【課題】従来法よりも簡単に、しかも従来法では実現できなかった主として炭素からなる構造体の形態を保持した炭化ケイ素構造体の製造を、低温で、かつ短時間で行うことことができる炭化ケイ素構造体の製造方法を提供することにある。
【解決手段】不活性ガス雰囲気の反応容器中で、シリコンを含むナトリウムの融液を付加した状態で、主として炭素からなる構造体を加熱し、加熱した後に得られる炭化ケイ素構造体中の主たる炭化ケイ素の結晶構造がβ型であり、更に、主として炭素からなる構造体を加熱する温度は、６００℃以上、１２００℃以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、β−ＳｉＣ多孔質基板上に、ナノファイバまたはナノチューブを含む複合材の製造方法において、（ａ）前記β−ＳｉＣ多孔質基板の中またはＳｉＣ前駆体の中に、ナノチューブまたはナノファイバの成長触媒を取込む過程と、（ｂ）少なくとも一つの炭化水素および水素を含む混合物からカーボンナノチューブまたはカーボンナノファイバを成長させる過程と、（ｃ）任意には、前記カーボン製ナノチューブまたはカーボン製ナノファイバをＳｉＣナノファイバへと変換する過程とを含む方法に関する。この複合製品は、触媒または触媒担体として利用可能である。 （もっと読む）

【課題】反応系に硫黄粉末を存在させることにより、自己伝播高温合成反応を促進させ（Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ）−Ｃ−Ｓ又は（Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ）−Ｓ系無機化合物を短時間で合成する。
【解決手段】（Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ）−Ｃ−Ｓ又は（Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ）−Ｓ系を、好ましくはモル比２：（０.５〜１.０）：（１〜３）又はモル比２：（１〜３）で配合した粉末混合物を圧粉成形し、反応装置１にセットした圧粉体３の一端に、電流を通したコイル４で着火し、他端に向けて燃焼（自己伝播高温合成反応）を進行させることにより、（Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ）−Ｃ−Ｓ系又は（Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ）−Ｓ系無機化合物を合成する。 （もっと読む）

【課題】 実用的な条件によって加工変質層を除去するＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のＳｉＣ基板１１は、実質的に平行な第１および第２の主面１１ａ、１１ｂを有し、第２の主面１１ｂのみが鏡面仕上げされており、反りが±５０μｍ以下であるＳｉＣ基板であって、第２の主面１１ｂの表面粗度Ｒａは１ｎｍ以下であり、第１の主面１１ａの加工変質層が除去されている。 （もっと読む）

本発明は、結合ダイヤモンド粒子の第１相、並びにその第１相に散在する第２相を含む多結晶ダイヤモンド材料のためのものである。第２相は、金属の形態のバナジウム、炭化バナジウム又はバナジウムタングステンカーバイド又はこれらの形態の２つ以上を含有し、多結晶ダイヤモンド材料中に、その材料に対して１〜８質量パーセントの範囲で存在することができる。 （もっと読む）

【課題】空き缶から破砕および分別処理を通して得られるアルミチップ製品の純度を向上させること。
【解決手段】原料チップＢＭが炭化装置２００に導入され、炭化装置２００より炭化したアルミチップおよびスチールチップに炭化したゴミ類や異物の混じったものが炭化原料チップＣＭとして容器２２０に排出される。容器２２０から炭化原料チップＣＭは、スクリュー・コンベア２２４によって上方に位置する空き缶破砕物分別装置１０に送られる。空き缶破砕物分別装置１０は、炭化原料チップＣＭを磁性炭化チップＣＳと非磁性炭化チップＣＫとに分離する磁選部１２と、この磁選部１２で分別された非磁性炭化チップＣＫから炭化アルミチップＣＡを選別または分別する第１および第２炭化アルミチップ選別部１４，１６とを有している。 （もっと読む）

【課題】窒化物薄膜成長用基板として利用可能な亜粒界のない良質なTiC単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】式Ti_1-xZr_xC（ただし、0.05≦x≦0.35）で示される、炭化チタンTiCに、５モル％から３５モル％の炭化ジルコニウムZrCを固溶させた炭化物単結晶。この炭化物単結晶は、例えば、TiC粉末にZrC粉末を混合した圧粉体等を焼結した焼結棒を原料棒として浮遊帯域溶融法により単結晶を成長させることにより製造することができる。 （もっと読む）

微粒子を担持する気体用のろ過構造体を選択するための方法であって、そのろ過構造体が、多孔質セラミック材料で形成されかつ少なくとも１つ、好ましくは複数の多孔質壁を含むろ過部材を含んで成り、壁の表面の第１の画像から出発して、壁の微細構造の規則性及び均一性の第２の特徴的画像を得るような形で構造化要素による形態学的侵食を含む処理作業が第１の画像に対し実施されることを特徴とする方法。この方法を応用することにより得られる炭化ケイ素ろ過構造体。 （もっと読む）

【課題】
従来、ポリカルボシラン繊維に空気中で放射線を照射して表面のみを酸化させ、繊維表面を架橋させた後、有機溶媒により繊維中心部の未架橋部分を抽出し、中空繊維とし、これを不活性ガス中で焼成することにより、マイクロＳｉＣチューブとする。しかし、壁厚が１０ミクロン以下のセラミックチューブを製造することが困難である。
【解決手段】
ポリカルボシランとポリビニルシランからなるポリマーブレンド繊維を電離放射線により表面のみ酸化架橋し、有機溶媒により繊維中心部の未架橋部分を抽出して中空繊維とし、これを不活性ガス中で焼成して、壁厚が５ミクロン以下のマイクロ炭化ケイ素セラミックチューブを製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＣＶＤ−ＳｉＣの基材として、繰り返し使用でき、ＣＶＤ−ＳｉＣから簡単に除去でき、ＣＶＤ−ＳｉＣにクラック、割れ、不純物汚染を発生させたりしない基材を採用した、生産性に優れた炭化ケイ素部材の製造法を提供する。
【解決手段】基材上に薬液で溶解可能な中間層を形成後、前記中間層の表面にＣＶＤ法で炭化ケイ素膜を成膜して炭化ケイ素体とした後、前記中間層を薬液で溶解させて除去し前記基材から前記炭化ケイ素体を分離させることを特徴とする炭化ケイ素部材の製造法。 （もっと読む）

高密度化ＳｉＣ製品の製造方法が提供される。開発された方法によって、近網形状多孔質シリコンカーバイド製品が製造され、高密度化される。多孔質近網形状シリコンカーバイド製品内の細孔の実質的な数を炭素前駆体、シリコンカーバイド前駆体またはその混合物で充填する。炭素前駆体は液体またはガスであることができる。充填ＳｉＣプレホームは加熱され、炭素またはシリコンカーバイド前駆体を、近網形状多孔質シリコンカーバイド製品の細孔内で多孔質炭素またはＳｉＣプレホームに変換する。浸漬／熱分解のサイクルを炭素および／またはシリコンカーバイドの所望の量を達成するまで繰り返す。炭素またはシリコンカーバイド／炭素前駆体の混合物が用いられる場合は、熱分解近網形状シリコンカーバイド製品は不活性雰囲気中で、シリコンと接触される。シリコンは熱分解近網形状シリコンカーバイド製品を通って拡散し、多孔質ＳｉＣプレホームの細孔内に含まれている炭素と反応して、近網形状シリコンカーバイド製品の細孔内にシリコンカーバイドの新しい相を形成する。製造されたシリコンカーバイドは近網形状高密度シリコンカーバイドである。 （もっと読む）