようとする部分である成膜部１０ｃの他主面１０ｃ２に、基板１０に吸収される波長域の光を照射することにより成膜部１０ｃを加熱した状態で、成膜部１０ｃの一主面１０ｃ１に対向して配置したノズル３０から成膜部１０ｃの一主面１０ｃ１に向けて反応ガスを供給することにより薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】管状火炎を用いてガラス表面を汚染等することなく、極めて短時間で火炎研磨処理等が可能な管状火炎バーナ及び、それを用いたガラスの加工方法を提供する。
【解決手段】ブロック体と、円筒状の燃焼室と、燃料用整流路と、燃焼室の別の接線方向に沿って形成された酸素含有ガス用整流路と、燃料用整流路の法線方向に沿って形成された燃料用供給路と、酸素含有ガス用整流路の法線方向に沿って形成された酸素含有ガス用供給路と、を備えた管状火炎バーナ及び、それを用いたガラスの加工方法であって、円筒状の燃焼室において、燃料用供給路および燃料用整流路を介して導入された燃料と、酸素含有ガス用供給路および酸素含有ガス用整流路を介して導入された酸素含有ガスと、を混合燃焼させることを特徴とする。 （もっと読む）

基板の表面部分上でサブミリメートルの開口部を備えるマスクを製造するためのプロセスであって、「マスク」層は、溶媒中に分散させた安定化コロイド粒子の溶液を用いて蒸着させられ、およびマスク層は、ほぼ直線状のエッジを有し、少なくとも一方向に間隙のランダムな網目を備えるマスクを生じさせる、間隙の不規則な二次元配列が入手されるまで乾燥させられることを特徴とするプロセス。このプロセスによって得られるサブミリメートルの格子。
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本発明は、ガラスにドーピング及び／又は着色を行うための方法に関する。本発明の方法では、ガラスの表面上に二次元若しくは三次元の層を作製し、さらにこの層をガラス中に拡散及び／又は溶解して、ガラスに対する電磁放射線の透過、吸収、反射、及び／又は散乱を変化させる。ナノ物質の層は、前記の変化を引き起こす少なくとも１種の成分、及び変化を引き起こす前記成分の融点を低下させる少なくとも１種の成分を含む。 （もっと読む）

基板をコーティングする装置は、ポンプ区画の両側に並置された２個のプロセス区画を備えている。ポンプ区画は、この２個のプロセス区画および通路からのガスをポンプによってポンピングするためにそれらと動作可能に連通しており、また、基板コーティングプロセスに際してガスをほぼ分離することが十分可能である。ポンプ区画は、通路長さが１個のプロセス区画に関連した通路長さ、別のプロセス区画に関連した通路長さ、またはこの２つの通路長さの平均の２倍未満である場合にこのような分離を十分行うことができる。また、基板コーティングプロセスに際してガスをポンピングする装置、基板のコーティングまたはガスのポンピングに関連した方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】太陽エネルギー利用効率の向上と、汚れによる経時劣化の防止が可能な太陽エネルギー利用装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光入射側透明基材１の表面が、表面に結合固定された撥水撥油性の透明微粒子５で覆われていることを特徴とする太陽エネルギー利用装置、及び、一端に第１の官能基を有する反応性透明微粒子９を製造する工程Ａと、一端に第１の官能基と反応して共有結合を形成する第２の官能基を有する反応性透明基材４を製造する工程Ｂと、反応性透明微粒子９と反応性透明基材４とを接触、反応させ反応性透明微粒子９が表面に結合固定した透明基材１０を製造する工程Ｃと、透明基材１０の表面に結合固定された透明微粒子５の表面に撥水撥油性被膜１６を形成する工程Ｄとを含む太陽エネルギー利用装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガラス板の端部に塗布液を均一に低コストで塗布することができるガラス板端部の塗布方法、ガラス板端部の塗布装置、及びそのガラス板端部の塗布方法により端部が被覆されたガラス板を提供する。
【解決手段】ガラス板端部の塗布装置１００は、ガラス板１０を略水平に保持して回転するガラス板回転部１１と、ガラス板１０の端部１０ａに耐酸性を有する黒セラミックから成る被膜を形成して端部１０ａの外観品質を向上すべく、微小なノズル群２０を用いたインクジェット方式によりガラス板１０の端部１０ａに液状の黒セラミックペーストを塗布する塗布部１２と、塗布部位置調節部としての１軸のボール螺子１３とを備える。塗布部１２は、ボール螺子１３により位置決めされており、ノズル群２０が配置されているフレーム２１と、塗布部回転角度調節部等が配置されている可動部１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】 高い角度精度を有するプリズムを製造する。
【解決手段】
平板状の基板である大型基板１と、大型基板１と幅寸法及び厚みは同一であるが、奥行き寸法が大型基板１よりも短い小型基板２とを用意する。各基板の一側表面に誘電体多層膜３を成膜し、大型基板１と小型基板２とを交互に、幅方向においては厚み分だけずらして階段状となるように、奥行き方向においては、大型基板１の両端が基準面Ｂとして露出するように積層する。積層ガラス体４は階段状と平行な方向に切断され、切断された多連ガラス体５の切断面を研磨する。そして、多連ガラス体５を垂直方向に切断して、短冊ガラス体６を得て、短冊ガラス体６の切断面を研磨する。このとき、露出している基準面Ｂを基準として研磨することにより、基準面Ｂに対して研磨面を厳格に４５°にすることができる。 （もっと読む）